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浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室

作品数:1,137 被引量:4,095H指数:28
相关作者:董伟霞吴刚袁骏张秀淼张辉更多>>
相关机构:杭州电子科技大学电子信息学院烟台大学环境与材料工程学院华北电力大学可再生能源学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 805篇期刊文章
  • 329篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇标准

领域

  • 436篇电子电信
  • 301篇一般工业技术
  • 286篇理学
  • 142篇电气工程
  • 93篇化学工程
  • 56篇金属学及工艺
  • 25篇动力工程及工...
  • 23篇机械工程
  • 11篇自动化与计算...
  • 7篇建筑科学
  • 6篇文化科学
  • 5篇冶金工程
  • 5篇医药卫生
  • 4篇轻工技术与工...
  • 4篇环境科学与工...
  • 4篇核科学技术
  • 3篇天文地球
  • 3篇历史地理
  • 2篇航空宇航科学...
  • 2篇自然科学总论

主题

  • 123篇纳米
  • 87篇电池
  • 79篇单晶
  • 78篇半导体
  • 74篇发光
  • 62篇掺杂
  • 61篇溶胶
  • 55篇溅射
  • 53篇太阳电池
  • 52篇
  • 51篇直拉硅
  • 51篇磁控
  • 51篇ZNO薄膜
  • 49篇磁控溅射
  • 48篇P型
  • 47篇光电
  • 46篇化学气相
  • 46篇化学气相沉积
  • 41篇ZNO
  • 39篇英文

机构

  • 1,137篇浙江大学
  • 29篇杭州电子科技...
  • 13篇烟台大学
  • 9篇中国科学院
  • 9篇浙江工业大学
  • 8篇中国计量学院
  • 7篇华北电力大学
  • 7篇浙江正泰太阳...
  • 6篇电子科技大学
  • 6篇南开大学
  • 6篇南昌大学
  • 6篇河北工业大学
  • 6篇上海大学
  • 6篇中国科学院上...
  • 5篇湖南大学
  • 5篇武汉科技大学
  • 5篇浙江理工大学
  • 5篇郑州大学
  • 5篇中南工业大学
  • 4篇南京航空航天...

作者

  • 255篇杨德仁
  • 203篇叶志镇
  • 124篇韩高荣
  • 112篇赵炳辉
  • 109篇阙端麟
  • 85篇马向阳
  • 80篇严密
  • 69篇季振国
  • 64篇黄靖云
  • 54篇汪雷
  • 52篇朱丽萍
  • 47篇翁文剑
  • 43篇席珍强
  • 43篇赵新兵
  • 42篇杜丕一
  • 40篇余学功
  • 38篇李东升
  • 34篇吕建国
  • 34篇张溪文
  • 25篇朱铁军

传媒

  • 97篇稀有金属材料...
  • 81篇Journa...
  • 49篇材料科学与工...
  • 47篇材料导报
  • 36篇无机材料学报
  • 30篇真空科学与技...
  • 29篇物理学报
  • 29篇材料科学与工...
  • 27篇真空科学与技...
  • 26篇太阳能学报
  • 23篇浙江大学学报...
  • 22篇功能材料
  • 15篇硅酸盐学报
  • 13篇第三届全国溶...
  • 12篇半导体技术
  • 12篇发光学报
  • 12篇半导体光电
  • 10篇第十三届全国...
  • 9篇无机化学学报
  • 9篇材料研究学报

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 4篇2021
  • 7篇2020
  • 6篇2019
  • 9篇2018
  • 11篇2017
  • 32篇2016
  • 31篇2015
  • 35篇2014
  • 47篇2013
  • 65篇2012
  • 48篇2011
  • 45篇2010
  • 32篇2009
  • 57篇2008
  • 62篇2007
  • 87篇2006
  • 85篇2005
1,137 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅片表面多孔结构降低光反射率的研究
晶体硅太阳电池目前是最主要的太阳电池类型,占据80%以上的市场份额.但是其进一步的推广应用还需降低成本和提高转换效率.光吸收效率是制约电池效率的重要因素,制备高效晶体硅太阳电池必须降低硅片受光面的反射率,将硅片表面制成绒...
汪雷唐勋张军娜王明昂杨德仁
关键词:多孔硅反射率晶体硅
硅基GaN外延层的光致发光谱被引量:11
1999年
报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ga N 外延层,并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ga N 外延层的发光特性产生影响。 Si(111) 衬底比 Si(100) 衬底更有利于 Ga N 外延层的单色发光。退火使 Ga N 外延层的发光强度降低。在1 050 ℃下生长的 Ga N 外延层的发光强度高于其他温度下生长的 Ga N
张昊翔叶志镇卢焕明赵炳辉
关键词:半导体材料氮化镓光致发光外延层
脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上生长高c轴取向LiNbO_3薄膜被引量:1
2005年
在氧压20Pa,衬底温度600℃,靶材与衬底距离4cm的最优化条件下,利用脉冲激光沉积(PLD)技术首次在无诱导电压和任何缓冲层的情况下,在单晶Si(111)衬底上生长具有优良结晶品质和高c轴取向的LiNbO3晶体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对LiNbO3薄膜的结晶品质,择优取向性以及表面形貌进行了系统的分析。结果表明生长出了具有优异晶体质量的c轴取向LiNbO3薄膜,表面光滑平整且无裂纹产生,表面粗糙度约4.8nm,有利于硅基光电子器件的制备和利用。
曹亮亮叶志镇王新昌赵炳辉
关键词:LINBO3SI(111)C轴取向脉冲激光沉积
层流层对掺镓铸造多晶硅锭电阻率分布的影响
硼掺杂硅锭光致衰减的机理镓掺杂硅锭有效抑制光致衰减原子半径较小的B原子更易于吸引硅中的间隙氧原子,形成BsO2i;镓原子半径较大,与双氧不能形成稳定的镓氧复合体不同硅锭光照下的少子寿命衰减过程。
倪鹏
PECVD法在阳极氧化铝模板中制备硅纳米线
硅集成电路的应用改变了当今世界的面貌,但传统硅材料是间接带隙半导体难以实现硅基光电集成。近年来的研究发现由于纳米材料的量于限制效应,使得材料的能带结构发生变化,有可能实现高效率的硅基发光。纳米碳管的发现引发人们对一维纳米...
王昕韩高荣
文献传递
太阳能电池材料CuInS_2的研究现状被引量:25
2002年
综述了CuInS_2太阳能电池的研究现状,介绍了CuInS_2材料的结构性质、光学性质、电学性质及制备方法,讨论了Na与Ga对其性质的影响,并提出了目前存在的问题及其发展趋势。
汤会香严密张辉杨德仁
关键词:太阳电池化合物半导体
Co离子的添加对低温共烧NiCuZn铁氧体性能的影响
本文主要研究了不同含量的Co离子对低温共烧NiCuZn铁氧体的频率特性和温度特性的影响.样品采取传统陶瓷工艺制备,采用缺铁配方,其成分分子式为:(Ni<,0.265-x>Zn<,0.511>Cu<,0.224> Co<,...
胡军包大新任旭余严密
关键词:NICUZN铁氧体低温共烧
文献传递
高精度X射线双晶衍射仪的原理及其应用被引量:6
1997年
本文介绍了X射线双晶衍射仪的特点及其原理,以及利用X射线摇摆曲线技术在半导体材料研究方面的应用。
卢焕明赵轶叶志镇
关键词:双晶衍射摇摆曲线超晶格X射线
EDTA和NH_4Cl添加剂对氯化胆碱基离子液体中电沉积Zn-Ni薄膜的影响(英文)被引量:2
2015年
在低共熔溶剂中添加乙二胺四乙酸(EDTA)和氯化铵2种添加剂电沉积制备Zn-Ni合金镀层。研究添加剂对合金电沉积行为、成分、形貌和腐蚀性能的影响。循环伏安测试表明,EDTA的加入可以促进Zn进入Zn-Ni镀层中,而氯化铵起抑制Zn还原的作用。随着EDTA含量的增加,镀层中的Zn含量增加,但镀层的晶粒尺寸和电流效率降低。氯化铵浓度的增大能够有效地降低镀层的晶粒尺寸和Zn的含量,提高阴极电流效率。腐蚀实验表明,从含有氯化铵的镀液中得到的Zn-Ni镀层比从含有EDTA的镀液中得到的镀层具有更高的耐腐蚀性能。此外,添加剂的加入提高了镀层的耐腐蚀性能。
S.FASHU谷长栋谷长栋黄美玲王秀丽涂江平
关键词:添加剂
含Mg的TiO_2纳米点薄膜的制备及蛋白吸附性能
2014年
通过改变Mg先驱体加入量,形成含Mg离子5 mol%和10 mol%(相对于Ti)的TiO2溶胶。根据分相自组装原理,采用旋涂法和500℃热处理,制备出含Mg的TiO2纳米点薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、BCA试剂盒等测试手段对薄膜形貌和结构进行了分析,并对薄膜的蛋白吸附能力进行了评价。结果表明,Mg离子的加入,不影响分相自组装过程,能形成含Mg的TiO2纳米点薄膜;Mg离子在纳米点表面层富集;Mg离子的释放是改变蛋白吸附能力的可能原因,由Mg离子含量为5 mol%溶胶形成的纳米点薄膜呈现蛋白吸附能力提高。
何蒙程逵翁文剑林军王慧明
关键词:蛋白吸附
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