中国科学院合肥物质科学研究院材料物理重点实验室
- 作品数：11 被引量：33H指数：3
- 相关作者：王玉琦尹志军邱凯段铖宏钟飞更多>>
- 相关机构：中国科学院固体物理研究所上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海交通大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- Al基非晶合金泡沫材料的非晶特性与力学性能表征
- <正>利用机械合金化得到Al_(80)Ni_(10)Ti_(10)非晶合金粉末,通过真空热压法制备出了块体和多孔材料。通过XRD,DSC对其微结构及非晶特性进行了表征,并根据Kissinger线性方程和Vogel-Ful...
- 魏秀王幸福袁勇韩福生
- 文献传递
- La_(1-x)Sr_xCoO_(3-δ)体系中缺陷形成与输运过程研究被引量：6
- 2000年
- 利用碘滴定法测定了钙钛矿型复合氧化物La1-xSrxCoO3 -δ系列样品中金属元素的平均价态及氧的非化学计量值。实验发现 :La1-xSrxCoO3 -δ样品中的Co元素的平均价态随Sr掺杂量x的增加先增后减 ,室温下 ,在x =0 .5时取最大值 ,温度升高 ,最大值移至x =0 .4处。实验还发现 ,样品的电导率和 330K时的内耗峰峰高随Sr掺杂量x的变化也有类似极值 ,且极值点也分别出现在 0 .4和 0 .5左右 ,表明复合氧化物La1-xSrxCoO3 -δ中的电子传导是通过极化子进行的。对于同一Sr掺杂量的样品 。
- 刘卫张霄金鑫金鑫邓增强
- 关键词：钙钛矿导体
- 利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用
- 2007年
- 使用分子束外延(MBE)技术在(0001)面蓝宝石衬底上生长混合极性的氮化镓(GaN)薄膜,利用不同极性面的GaN薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异,混和极性样品经腐蚀处理后,得到了一层具有多孔结构的GaN层.以多孔结构的GaN作为缓冲层,用卤化物气相外延(HVPE)方法生长GaN厚膜.X射线双晶衍射和光致发光等测试结果表明,多孔结构的GaN缓冲层可以有效地释放GaN厚膜和衬底之间因热膨胀系数失配产生的应力,使GaN厚膜晶体的质量得到很大提高.
- 尹志军钟飞邱凯李新化王玉琦
- 关键词：GAN多孔应力释放
- SiC_p/LY12 铝基复合材料的阻尼行为被引量：11
- 1998年
- 研究了ＳｉＣｐ／ＬＹ１２铝基复合材料及其基体铝合金的阻尼行为，发现随温度升高，铝基复合材料的阻尼性能显著增加，优于铝合金。并且增强物含量越多，复合材料的阻尼性能越好。研究认为位错阻尼和界面阻尼是提高复合材料阻尼性能的原因。
- 张小农张荻吴人洁王灿刘长松朱震刚
- 关键词：铝基复合材料阻尼行为位错
- 原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响(英文)被引量：1
- 2008年
- 研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响.测试表明,氨气气氛下在生长温度进行的原位退火,明显提高了GaN外延膜的质量.X射线衍射(XRD)分析表明,随着原位退火时间的增加,(0002)面和(1012)面摇摆曲线的半峰宽逐渐变窄.喇曼散射谱显示样品退火后E2(high)峰位向低频区移动;随着退火时间的延长,趋向于块状GaN的峰位.可见,原位退火使GaN外延膜中的双轴应力明显减少.光致发光的测试结果与XRD和喇曼散射谱的结论一致.表明原位退火能有效提高GaN外延膜的结构和光学性能.
- 段铖宏邱凯李新化钟飞尹志军韩奇峰王玉琦
- 关键词：GAN氢化物气相外延
- 电场驱动石墨烯中等离激元诱导的光电导（英文）被引量：2
- 2015年
- 理论研究了电场驱动的石墨烯系统中等离激元诱导的光电导特性。结果发现德鲁德部分主导光电导的低频区而等离激元诱导产生一个相对较小但是在高频区可以观察到的光电导。德鲁德部分和等离激元诱导部分都位于太赫兹光频谱区。德鲁德部分随着入射光频的增加而单调的减小,而等离激元诱导的部分由于等离激元和光的耦合在大约位于1太赫兹处有一个吸收峰。此外发现等离激元诱导光电导与驱动电场以及由门电压调节的电子浓度有很强的依赖关系。结果显示,石墨烯中的光电导不仅可以通过门电压来调控,而且可以通过驱动电场得到进一步的调节。这些理论结果有助于更深入的理解石墨烯的太赫兹等离激元以及光电子学特性。
- 赵承祥徐文
- 关键词：石墨烯等离激元
- 增强物的加入对纯镁阻尼性能的影响被引量：15
- 1998年
- 制备了以纯镁为基体，以混杂碳化硅颗粒和硅酸铝短纤维为增强物的镁基复合材料，研究了其机械性能和阻尼性能。结果表明，增强物的加入提高了纯镁的强度，但同时也减小了复合材料阻尼的应变振幅效应，从而降低了其阻尼性能。研究证明此镁基复合材料的阻尼行为可按Ｇ－Ｌ位错阻尼理论解释，与纯镁一致。
- 张小农张荻吴人洁吴人洁王灿朱震刚
- 关键词：镁基复合材料位错阻尼性能
- 一维TiO2纳米材料的水热合成及光催化性能研究
- 以十六烷基三甲基溴化胺为模板剂,采用水热法在200℃下合成了一维 TiO2纳米材料,用SEM、TEM、XRD、EDS对其形貌、结构和组成进行了表征,并对其光催化性能进行了初步研究。结果表明:所制备的一维TiO2纳米材料产...
- 黄在银柴春芳孔明光
- 关键词：TIO2纳米带水热合成光催化
- 文献传递
- 藕状多孔铝的压缩变形及应力应变特征
- <正>利用圆形截面细条状易溶材料和气压渗流方法制备出了藕状多孔铝,对其孔结构特征、孔轴向和横向压缩行为进行了实验研究。该藕状多孔铝具有平行分布的孔结构,孔径及孔隙率等参数可根据设计要求在0.5～2.0mm及65%～80%...
- 厉运杰王幸福袁勇韩福生
- 文献传递
- 高孔隙率开孔多孔铝约束压缩应力应变行为
- <正>管状材料组合结构是一种常见的吸能结构,在其内部填充泡沫金属已被证明可改变管材的变形模式,从而使组合结构显示出很高的吸能本领。采用具有高孔隙率(90%)的开孔多孔铝填充壁厚约为1mm的聚乙烯管,实验考察了该组合结构轴...
- 王新福王幸福袁勇韩福生
- 文献传递
