万代半导体元件(上海)有限公司
- 作品数:28 被引量:50H指数:6
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- 电源变换器中电流模式和电压模式相互转化被引量:2
- 2011年
- 介绍了电流模式和电压模式的工作原理,电压模式为单环的自动调节系统,电流模式为双环的自动调节系统,描述了两种工作模式它们各自的优缺点;探讨了理想的电压模式利用输出电容ESR取样加入平均电流模式的工作过程,论证了电压模式输出使用电解电容系统更容易稳定的原因;探讨了通过输入电压前馈加入电流模式的工作过程,并推导了电流取样信号和输入电压的关系;讨论电流模式在输出轻载或无负载、在使用大的电感以及在占空比大于0.5加入斜坡补偿三种工作条件下,系统会从电流模式进入电压模式工作过程。
- 刘松
- 关键词:电流模式电压模式斜坡补偿
- 降压转换器电流取样电阻三种位置的选择被引量:7
- 2008年
- 本文介绍了电流模式降压转换器的电流取样电阻放置的三种位置,即输入端、输出端及续流管,同时详细地说明了这三种位置各自的优点及缺点,还阐述了由此而产生的峰值电流模式和谷点电流模式的工作原理,以及它们各自的工作特性。本文也给出了使用高端主开关管导通电阻、低端同步开关管导通电阻,以及电感DCR作为电流取样电阻时,设计应该注意的问题。
- 刘松
- 关键词:降压转换器峰值电流模式
- 理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量被引量:6
- 2010年
- 在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到达些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响,以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。本文将论述这些问题,同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。
- 刘松葛小荣
- 关键词:功率MOSFET雪崩电源系统重复脉冲EAS
- 自钳位MOSFET在电动工具控制器中的使用
- 2009年
- 介绍了电动工具控制器的工作原理,详细分析了电动工具中MOSFET的功率损耗以及线路引线电感对MOSFET开关波形的影响。同时,介绍了自钳位MOSFET的工作特性以及在设计电动工具驱动电路时应注意的问题,并给出了使用自钳位MOSFET设计的电动工具控制器的工作波形和测试结果。
- 葛小荣张龙
- 关键词:电动工具
- 电流模式变换器输出LC滤波器对反馈环影响被引量:2
- 2010年
- 介绍了电流模式的变换器在实际应用中输出端加LC滤波器的原因,推导了输出无LC滤波和输出加LC滤波的负载传输特性,论述了输出加LC滤波对系统环路传输特性的影响。同时,基于实际的电流模式Buck变换器,测试了两种状态下的增益裕量和相位裕量,系统地探讨了输出端LC滤波器引入双极点的过程。输出端LC滤波器会引起环路的相位裕量不足,导致系统产生次谐波的振荡。给出通过减小系统带宽,使LC的双极点远离穿越频率,从而增加系统稳定性的方案。进一步探讨了由于温度降低,误差放大器的增益增加促使系统带宽的增加是系统更容易产生振荡的原因。
- 刘松丁宇
- 关键词:变换器次谐波滤波器
- 理解功率MOSFET的开关损耗被引量:10
- 2009年
- 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
- 刘松
- 关键词:功率MOSFET开关损耗零电压
- Buck变换器电流和电压跟踪型软起动电路设计被引量:2
- 2009年
- 提出了电流跟踪型和电压跟踪型两种软起动方式的概念,分析了其工作原理。介绍了两种新型的电压跟踪型外部软起动电路,即前馈电容软起动电路和基于外部运算放大器软起动电路,阐述了这两种电路的工作原理和优缺点,并详细说明了它们的设计方法。同时介绍了3种常用的基于二极管或三极管电流跟踪型外部软起动电路。最后给出了相关的测试结果和实验的波形。
- 刘松杨启峰丁宇
- 关键词:变换器脉冲宽度
- 用于三相不解耦PFC的新型高压功率器件EBST
- 2010年
- 介绍了一种兼有功率晶体管低导通压降和高额定电压特点以及功率MOSFET高开关速率特点的新型器件发射极开关双极型晶体管ESBT的结构,同时详细的阐述了这种新型器件的工作原理。还介绍了这种器件的驱动方法和专门针对三相不解耦PFC应用的驱动芯片以及电路设计的过程。实验表明:驱动芯片能够自动调整存储时间的长度从而保证ESBT在不同的负载条件下都处于优化的工作状态。
- 刘松丁颖
- 关键词:功率因素校正驱动电路
- MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装
- 本实用新型提供一种MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装,其包含MOSFET S极,MOSFET G极,MOSFET D极,肖特基二极管的K极和A极,该MOSFET的D极与肖特基二极管的A极位于同一侧;还包含一引线...
- 施震宇汪利民石磊
- 文献传递
- 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程被引量:7
- 2008年
- 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。
- 刘松
- 关键词:功率MOSFET电荷特性导通栅极电压可变电阻跨导