中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 作品数：816 被引量：1,070H指数：10
- 相关作者：宁鼎黄榜才程红娟练小正杨鹏更多>>
- 相关机构：天津大学南开大学河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 硼扩散技术研究被引量：1
- 2011年
- 对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。
- 王春梅佟丽英史继祥王聪
- 关键词：硼
- 边孔高双折射光纤的研究与制造
- 2010年
- 边孔光纤在芯的两侧对称分布两个孔，与熊猫光纤相比由于纤芯两侧高热膨胀系数的应力区由两个空孔所代替，因而具有较高的热稳定性，同时由于边孔的存在，可以使得光纤外部各向同性的压力在纤芯内部产生各向异性的应力，从而可以产生较大的应力双折射。固有双折射的大小是限制边孔光纤广泛应用的一个重要参量，研究结果表明边孔光纤的双折射可大于10^-5。最近我们通过这种工艺制作的边孔光纤几何尺寸为：纤芯直径7．3um，包层直径125um，纤芯和孔的中心距25um，边孔径长轴28．1um。
- 李昌锋梁小红周述文衣永青
- 关键词：双折射光栅压力敏感
- 有蜡贴片工艺对4英寸SiC抛光片几何参数的影响
- 2020年
- 研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响。分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV和翘曲度,采用数显千分表测量贴片及单面抛光后晶片表面5点厚度的变化。发现采用液体蜡贴片时,加工晶片的TTV较好,蜡层的均匀性是影响晶片TTV的主要原因,蜡层厚度均匀性差会使晶片TTV变差,同时也会使晶片发生不规则的形变。并且分析了旋涂参数对液体蜡蜡层均匀性的影响。结果表明,在滴蜡时间为2.3 s、低速旋转速度为700 r/min、低速旋转时间为6 s、高速旋转速度为3000 r/min、高速旋转时间为7 s的条件下,贴片表面5个点的厚度偏差小于2μm,加工晶片的TTV小于5μm。
- 高飞李晖张弛
- 关键词：翘曲度
- 多线切割工艺断线问题的分析被引量：4
- 2014年
- 在多线切割工艺中,镀铜金属线对硅单晶切割片的质量有着重要影响,成为多线切割工艺需要控制的重要辅料。断线问题一直是困扰多线切割工艺人员的主要问题之一,一直得不到有效的解决,从材料、设备、工艺以及人员等多个视角对断线问题进行了分析,并给出相应的解决措施。
- 苗广志马玉通赵文华
- 关键词：硅
- 半导体激光器在不同制冷条件下散热研究被引量：2
- 2015年
- 对半导体激光器在不同制冷条件下的散热进行实验研究。通过设计温度测试系统,分别在被动制冷、单条水路主动制冷和U型回路主动制冷的条件下,测量了多个高功率LD在不同工作电流下的温度,研究了在不同制冷条件下LD温度随电流的变化,发现U型回路主动制冷条件下,LD的散热效果最好。
- 韩桂云王晓龙龙润泽张培培李宝珠张雪莲孙雪莲张鹏黄榜才梁小红
- 关键词：半导体激光器高功率光纤激光器散热制冷
- 高斯光束参数简介及束腰的快速测量计算被引量：5
- 2018年
- 从实用观点介绍了高斯光束的概念及相关参数,如高斯光束的束宽、瑞利距离、共焦参数、"M2"值、光强分布、光斑的有效面积及能量密度等。利用高斯光束的数学特征,将其转换成误差函数的表征形式,介绍了一种测量高斯光束腰斑尺寸的方法——90/10刀口法,这种方法只需测量90%,及10%,的透过光强,与孔径法、CCD扫描法、曲线拟合法等其他测量方法相比更快速、更简便、更精确。
- 崔立夫罗瑞芳
- 关键词：高斯光束误差函数
- 太阳能级单晶炉热场的适应性改造研究被引量：4
- 2014年
- 在JRDL-900型太阳能级单晶炉上安装自行设计的350 mm（14英寸）密闭式热场,替换原有的500 mm（20英寸）热场,使该单晶炉具备了半导体级75~150 mm（3~6英寸）常用硅单晶的生长条件。根据单晶炉实际情况,重新设定了单晶生长控制程序,实现半导体级硅单晶等径生长自动控制。在拉晶实验过程中,发现并解决了影响单晶生长的设备和技术问题,成功实现了半导体级100 mm（4英寸）硅单晶的生长,对单晶成品的相应参数测试表明,使用该类太阳能级单晶炉,通过炉体和热场的改进,能够实现半导体级产品的生产,可有效利用闲置设备和资源,并为今后该类型的大规模改造和生产奠定了技术基础。
- 韩焕鹏刘锋周传月李丹
- 150mm掺P硅衬底外延层的制备及性能表征被引量：8
- 2017年
- 为适应肖特基二极管降低正向导通电压和制造成本的需要,采用150mm的掺P硅抛光片为衬底,通过化学气相沉积制备高阻硅外延层。利用傅里叶变换红外线光谱、电容-电压测试等方法对外延电学参数进行了测试和分析。对平板式外延炉的流场、热场与硅外延层厚度、电阻率均匀性的关系进行了研究。在此基础上采用周期变化的气流在外延层生长前反复吹扫腔体,进一步降低了非主动掺杂的不良影响,结合优化的流场和热场条件,最终制备出表面质量优、均匀性好的外延层,满足了厚度和电阻率不均匀性都小于1.0%的目标需求。采用该外延材料制备的肖特基二极管的正向导通电压降低了17.1%,显著减小了功耗,具备了良好的应用前景。
- 李明达李普生
- 关键词：硅外延层肖特基二极管
- 铌酸锂晶片抛光的主要物理及化学因素分析被引量：1
- 2017年
- 光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整,最终制备出平整度较高、表面粗糙度较小的铌酸锂抛光片。实验结果表明,选取Suba 600抛光布、液流量3 m L/s、p H值为10、底盘转速60 r/min、压力为0.16 MPa作为抛光工艺参数可获得高平整、超光滑的铌酸锂抛光片。平面度测量仪与原子力显微镜测试结果表明,所制备LN抛光片的总厚度变化(TTV)为6.398μm,粗糙度(Ra)为0.196 nm。
- 杨静杨洪星韩焕鹏王雄龙田原范红娜张伟才
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光粗糙度
- 外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响
- 2014年
- 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在6英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长厚度11μm、电阻率1.6Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为100V肖特基二极管的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR、CV等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过对比不同过渡区结构对肖特基器件I-V特性的影响,总结出外延过渡区与肖特基二极管I-V特性的对应关系,作为材料制备的理论支撑。
- 陈涛王文林薛兵
- 关键词：硅外延片肖特基二极管过渡区I-V特性
