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复旦大学真空物理研究室

作品数：25 被引量：26H指数：3
相关作者：陈莹刘军金万春薛云龙更多>>
相关机构：中国科学院物理研究所中国工程物理研究院核物理与化学研究所中国科学院高能物理研究所更多>>
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相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 25篇中文期刊文章

领域

  • 12篇理学
  • 11篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
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  • 1篇自然科学总论

主题

  • 3篇离子
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  • 2篇分子筛
  • 1篇带间跃迁
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  • 1篇氮化物
  • 1篇等离子体发射
  • 1篇等势

机构

  • 25篇复旦大学
  • 5篇中国科学院
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  • 1篇上海唐山仪表...

作者

  • 5篇顾昌鑫
  • 5篇张强基
  • 3篇韩继红
  • 3篇华中一
  • 2篇李全芝
  • 2篇牟方明
  • 2篇成春荣
  • 2篇徐卫
  • 2篇陆明
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  • 1篇罗维昂
  • 1篇雷春
  • 1篇潘星龙
  • 1篇丁力
  • 1篇陈华仙
  • 1篇廖光裕
  • 1篇李敏
  • 1篇陈莹

传媒

  • 15篇真空科学与技...
  • 5篇真空科学与技...
  • 2篇四川真空
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇真空

年份

  • 4篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 5篇1996
  • 4篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiO_2/Si表面电子谱的因子分析法研究被引量：1
1994年
用因子分析法在扫描俄歇微探针（SAM）上研究了SiO2／Si的俄歇深度剖面分析。采用Ar＋离子刻蚀SiO2／Si样品，分别采录具有高表面灵敏度和化学态灵敏度的低能SiLVV俄歇跃迁和OKLL俄歇跃迁。用因子分析法可得到一致的结果：SiO2／Si界面上存在中间过渡化学态SiOx（0＜x＜2），以及SiO2经Ar＋离子刻蚀后产生少量（约10％）的SiOx及相当一部分（约30％～50％）的SiO2的另一状态SiO2*。
李敏张勇陆明张强基
关键词：氧化硅硅
利用大气中放电来测量表面特性的新方法
1994年
研制了一种新型的探测器，利用气体放电和外部电路猝灭的方法测定样品表面发射的低能光电子。它能在大气或各种气氛中工作。可用于测定表面功函数、膜厚、表面污染及材料缺陷。有较大实用价值。
程达铭李红卫
关键词：探测器气体放电表面性质
2000:薄膜与真空器件
1994年
回顾了真空电子器件二十年来的发展，并对今后七年薄膜与真空器件研究和生产的若干趋势作了扼要的叙述。在电子束管方面，高清晰度显象管、扁平显示管、飞点管、高分辨率、等离子体监视屏等仍将继续发展并占有重要的地位。在薄膜方面，硬膜、超导膜和亚稳态薄膜的研究将仍然是真空科学方面的热点。真空微电子器件面临的抉择则在于能否得到新构思的支撑。最后对本学科总体的一些问题提出了看法。
华中一
关键词：真空器件薄膜物理学
物理气相淀积成膜的计算机模拟被引量：6
1996年
运用蒙特卡罗方法，模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程。在40×40个原子的简单立方单晶（100）面上，模拟计算了不同条件下所成简单立方单晶薄膜的生长情况，得出了覆盖率、成膜速率、稳定性与基体温度、蒸气压强的关系。模拟计算结果与理论和实验一致。
刘军顾昌鑫韩继红单莉英华中一
关键词：计算机模拟薄膜生长
电子光学系统最优化设计中的科学计算可视化技术被引量：1
1996年
在提出的电子光学系统最优化设计与科学计算可视化相结合的新构想──可视化最优化设计中，以电子发射系统为例，提出了一种有效方法：逆向匹配插值法，可以将代化搜索过程中电子轨迹显示成电子束密度分布，进而为电子光学系统最优化设计实现实时控制和在线判断提供了可能性。还与类蒙特卡罗方法作了比较和讨论。
李杰廖光裕顾昌鑫单莉英
关键词：电子光学最优化设计科学计算可视化
薄膜淀积过程中的电荷转移被引量：2
1996年
本文介绍了一种用满足一定条件的俄歇谱线的峰－峰幅度值来研究局域电子态密度的方法。并用此方法研究了成膜原子与衬底原子间的电荷交换行为。结果表明当Ｃｕ（Ｎｉ）淀积到衬底Ｎｉ（Ｃｕ）的初期阶段，Ｎｉ的部分价带电子转移到Ｃｕ中。同样结果也发生在Ｃｕ淀积到Ｍｏ衬底上的情况。本研究表明，薄膜的一些宏观性质（如膜层和衬底的粘附）可以和微观的现象相联系。
张强基金万春陆明
关键词：电荷转移淀积
过渡金属氮化物防扩散阻挡薄膜研究
1993年
用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n^+型硅的接触电阻在10^(-3)～10^(-6)Ω·cm^2量级;与P型硅的接触电阻为10^(-3)Ω·cm^2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。
薛云龙罗维昂章壮健沈孝良曾有义孙云龙秦关鸿
关键词：阻挡层氮化物
离子激发俄歇发射强度和离子能量关系的研究
1992年
实验研究了Al、Si样品的离子激发俄歇发射现象,测定了类原子信号强度和入射Ar^+离子能量的关系曲线。基于目前普遍接受的退激发观点,即类原子信号源自溅出的受激原子在体外退激发的过程。提出了一个类原子信号强度和入射离子能量的关系表达式,它和实验结果符合良好。在该表达式和实验数据的拟合中,可以求得Al和Si离子激发俄歇发射的阈值分别为350eV和790eV,和近期发表的结果符合良好。
陆明张强基华中一
关键词：离子发射离子强度
表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理
1996年
表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多。在厚度ｄ＝４００Ａ，表面氧污染的钛膜上重新蒸镀，使其表面再生一层极薄的清洁钛膜。吸氢，释氢测量表明其吸氢能力得到恢复。
牟方明张勇
关键词：吸氢扩散阻挡层
真空设备与检测仪器的世纪回顾被引量：3
1999年
真空设备与检测仪器在２０世纪内迅速发展，现在已得到广泛应用且与所有的高技术都密切相关。本文扼要回顾了本世纪国内外一些重要的成就，并对未来作了展望。
华中一
关键词：真空设备真空泵真空规
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