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四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室

作品数:66 被引量:112H指数:6
相关作者:邬齐荣陈畅庞世甫王静丁元力更多>>
相关机构:电子科技大学微电子与固体电子学院中国科学技术大学物理学院近代物理系中国科学技术大学物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目国家大学生创新性实验计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

文献类型

  • 66篇中文期刊文章

领域

  • 42篇电子电信
  • 17篇理学
  • 7篇自动化与计算...
  • 5篇机械工程
  • 2篇医药卫生
  • 1篇经济管理
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 13篇电路
  • 6篇光谱
  • 5篇带隙基准
  • 5篇退火
  • 5篇红外
  • 4篇发光
  • 4篇放大器
  • 4篇CMOS
  • 3篇电路设计
  • 3篇电源抑制
  • 3篇电源抑制比
  • 3篇调制器
  • 3篇抑制比
  • 3篇运算放大器
  • 3篇转换器
  • 3篇温度系数
  • 3篇纳米
  • 3篇拉曼
  • 3篇共模
  • 3篇共模反馈

机构

  • 66篇四川大学
  • 4篇电子科技大学
  • 4篇四川大学华西...
  • 4篇华微电子系统...
  • 3篇中国科学院微...
  • 3篇重庆光电技术...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇重庆邮电大学
  • 2篇四川邮电职业...
  • 2篇杭州中科微电...
  • 2篇四川凯路威电...
  • 1篇成都理工大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇香港大学
  • 1篇中国科学院光...

作者

  • 55篇龚敏
  • 15篇邬齐荣
  • 10篇杨治美
  • 9篇高博
  • 8篇孙小松
  • 7篇马瑶
  • 6篇王继安
  • 6篇石瑞英
  • 5篇庞世甫
  • 5篇陈昶
  • 5篇陈畅
  • 4篇刘俊刚
  • 3篇张云森
  • 3篇晋勇
  • 3篇余洲
  • 3篇袁菁
  • 3篇王国裕
  • 3篇王丽
  • 3篇魏蔚
  • 3篇钟志亲

传媒

  • 12篇光散射学报
  • 12篇电子与封装
  • 9篇四川大学学报...
  • 6篇现代电子技术
  • 5篇半导体光电
  • 3篇电子器件
  • 2篇电子技术应用
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇计算机与数字...
  • 2篇微计算机信息
  • 2篇微处理机
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子测量技术
  • 1篇电视技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇广播电视信息
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇实验室科学

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 11篇2011
  • 12篇2010
  • 10篇2009
  • 3篇2008
  • 13篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
66 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于OTP的一次性电子钱包RFID卡被引量:1
2009年
结合低成本的OTP存储器,提出了一次性电子钱包的概念,并提出一次性电子钱包中面额的表示方法,电子钱包中扣钱包的实现流程和读钱包的实现流程。在14443 TypeA协议下实现了该一次性电子钱包RFID卡,指令和加密方法与市面通用S50相兼容。
刘敬术刘俊伟王兼明龚敏
汽车智能雨刮器专用控制芯片被引量:1
2011年
针对目前汽车电子市场上专用集成电路的低使用率和良好前景,设计了一款应用于汽车智能雨刮器控制系统的专用集成电路控制芯片。控制芯片对车速信息和红外传感器采集的雨量信息进行综合处理,从而控制雨刮器工作在高速和间歇两个状态。其中,车速因子的引入有效增强了系统对雨刮器工作状态控制的合理性及准确性。芯片采用华润上华0.5μm CMOS DPTM数模混合电路工艺,具有面积小、成本低、功耗低、可靠性高等特点,是一款具有知识产权的高性价比芯片,在交通运输领域有着广泛的应用前景。
任德强邬齐荣龚敏
关键词:专用集成电路
标准单元可制造性分级
2008年
随着制造工艺尺寸的缩小,可制造性不只是工厂需要关注的问题,更是设计者需要考虑的重点,从而提高良率和版图面积的利用率。为了使设计者更好地理解和控制可制造性,对标准单元的可制造性分级显得尤为重要。用加权重的方法对标准单元进行可制造性分级,该方法不但包含可制造性规则对版图的约束,还创新性地把工艺参数变化对其造成的影响考虑了进去。用一套简化的可制造性规则和版图来演示此种分级方法的实现,并用模拟结果验证了它的有效性。该分级方法具有统一性和标准性,可以被广泛采用。
张子文龚敏陈岚
关键词:可制造性光刻模拟
3C-SiC薄膜反向外延生长工艺的研究被引量:2
2015年
本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RAM)及扫描电子显微镜(SEM)对生长的3C-SiC薄膜进行测试和分析。对比在相同的反应温度下,不同的热处理方式对生长的3C-SiC薄膜质量的影响,进一步探讨SiC薄膜反向外延生长工艺的改进方法。结果表明,较慢的降温速率能够生长出质量较高的3C-SiC薄膜。
罗杰斯王磊杨治美龚敏
关键词:硅衬底
基于ISO/IEC15693协议具有DES加密功能的RFID设计
2009年
基于15693协议的RFID卡目前已经广泛地应用于各个领域,但其没有采用加密方法,在通讯过程中使用明文通讯,因此具有一定的安全隐患,通过设计采用DES(数据加密标准)与随机数相结合的方法对数据进行加密,提高了通讯过程中数据的安全性。
刘俊伟刘敬术王兼明龚敏
关键词:随机数DESRFID
深能级瞬态谱仪样品台系统的改进
2021年
深能级瞬态谱仪能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态,经过全面的数据分析,可以确定杂质和缺陷的类型、含量、陷阱密度、随深度的分布、陷阱上载流子的激活能以及陷阱中心对自由载流子的俘获截面信息等。在使用过程中存在温度控制不理想、样品架不稳定两大问题。通过对深能级瞬态谱仪样品台系统的相关部分进行改进和改造,解决了上述问题,提高了实验的准确度,提高了实验效率,拓宽了测试样品的种类。
李芸马瑶杨治美赖力黄铭敏
关键词:实验仪器
CMOS数控振荡器设计
2010年
设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-Controlled Oscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronics CMOS 90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz~6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW~3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。
周国飞龚敏邬齐荣
关键词:CMOS反相器环形振荡器
高温高压固态复分解反应法生长氮化镓的应变性质研究被引量:1
2011年
本文采用高温高压下固态复分解反应法生长氮化镓。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、激光拉曼光谱仪对其进行分析,结果表明生成了六角纤锌矿结构的氮化镓晶体。该样品在宏观上受到了张应力的作用,退火后,宏观的应变状态由张应变向压应变转变;晶体微观应力减小,晶粒尺寸变大,晶体质量变好。
马瑶龚敏马欢贺端威
关键词:氮化镓X射线衍射拉曼光谱应力退火
一种用于采保电路的宽带高增益放大器的设计
2007年
分析了跨导运算放大器的电路结构,采用两级放大电路,考虑到全差分结构中要使用共模反馈,用共源共基和共源共栅电路来实现电路的设计。同时对部分性能指标进行了优化,其中包括增益非线性引入的误差和不完全建立误差。设计了一种宽带高增益跨导放大器,利用0.35μm Bi CMOS工艺条件下,Spectre仿真得到运算放大器的开环增益大于60 dB,单位增益带宽可达2.1 GHz,输出摆幅能达到1.5 V。
庞世甫王继安张冰李汇李崴龚敏
关键词:运算放大器共源共栅共模反馈
自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究被引量:5
2009年
用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌。用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强。对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论。
李智伟陈浩宋华冰余洲杨治美高艳丽张云森刘俊刚龚敏孙小松
关键词:多孔硅光致发光光谱扫描电镜发光机理
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