郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
- 作品数：777 被引量：2,585H指数：20
- 相关作者：张兵临卢景霄翁永刚高金海高峰更多>>
- 相关机构：河南科技大学材料科学与工程学院河南工程学院数理科学系滨州学院物理与电子科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省科技攻关计划河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 水热法制备的PbF 2:Er3+纳米材料发光性能的研究
- 檬酸为螯合剂,醋酸铅和氟化氢铵为原材料,采用水热法合成了Er3+掺杂的PbF2纳米发光材料,研究了Er3+掺杂浓度、退火对材料晶相结构、发光性能等的影响.通过SEM、XRD和附带980nm和1560nm激光的PL光谱仪对...
- 郝秀利陈永生陈喜平周建朋王洪洪卢景霄
- 关键词：水热法发光强度
- μc-Si:H薄膜的激活能特性研究被引量：1
- 2012年
- 通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能,结果表明:在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜,晶化处于非晶-微晶相变域附近,激活能都偏低,存在氧污染问题,研究了氧污染解决途径。
- 陈庆东王俊平马国利张宇翔卢景霄
- 关键词：微晶硅激活能
- 高熵合金氮化物薄膜的研究进展被引量：3
- 2017年
- 基于多元高熵合金思想制备的高熵合金氮化物薄膜由于多种元素相互混合,易于产生高熵效应、晶格畸变效应和缓慢扩散效应,使得该新型薄膜体系形成简单的非晶结构和纳米晶结构。依赖于成分和制备工艺,多元高熵合金氮化物薄膜表现出简单的固溶体结构和优异的性能,因而在许多领域极具应用潜力。综述了高熵合金氮化物薄膜的发展概况、组织特点、性能特征、制备方法和应用前景,并对高熵合金氮化物薄膜的发展方向进行了展望。
- 任波赵瑞锋刘忠侠
- 碳纳米管和镓掺杂碳纳米管场发射性能研究被引量：6
- 2007年
- 采用催化热解方法分别制备出碳纳米管和镓掺杂碳纳米管,并利用丝网印刷工艺将其制备成纳米管薄膜．对此薄膜进行低场致电子发射测试表明,碳纳米管和镓掺杂纳米管开启电场分别为2．22和1．0V／μm,当外加电场为2．4V／μm,碳纳米管发射电流密度为400μA／cm2,镓掺杂纳米管发射电流密度为4000μA／cm2．可见镓掺杂碳纳米管的场发射性能优于同样条件下未掺杂时的碳纳米管．对镓掺杂纳米管场发射机理进行了探讨．
- 柳堃晁明举李华洋梁二军袁斌
- 关键词：碳纳米管场发射
- SrFeO_(3-x)氧脱附和吸附的热重法分析
- 2003年
- 用热分析仪研究了具有钙钛矿结构的材料 Sr Fe O3- x在 2 0 0℃～ 90 0℃温度区间氧的脱附和吸附 .等温氧吸附动力学的测量表明 ,Sr Fe O3- x在 2 0 0℃时仍然有较快的吸附速率 ,饱和吸附量随温度的降低而增大 .用多个升温速率法测量了 Sr Fe O3- x的氧脱附活化能 ,在 5 0 0℃～ 6 0 0℃温区 ,活化能约为 2 0 0 k J/
- 李国星卢红霞杨德林朱志立郭益群胡行
- 关键词：热重法钙钛矿结构氧吸附活化能复合氧化物吸附速率
- 场致电子发射阴极及其制备方法的研究
- 2009年
- 文章对石墨、金刚石、非晶碳及碳纳米管等常用场发射冷阴极材料的结构、在场发射方面的应用和发展进行了介绍和分析,认为碳纳米管是场发射冷阴极的首选材料。并结合其原理和性能对电弧放电法、脉冲激光熔蒸法、化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法等场发射阴极制备方法进行了探讨,认为等离子增强化学气相沉积法因可以实现低温原位生长而具有较好的发展趋势。
- 袁泽明高锐敏姚宁
- 关键词：场致电子发射阴极材料
- 电热法生产过共晶Al-Si合金的组织与性能研究被引量：4
- 2009年
- 对电热法生产铝硅合金配制的Al-20Si合金进行了P-RE复合变质处理,对变质后的微观组织和力学性能进行了分析。结果表明,合金经复合变质后,合金的初晶硅尺寸得到明显细化,共晶硅由长针状变为短杆状或者细小的颗粒状;其抗拉强度由182MPa提高到205MPa,提高12.6%了,其伸长率由0.22%提高到0.26%,提高了18.2%。然而与纯铝配制的过共晶铝硅合金相比,其抗拉强度和伸长率都相对较低,原因在于电热法生产铝硅合金配制的过共晶铝硅合金中Fe含量较高。
- 刘扭参李俊青刘忠侠杨瑞宾
- 关键词：过共晶铝硅合金电热法复合变质力学性能
- PECVD生长掺磷纳晶硅薄膜的电导特性研究被引量：2
- 2008年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅(nc-Si:H)薄膜和掺磷纳晶硅(nc-Si(P):H)薄膜。通过拉曼散射谱和XRD衍射谱分别研究了PH3浓度对nc-Si(P):H薄膜的晶化率(Xc)和晶格微观畸变(Ls)的影响,结果显示随着PH3浓度的增加,Xc和Ls均呈现了先增加后减小的相似趋势,暗示二者之间存在紧密的关联;利用四探针法测量了nc-Si(P):H薄膜的电导率(σ),结果表明,nc-Si(P):H薄膜的σ比nc-Si:H薄膜提高了约5个数量级,且随着PH3浓度的增大而单调增大。该变化可以从Xc、Ls的角度得到合理解释。
- 刘玉芬郜小勇刘绪伟赵剑涛卢景霄
- 关键词：晶化率电导率晶格畸变
- 钒掺杂纳米TiO_2薄膜的结构和光吸收性能被引量：31
- 2009年
- 采用磁控溅射法制备了不同V含量的纳米TiO2薄膜,利用SEM、XRD、Ram an光谱和UV-vis吸收光谱对V掺杂TiO2薄膜的表面形貌、结晶特性、晶格应力和光吸收性能进行了分析.结果表明,V掺杂可促进TiO2薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的哑铃状晶粒,且可抑制薄膜的晶格膨胀和金红石型晶粒的生成.V掺杂TiO2薄膜处于压应力状态,且应力随V含量增加而增大.V掺杂使导带底向带隙延伸,TiO2薄膜光学带隙变窄,光响应范围从紫外区红移到可见光区域,提高了薄膜对可见光的吸收率.
- 张晓勇晁明举梁二军胡帆袁斌
- 关键词：二氧化钛薄膜微观结构光吸收性能
- 第二类超导体输运临界电流密度的一个临界态模型计算
- 2000年
- 给出了第二类超导体临界电流密度随样品尺寸及外加磁场变化的一个临界态模型计算。计算中考虑了样品中混合态与迈斯纳态共存的情况。用该模型对Tl2Ba2Ca2Cu3O10样品的实验测量结果进行了模拟计算,并讨论了有关问题。
- 胡行王振峰刘清青贾瑜李新建
- 关键词：第二类超导体临界态模型临界电流密度
