南开大学信息技术科学学院天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
- 作品数：129 被引量：345H指数：9
- 相关作者：李凤岩李统福王颖柴海峰孙鹏飞更多>>
- 相关机构：天津大学精密仪器与光电子工程学院光电信息技术科学教育部重点实验室天津大学精密仪器与光电子工程学院河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学动力工程及工程热物理更多>>
- Z源逆变器的直通零矢量控制策略的研究
- 2013年
- 针对离网型的Z源逆变器提出了一种利用直通零矢量对Z源电容电压进行闭环控制方案.介绍了Z源逆变器的概念,并在此基础上介绍了利用直通零矢量对Z源电容电压进行闭环控制的原理,同时给出了完整的控制框图与PI参数的整定方法.仿真结果表明了控制方法的正确性与有效性.
- 程如岐赵庚申赵耀郭天勇赵二刚
- 关键词：Z源逆变器直通零矢量PI
- Cu含量对三步共蒸发法制备的Cu(In1-x,Cax)Se2薄膜材料结构及电学特性的影响
- Cu/(In+Ga)(Cu/Ⅲ)对Cu(In1-x,Cax)Se2(CIGS)薄膜材料结构和电学性能有很大影响,同时也是影响器件性能的重要因素.本文采用“三步共蒸发”工艺在覆有金属钼(Mo)层的钠钙玻璃上制备多晶CIGS...
- 葛阳张晓丹许盛之张力孙顶贺瑞霞陈泽王宁魏长春赵颖
- 关键词：电学性能
- 文献传递
- Cu(In_(1-x)Ga_x)Se_2薄膜太阳电池的J-V特性
- 2007年
- 对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)太阳电池J-V特性曲线进行了测试和分析,采用Matlab软件进行计算,得到电池的二极管品质因子、反向饱和电流密度、串联电阻、并联电阻等特性参数.采用数值逼近法,将得到的参数回归J-V方程,与测试结果符合较好.对不同光照强度下电池的特性参数进行计算,发现并联电阻随光照强度增加而降低,并分析了原因.
- 何炜瑜孙云乔在祥敖建平王兴磊李长健
- 关键词：太阳电池并联电阻弱光
- 薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究被引量：6
- 2011年
- 阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。
- 陈新亮王斐闫聪博李林娜林泉倪牮张晓丹耿新华赵颖
- 关键词：镀膜技术缓冲层梯度掺杂薄膜太阳电池
- Ar等离子体刻蚀绒面结构ZnO:B-TCO薄膜研究
- MOCVD生长的掺硼氧化锌(ZnO:B)透明导电薄膜,具有天然的“类金字塔”绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的“陷光”作用.本文采用Ar等离子体轰击薄膜表面,使其形貌得到改善,“类金字塔”形貌的尖峰在Ar等...
- 赵慧旭陈新亮白立沙陈泽赵颖张晓丹
- 关键词：氩等离子体刻蚀工艺
- 文献传递
- 梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO薄膜及其性能研究
- 为提高MOCVD-ZnO-TCO 薄膜的光散射能力和在近红外区域的透过率，本研究小组提出新的工艺技术—“梯度掺杂”技术，即根据不同掺杂量下ZnO:B 薄膜的性能差异，在薄膜生长的不同时间内采用不同的掺杂量，实现对ZnO:...
- 闫聪博陈新亮张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖耿新华
- 关键词：薄膜太阳电池表面特性光电特性
- 反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响被引量：7
- 2007年
- 研究了反应压力对金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子镜(SEM)的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜(002)择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的(110)峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性。200Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的"类金字塔"状绒面结构,电阻率为1.28×10-2Ω.cm。实验中沉积的ZnO薄膜在600～2600nm内平均透过率超过80%,而短波长范围由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透过率有所下降。
- 陈新亮薛俊明张德坤孙健任慧志赵颖耿新华
- 关键词：ZNO薄膜
- 微晶硅薄膜的制备及结构和稳定性研究被引量：9
- 2005年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅里叶变换红外吸收和二次离子质谱测试结果都显示薄膜中氧含量随衬底温度的升高而增加(在1019cm-3量级);与高衬底温度相比,低衬底温度制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好.
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：微晶硅薄膜衬底温度等离子体增强二次离子质谱后氧化
- N型微晶硅氧薄膜的纵向生长及其太阳电池研究
- 研究了采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备的N型微晶硅氧薄膜的纵向均匀性.喇曼测试结果显示:微晶硅氧薄膜存在着生长结构的纵向不均匀,生长初期存在一定的非晶孵化层,随着厚度的增加材料的晶化率逐渐增大,最后趋于稳定.在薄...
- 顾龙杨恢东倪牮赵颖张晓丹
- 关键词：射频技术
- 微纳复合结构硅异质结太阳电池的研究
- 本研究通过溅射Ag薄膜及热退火处理实现尺寸随机分布的Ag纳米颗粒自组装，而后采用干法刻蚀工艺获得微纳复合结构，具有明显的陷光增强效果。基于该结构制备硅异质结太阳电池的开路电压为611mV,转换效率为16.3％。
- 王奉友姜元建李天天杜荣池魏长春张德坤孙建赵颖张晓丹
- 关键词：硅太阳电池开路电压
