湖南大学微电子研究所
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
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- 相关机构：南京大学物理学院物理学系南京大学物理学院更多>>
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- 一种用于CMOS图像传感器的新结构光电器件
- 2007年
- 提出了一种用于CMOS图像传感器的新结构光电探测器件——双极光栅场效应晶体管。通过在器件中引入pn结,有效地增加了光生电荷的读出速率,因而与传统光栅晶体管相比,双极光栅晶体管具有工作速度快、响应灵敏度高、读出电路简单等优点。
- 李晓磊曾云张燕王太宏
- 关键词：CMOS图像传感器光电探测器
- 双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器被引量：2
- 2005年
- 设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器.对存储器样品的C-V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能.数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年(约108s).这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路.
- 杨红官周少华曾云施毅
- 关键词：量子点阵列
- 基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究被引量：1
- 2008年
- 提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。
- 李晓磊曾云张国樑彭琰王太宏
- 关键词：阈值电压信噪比动态范围有源像素传感器
- 热释电红外传感器专用控制芯片的设计被引量：4
- 2006年
- 文章阐明了一种采用0.6μm1P1MCMOS工艺的热释电红外传感器专用控制芯片的设计。该芯片在[4.0V,6.0V]内稳定工作,具有较高的电源抑制比和较低的温漂,并且作了抗噪声和抗交流电源干扰处理。这种控制芯片用于接收、放大、处理、控制热释电红外传感器信号,应用前景十分广阔。
- 曾宏博胡锦赵欢
- 关键词：带隙基准电压源带通滤波器电压比较器过零检测
