浙江师范大学LED芯片研发中心
- 作品数：10 被引量：12H指数：2
- 相关作者：吴峰民更多>>
- 相关机构：中南大学物理与电子学院中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省重点科技创新团队项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 基于CYT1000B的LED高压驱动电源
- 2015年
- 采用高亮度的小功率贴片LED驱动芯片CYT1000B作为主控制器,设计一款在输入电压185~260V、输出电流为40m A高效节能、低成本的LED驱动恒流驱动电源。主要通过改变输入电压以及不同的驱动负载来测定CYT1000B的应用价值,该电路设计简单、成本低、效率高,特别适合应用于要求不高的照明领域。
- 金林枫潘日敏
- 关键词：LED恒流驱动
- 电流退火Fe76Si7.6B9.5P5C1.9合金薄带的纵向巨磁阻抗效应
- 2013年
- 有效地调控非晶软磁材料的巨磁阻抗,能使其应用的领域更加广泛。本文研究了在大气环境下电流退火过程中Fe76Si7.6B9.5P5C1.9合金薄带纵向巨磁阻抗的变化规律,发现氧化可以调控样品的巨磁阻抗性能。通过10 min退火,样品磁性能得到明显改善,灵敏度大幅度提高;1 h退火,样品的GMI表现出良好的线性关系。
- 马云李文忠金林枫寇建龙方允樟
- 水热法合成二硫化钼纳米花被引量：2
- 2013年
- MoS2纳米花以MoO3和Na2S为前驱体,在230℃下采用水热法反应6 h合成。MoO3为反应提供钼源,Na2S为反应提供硫源,同时还作为反应中的还原剂。产物通过XRD和SEM、Raman光谱表征其特性。MoS2纳米花是由几十到上百个花瓣组织构成的,平均花径约为200~300 nm,边缘厚度约为5~10 nm的薄片花瓣从一个中心向各个方向放射性生长。对比反应温度和盐酸的浓度的对合成MoS2纳米花的影响,结果表明其最佳实验条件为:反应温度为230℃,盐酸浓度为0.4 mol/L,反应时间为6 h。实验结果表明,采用此方法合成MoS2纳米花晶相纯,没有杂质且反应时间短,实验条件要求低。同时还探究了实验可能的反应原理。
- 蔡嫦芳吴锋民方允樟杜元宝韩聪孟庆哲
- 关键词：水热法晶相形貌
- 叠片式非晶磁环性能的研究被引量：2
- 2014年
- 用非晶材料Fe91.7Si5.3B3.0制备两个尺寸完全相同的叠片式和盘绕式磁环,然后对这两个磁环的磁性能进行比较。发现频率较低时,叠片式的饱和磁感应强度比盘绕式磁环的低,当频率逐渐升高时,叠片式磁环的饱和磁感应强度高于盘绕式磁环。对于矫顽力和磁导率,叠片式始终占据优势。实验中,盘绕式磁环在盘绕和胶的固化过程中引入了径向应力,因此导致其磁性能与叠片式磁环的差距。所以径向应力对磁环的性能有一定的影响。
- 郝少倩杨光赵静肖飞方允樟吴锋民
- 关键词：非晶材料径向应力
- P_3HT/PCBM基有机太阳能电池性能提高的研究
- 2014年
- 以P3HT作为电子给体材料,PCBM作为电子受体材料,制成不同厚度活性层的本体异质结有机太阳能电池.从I-V特性曲线分析了厚度对电池性能的影响.制备了添加PEDOTPSS和TiO2作为空穴阻挡层的有机电池,通过分析I-V特性曲线和吸收光谱,找到提高电池性能的方法.
- 孟秀清唐双双方允樟
- 关键词：有机太阳能电池空穴阻挡层
- 一种简易的硫化亚锡微米棒薄膜的合成
- 2013年
- 为了得到高纯度的硫化亚锡薄膜,利用恒电压法成功制备了硫化亚锡微米棒薄膜,并将该薄膜在200℃真空退火1 h.结构和形貌分析表明:该薄膜是由2～5μm的细棒组成,并且优先沿着(101)晶面方向生长.拉曼光谱表明该薄膜具有较高的纯度.
- 杜元宝韩聪蔡嫦芳孟庆哲孟秀清吴锋民
- 关键词：微米棒
- 电沉积温度对碘化亚铜薄膜光学性质的影响(英文)被引量：2
- 2013年
- 以ITO导电玻璃衬底,CuSO4、KI为反应溶液,EDTA为络合剂,通过简单的电化学方法分别在40,60,80℃的电沉积温度下成功制备出高定向的γ-CuI薄膜。讨论了不同沉积温度下碘化亚铜薄膜各项性质的差异,作为比较还利用化学沉积方法在室温下合成了碘化亚铜粉末。利用X射线衍射图(XRD)进行结构分析,场发射扫描电子显微镜(SEM)进行形貌观察。实验结果表明:碘化亚铜薄膜由三角形纳米片构成,沿(111)晶相择优生长。随着电沉积温度的升高,颗粒的尺寸从2μm减小到500 nm。不同电沉积温度制备出的碘化亚铜薄膜均在拉曼光谱上呈现出一个强的LO峰和一个微弱的TO峰,峰的强度均随着电沉积温度的升高而增大。同时,光致发光(PL)光谱的分析显示出强的近带边发射峰。CuI粉末在结构及形貌等性质上与CuI薄膜有一定的差异。
- 蔡嫦芳孟秀清吴峰民方允樟
- 关键词：温度光致发光
- ZnO/CuO核壳结构纳米线光致发光性能与CuO壳层厚度的关系(英文)被引量：1
- 2012年
- 通过分别生长核层与壳层制备出了ZnO/CuO核壳结构的纳米线。形貌和结构分析表明,ZnO核为单晶纳米线而CuO则以多晶形式覆盖在核层表面上。光致发光(PL)研究表明,ZnO纳米线PL强度随CuO壳层厚度的变化而变化。当壳层比较薄时ZnO的PL强度增大,这主要是由于CuO壳层对ZnO核层的修饰减少了表面态,而当壳层厚度增加到一定程度时,ZnO的PL强度不再变化,这主要是由于在核壳结构中形成了type-I型结构的原因。我们对这一现象做了详细的讨论。
- 孟秀清赵东旭吴锋民方允樟李京波
- 关键词：光致发光性质
- ZnO/ZnS核-壳量子点的双光子吸收效应(英文)被引量：4
- 2015年
- 利用飞秒激光Z-扫描与泵浦-探测技术,研究了室温下ZnO/ZnS与ZnO/ZnS/Ag核-壳胶体量子点的双光子吸收效应。研究发现:ZnO基核-壳量子点的本征双光子吸收系数比ZnO体材料增大了3个数量级;测量得到的660 nm处的ZnO/ZnS核-壳量子点双光子吸收截面约为4.3×10-44cm4·s·photon-1,比相应的ZnS、ZnS e及CdS量子点大2个数量级;当ZnO/ZnS核-壳量子点镶嵌了银纳米点时,非线性吸收有所增强。ZnO基复合纳米结构的双光子吸收增强可归因于量子限域与局域场效应。
- 刘姝妤钟绵增孟秀清李京波李京波肖思肖思
- 关键词：双光子吸收Z-扫描技术
- 水热法合成二硫化亚铁纳米片及性能研究被引量：1
- 2015年
- 采用水热法以硫酸亚铁(FeSO_4)、硫代硫酸钠(Na_2S_2O_3)和硫粉(S)为反应物,在180℃下反应24 h合成了二硫化亚铁(FeS_2)纳米晶体.通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、场发射扫描电镜(FESEM)和紫外可见吸收光谱(UV-vis)对所得产物进行分析表征.FESEM分析表明:FeS_2纳米晶体为较薄的菱形片状结构,边长在640 nm左右,厚度约为100 nm.实验分析结果表明:采用此方法合成的FeS_2纳米晶体具有相纯、几乎没有杂质等优点,而且该反应的用时相对较短,对实验条件和设备的要求也不高.同时还探究了实验可能的反应原理.
- 梅秀锋孟秀清吴锋民
- 关键词：水热法形貌反应机理
