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复旦大学真空物理研究室

作品数：25 被引量：24H指数：3
相关作者：陈莹刘军金万春薛云龙更多>>
相关机构：中国科学院物理研究所中国工程物理研究院核物理与化学研究所中国科学院高能物理研究所更多>>
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相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 25篇中文期刊文章

领域

  • 12篇理学
  • 11篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 3篇离子
  • 3篇计算机
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  • 3篇EXAFS研...
  • 2篇电子全息
  • 2篇电子散射
  • 2篇原子
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  • 2篇污染
  • 2篇物理学
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  • 2篇离子发射
  • 2篇离子能量
  • 2篇分子
  • 2篇分子筛
  • 1篇带间跃迁
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇等离子体发射
  • 1篇等势

机构

  • 25篇复旦大学
  • 5篇中国科学院
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇上海唐山仪表...

作者

  • 5篇顾昌鑫
  • 5篇张强基
  • 3篇韩继红
  • 3篇华中一
  • 2篇李全芝
  • 2篇牟方明
  • 2篇成春荣
  • 2篇徐卫
  • 2篇陆明
  • 1篇金万春
  • 1篇张健
  • 1篇施蓓培
  • 1篇罗维昂
  • 1篇雷春
  • 1篇潘星龙
  • 1篇丁力
  • 1篇陈华仙
  • 1篇廖光裕
  • 1篇李敏
  • 1篇陈莹

传媒

  • 15篇真空科学与技...
  • 5篇真空科学与技...
  • 2篇四川真空
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇真空

年份

  • 4篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 5篇1996
  • 4篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiO_2/Si表面电子谱的因子分析法研究被引量：1
1994年
用因子分析法在扫描俄歇微探针（SAM）上研究了SiO2／Si的俄歇深度剖面分析。采用Ar＋离子刻蚀SiO2／Si样品，分别采录具有高表面灵敏度和化学态灵敏度的低能SiLVV俄歇跃迁和OKLL俄歇跃迁。用因子分析法可得到一致的结果：SiO2／Si界面上存在中间过渡化学态SiOx（0＜x＜2），以及SiO2经Ar＋离子刻蚀后产生少量（约10％）的SiOx及相当一部分（约30％～50％）的SiO2的另一状态SiO2*。
李敏张勇陆明张强基
关键词：氧化硅硅
真空设备与检测仪器的世纪回顾被引量：3
1999年
真空设备与检测仪器在２０世纪内迅速发展，现在已得到广泛应用且与所有的高技术都密切相关。本文扼要回顾了本世纪国内外一些重要的成就，并对未来作了展望。
华中一
关键词：真空设备真空泵真空规
真空科学的现况
1994年
华中一
关键词：真空技术
利用大气中放电来测量表面特性的新方法
1994年
研制了一种新型的探测器，利用气体放电和外部电路猝灭的方法测定样品表面发射的低能光电子。它能在大气或各种气氛中工作。可用于测定表面功函数、膜厚、表面污染及材料缺陷。有较大实用价值。
程达铭李红卫
关键词：探测器气体放电表面性质
2000:薄膜与真空器件
1994年
回顾了真空电子器件二十年来的发展，并对今后七年薄膜与真空器件研究和生产的若干趋势作了扼要的叙述。在电子束管方面，高清晰度显象管、扁平显示管、飞点管、高分辨率、等离子体监视屏等仍将继续发展并占有重要的地位。在薄膜方面，硬膜、超导膜和亚稳态薄膜的研究将仍然是真空科学方面的热点。真空微电子器件面临的抉择则在于能否得到新构思的支撑。最后对本学科总体的一些问题提出了看法。
华中一
关键词：真空器件薄膜物理学
物理气相淀积成膜的计算机模拟被引量：5
1996年
运用蒙特卡罗方法，模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程。在40×40个原子的简单立方单晶（100）面上，模拟计算了不同条件下所成简单立方单晶薄膜的生长情况，得出了覆盖率、成膜速率、稳定性与基体温度、蒸气压强的关系。模拟计算结果与理论和实验一致。
刘军顾昌鑫韩继红单莉英华中一
关键词：计算机模拟薄膜生长
电子光学系统最优化设计中的科学计算可视化技术被引量：1
1996年
在提出的电子光学系统最优化设计与科学计算可视化相结合的新构想──可视化最优化设计中，以电子发射系统为例，提出了一种有效方法：逆向匹配插值法，可以将代化搜索过程中电子轨迹显示成电子束密度分布，进而为电子光学系统最优化设计实现实时控制和在线判断提供了可能性。还与类蒙特卡罗方法作了比较和讨论。
李杰廖光裕顾昌鑫单莉英
关键词：电子光学最优化设计科学计算可视化
薄膜淀积过程中的电荷转移被引量：1
1996年
本文介绍了一种用满足一定条件的俄歇谱线的峰－峰幅度值来研究局域电子态密度的方法。并用此方法研究了成膜原子与衬底原子间的电荷交换行为。结果表明当Ｃｕ（Ｎｉ）淀积到衬底Ｎｉ（Ｃｕ）的初期阶段，Ｎｉ的部分价带电子转移到Ｃｕ中。同样结果也发生在Ｃｕ淀积到Ｍｏ衬底上的情况。本研究表明，薄膜的一些宏观性质（如膜层和衬底的粘附）可以和微观的现象相联系。
张强基金万春陆明
关键词：电荷转移淀积
强电场下Cs_3Sb光电阴极的激光诱导等离子体发射
1992年
激光诱导等离子体发射是光电阴极在大电流脉冲发射时的伴随现象,它不仅破坏了阴极的高亮度、窄脉宽发射特性,也使阴极材料遭到破坏.以各种实验手段对Cs_3Sb光电阴极在氙离子激光器照射下的等离子体形成机理进行了研究,证实构成这种等离子体的是阴极本身的锑、铯原子,而非解吸的气体.
丁力陈莹黄人慧徐辉
关键词：激光诱导光电阴极
过渡金属氮化物防扩散阻挡薄膜研究
1993年
用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n^+型硅的接触电阻在10^(-3)～10^(-6)Ω·cm^2量级;与P型硅的接触电阻为10^(-3)Ω·cm^2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。
薛云龙罗维昂章壮健沈孝良曾有义孙云龙秦关鸿
关键词：阻挡层氮化物
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