武汉理工大学理学院物理科学与技术系
- 作品数：25 被引量：44H指数：4
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- 相关领域：电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 脉冲光信号对半导体中少数载流子寿命测试的影响
- 微波反射光电导衰减法是测量少子寿命的标准方法之一,具有非接触、无损伤的特点.在测试过程中,通常采用脉冲光在待测样品中产生过剩电子-空穴对,通过观察脉冲光结束后电子-空穴对的复合衰减曲线来得到样品的少子寿命.为考虑测试过程...
- 陈凤翔杨应平胡昌奎吴薇
- 关键词：少子寿命高斯脉冲
- 文献传递
- 无限深势阱问题的可视化研究被引量：5
- 2021年
- 基于计算软件对一些常见的无限深势阱进行了可视化研究,并设计了GUI界面实现对势阱的选择.在选定势阱后,设置好相应的势阱参数和量子数,便可依次绘制出低维势阱的波函数、概率密度函数和三维势阱中的电子云图像.文中分析了二维和三维势阱中能级的简并度问题,并重点讨论了不同势阱波函数和概率密度函数随量子数的变化规律.将势阱问题可视化可以方便分析不同条件下波函数的物理图像,有助于量子力学课程中的教师教学与学生学习.
- 肖光延陈凤翔汪礼胜
- 关键词：无限深势阱波函数电子云可视化
- 高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
- 2014年
- 利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,侧墙结构的MOSFET次之。进一步分析发现,当缓冲层结构InGaAs MOSFET的沟道厚度大于80nm时,可获得稳定的电性能。
- 朱述炎叶青汪礼胜徐静平
- 关键词：MOSFETINGAAS高K栅介质
- 宽角度硅太阳电池减反射膜的优化设计被引量：6
- 2008年
- 以太阳电池减反射膜为研究对象,考虑太阳光从0°～60°宽角度入射,同时结合硅的光谱响应和太阳光谱分布,采用加权平均反射率作为评价膜系质量的标准,利用数值计算设计了的最佳双层减反射膜SiN_x/SiO_x。计算结果表明30°是设计减反射膜的最佳优化角度。对于入射介质为空气时,最优薄膜参数为n_(SiN_x)=2.3,d_(SiN_x)=56nm, n_(SiO_2)=1.46,d_(SiO_2)=90nm。当太阳电池封装后,即入射介质为硅胶时,最佳膜系参数为n_(SiN_x)=2.3,d_(SiN_x)=65nm,n_(SiO_x) =1.63nm,d_(SiO_x)=80nm。
- 陈凤翔汪礼胜
- 关键词：太阳电池减反射膜
- 生命网络体系的虚熵研究
- ＜正＞～～
- 何祖坦毕桥
- 文献传递
- 量子信息网络的子空间中抗消相干
- ＜正＞量子信息网络量子信息网络被认为是由量子信道所连接的空间分离节点所组成;量子逻辑运算和量子信息处理在不同节点之间的合作和协调;使网络能够执行各种非局域的量子计算和通信。
- 毕桥
- 文献传递
- ReSe_(2)/WSe_(2)记忆晶体管的光电调控和阻变特性
- 2022年
- 记忆晶体管是结合了忆阻器和场效应晶体管特点的多端口器件.二维过渡金属硫化物拥有独特的电子结构和性质,在电子器件、能源转化、存储器等领域都有广泛的应用.本文以二维金属硫化物为基础,制备了ReSe_(2)/WSe_(2)双p型的范德瓦耳斯异质结记忆晶体管,探究其在电控、光控以及光电协控下的阻变特性变化.结果表明:栅压是调控记忆晶体管性能的重要手段,可有效地调控开关比在10^(1)-10^(5)之间变化;不同波长光照或者光功率密度的变化可以实现记忆晶体管高低阻态和开关比的调控;而且,光电协控也可使器件开关比在10^(2)-10^(5)范围内变化,并分析了不同调控条件下器件阻态变化的原因.此外,在经历了225次循环和1.9×10^(4)s时间后,ReSe_(2)/WSe_(2)异质结构记忆晶体管仍能保持接近10^(4)的开关比,表明器件有良好的稳定性和耐久性,将是一种很有发展潜力的下一代非易失性存储器.
- 余雪玲陈凤翔相韬邓文刘嘉宁汪礼胜
- 关键词：栅控光控
- 脉冲光激励对少数载流子寿命的理论分析被引量：2
- 2007年
- 主要从理论上研究脉冲光信号激励对少数载流子寿命测试结果的影响.通过研究两种理想的脉冲光源——高斯脉冲、方脉冲与理想δ函数光源产生的光电导衰减曲线的对比,发现对于高斯脉冲光源,只有在脉宽的条件下才可等效于δ函数光源;而脉宽的方脉冲才能等效为δ函数光源.否则脉冲光过长的脉宽和下降沿将对光电导衰减曲线中进一步分离出的表面复合速度和少子体寿命结果造成误差.若样品受表面状况影响较小时(如体寿命较低或表面复合速度低时),则可对两种理想脉冲光源的要求适当放宽.
- 陈凤翔汪礼胜胡昌奎吴薇
- 关键词：少子寿命高斯脉冲
- 氯离子添加剂对钙钛矿太阳能电池性能的调节被引量：1
- 2019年
- 过去几年,有机无机杂化的钙钛矿太阳能电池在光伏领域引起了广泛地关注,钙钛矿电池性能提升的关键是制备高质量的钙钛矿薄膜,而引入添加剂是制备高质量钙钛矿薄膜的重要方法之一。本文引入了两种不同的添加剂(浓盐酸和PbCl2)到钙钛矿前驱体溶液中,通过不同摩尔比的掺杂来调控钙钛矿薄膜的结晶度和表面覆盖率。然后采用SEM、XRD和紫外可见吸收光谱等表征手段分析钙钛矿薄膜的性能。结果表明:少量的Cl-添加剂可以优化钙钛矿薄膜的性能,提高钙钛矿层的覆盖率和光吸收特性。当掺杂PbCl2∶PbI2摩尔比为1∶9时,钙钛矿电池的各项参数有明显的提升,电池的PCE达到了11.35%;作为对比,当掺入HCl∶PbI2的摩尔比为1∶9时,电池的PCE仅为6.19%。因此PbCl2是比浓盐酸更好的Cl-添加剂,可以改善钙钛矿薄膜质量和提升钙钛矿太阳能电池性能。
- 曹功辉陈凤翔
- 关键词：添加剂HCL
- 光电协控多层MoS_(2)记忆晶体管的阻变行为与机理研究被引量：2
- 2021年
- 记忆晶体管是结合忆阻器和场效应晶体管性能且同时实现存储和信息处理的一种新型多端口器件.本文采用微机械剥离的多层二硫化钼(MoS_(2))制备了场效应晶体管结构的背栅记忆晶体管,并系统研究了器件在电场、光场及其协同调控下的阻变开关特性和阻变机理.实验结果表明,多层MoS_(2)记忆晶体管具有优异的双极性阻变行为和良好的循环耐久性.器件在栅压调控下,开关比可实现在10^(0)—10^(5)范围内变化,最高可达1.56×10^(5),表明器件具有很强的门控效应;在光场调控下,器件的阻变特性对光波长有很强的依赖性;光电协同调控时,器件表现出极好的四端口调控能力,开关比达4.8×10^(4).其阻变特性的机理可归因于MoS_(2)与金属电极接触界面电荷俘获状态和肖特基势垒高度的变化,以及MoS_(2)沟道光生载流子引起的持续光电导效应.
- 邓文汪礼胜刘嘉宁余雪玲陈凤翔
