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东南大学微电子中心
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童勤义
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1991
25篇
1990
11篇
1989
共
519
条 记 录,以下是 1-10
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
全平面上的高斯曲率方程
1996年
本文用Schauder不动点定理证明了一维K≥0的解、二维K≥0的径向解的存在性,同时证明了当K≤0时,在无穷远处有不同渐近性的K所对应的极大解的渐近性,并给出了径向解的刻画,推广了前人结果.
王元明
王明网
关键词:
椭圆型方程
径向解
MLS结构的物理与电性能分析
1994年
本文从器件物理角度出发,深入研究了MLS结构的C-V、I-V、界面、体内电荷、击穿等电学性能,并研制成功了一种新型的具有优良电性能的MLS结构场效应晶体管,所得实验结果与理论相吻合。
吴金
郑茳
魏同立
关键词:
场效应晶体管
CIF-PG带处理软件
CIF-PG带处理软件是计算机辅助设计集成电路的国际标准格式CIF与进口各类图形发生器的接口转换软件。由于CIF是一种低级图象描述语言,可以刻划集成电路版图的几何图案。因此,将CIF格式转换为特定的以及通用的图形发生器的...
关键词:
关键词:
计算机应用
计算机辅助设计
程序系统
Spindt阴极电容模型
被引量:2
1994年
本文用数值方法,计算了Spindt阴极的电容,给出了—族曲线,与实验结果比较接近,对真空微电子微波三极管的设计有一定意义。
黄庆安
翟宏洲
向涛
秦明
张会珍
关键词:
电容
微波器件
EEPROM与flash Memory
被引量:2
1997年
本文主要介绍EEPROM、flashmcmory的技术发展、单元结构.比较了EEPROM与flashmemory的优缺点与应用领域.
于宗光
许居衍
魏同立
关键词:
EEPROM
存储器
低温区杂质电离率的计算
1996年
用纯数值技术计算了50~150K下磷、硼非补偿和补偿时在硅中的电离率,考虑了Fermi-Dirac统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响,结果发现比简化模型有较高的数值精度,而且可插入到半导体器件模拟软件PISCES中。
王明网
魏同立
肖志雄
李
关键词:
电离率
半导体器件
硅微机械加工技术及其在真空微电子学中的应用
黄庆安
关键词:
真空微电子学
硅
集成技术
悬臂梁的受控源等效电路宏模型的建立及验证
被引量:3
2003年
针对能代表MEMS器件特征的悬臂梁结构 ,采用了SPICE中标准多项式受控源的形式建立悬臂梁的多模态小信号等效电路宏模型。在外力的作用下 ,用SPICE软件对此悬臂梁宏模型和外加电路进行了系统级的模拟 ,得到分布参数的力传感器的输出电压幅频特性曲线 ;最后采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证。
闻飞纳
李伟华
戎华
关键词:
悬臂梁
受控源
等效电路
宏模型
MEMS器件
栅对准误差对双栅MOSFET性能影响的分析
2002年
双栅 MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件 ,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点。但是目前自对准的双栅 MOSFET的工艺制作相当困难。本文中分析了双栅 MOSFET的正、背面栅存在对准误差时 ,对器件的静态及动态特性的影响 。
钱莉
李伟华
关键词:
静态特性
动态特性
专用LCD的设计与应用
1997年
液晶显示器(LCD)做为一种常用的显示器件被广泛地应用于各个领域,特别是采用单片机做为CPU的小型电子产品对它的运用就更加广泛。
李冰
关键词:
占空比
液晶显示器
全选
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