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电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室

作品数：2,482 被引量：4,799H指数：19
相关作者：李言荣杨谟华邓宏彭斌李威更多>>
相关机构：四川师范大学物理与电子工程学院成都信息工程大学通信工程学院成都信息工程大学光电技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,878篇期刊文章
  • 586篇会议论文

领域

  • 1,264篇电子电信
  • 489篇一般工业技术
  • 474篇电气工程
  • 313篇理学
  • 132篇自动化与计算...
  • 118篇化学工程
  • 40篇机械工程
  • 19篇金属学及工艺
  • 11篇航空宇航科学...
  • 9篇文化科学
  • 8篇轻工技术与工...
  • 7篇自然科学总论
  • 6篇交通运输工程
  • 6篇环境科学与工...
  • 5篇经济管理
  • 5篇天文地球
  • 3篇冶金工程
  • 3篇医药卫生
  • 2篇建筑科学
  • 2篇水利工程

主题

  • 215篇电路
  • 144篇铁氧体
  • 125篇介电
  • 121篇陶瓷
  • 114篇溅射
  • 93篇电性能
  • 90篇磁控
  • 89篇磁控溅射
  • 80篇磁性能
  • 78篇介电性
  • 78篇传感
  • 77篇介电性能
  • 77篇感器
  • 77篇传感器
  • 76篇纳米
  • 74篇变换器
  • 71篇晶体管
  • 69篇发光
  • 56篇电阻
  • 54篇电致发光

机构

  • 2,464篇电子科技大学
  • 29篇成都信息工程...
  • 25篇中国电子科技...
  • 16篇四川师范大学
  • 16篇中国电子科技...
  • 13篇电子科技大学...
  • 12篇华微电子系统...
  • 11篇西安交通大学
  • 11篇中国科学院
  • 10篇四川大学
  • 10篇中国工程物理...
  • 10篇中国电子科技...
  • 10篇成都工业学院
  • 9篇攀枝花学院
  • 9篇东莞电子科技...
  • 8篇福州大学
  • 8篇西南石油大学
  • 8篇中国人民解放...
  • 8篇东莞电子科技...
  • 8篇乳源东阳光磁...

作者

  • 287篇蒋亚东
  • 197篇张波
  • 176篇张怀武
  • 127篇张树人
  • 106篇张万里
  • 86篇罗萍
  • 76篇李言荣
  • 75篇兰中文
  • 72篇于军胜
  • 69篇余忠
  • 65篇李平
  • 65篇吴志明
  • 60篇张继华
  • 55篇杨传仁
  • 54篇陈宏伟
  • 54篇明鑫
  • 53篇张国俊
  • 48篇杨成韬
  • 48篇蒋洪川
  • 48篇陶伯万

传媒

  • 248篇微电子学
  • 175篇压电与声光
  • 170篇电子元件与材...
  • 117篇磁性材料及器...
  • 80篇功能材料
  • 69篇四川省电子学...
  • 66篇材料导报
  • 51篇物理学报
  • 51篇2009四川...
  • 44篇电子与封装
  • 39篇电子科技大学...
  • 32篇微电子学与计...
  • 31篇半导体光电
  • 27篇稀有金属材料...
  • 27篇四川省电子学...
  • 26篇光电子．激光
  • 23篇四川省电子学...
  • 22篇材料导报（纳...
  • 22篇真空科学与技...
  • 19篇红外技术

年份

  • 2篇2024
  • 23篇2023
  • 40篇2022
  • 42篇2021
  • 67篇2020
  • 62篇2019
  • 53篇2018
  • 57篇2017
  • 70篇2016
  • 123篇2015
  • 179篇2014
  • 186篇2013
  • 229篇2012
  • 255篇2011
  • 259篇2010
  • 267篇2009
  • 270篇2008
  • 224篇2007
  • 56篇2006
共 2,482 条 记 录，以下是 1-10
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一种固定截止时间的开关电源控制器
文中提出了一种固定截至时间的开关电源控制器,可工作于断续和连续两种模式下,通过脉宽和频率的共同调制来调整对负载输出,同时通过限定最小导通时间来限制最大工作频率.仿真结果表明,该控制器的供电电压,输出纹波小,工作在连续模式...
吴明进李泽宏张仁辉曾智刘广涛蒋汇黄斌
关键词：开关电源控制器
文献传递
一种具有抗单粒子烧毁能力的终端结构
本文提出一种具有抗单粒子烧毁(Singer Event Burnout,SEB)能力的终端结构,本结构是在完成200V P-channel抗辐照VDMOS项目基础上进行的,借助仿真软件,通过对传统终端结构和本文所提带有S...
吴玉舟李泽宏张金平任敏张波
关键词：航天电子设备场效应晶体管终端结构
文献传递
一种过温保护电路的设计
本文提出一种过温保护电路。由于在功率管工作过程中，比较容易耐高的反向电压，导致结温上升：而半导体器件的自然散热一般不足以保护器件本身，所以我们需要设计过温保护电路来防止器件的烧毁。在本次设计中，使用了一个放大器对三极管的...
卫喆
关键词：功率器件反向电压过温保护保护电路电路设计
文献传递
ICP干法刻蚀GaAs背孔工艺研究被引量：6
2015年
采用金属Ni作为掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对Ga As HEMT背孔工艺进行研究。本文详细研究了ICP功率、反应室压强、Cl2/BCl3流量比以及RF功率对刻蚀速率、刻蚀形貌以及"长草"效应的影响。实验结果表明:刻蚀速率随ICP功率、Cl2/BCl3流量、RF功率的增加而增加,但随反应室压强的增加,刻蚀速率先增加后降低;相同RF功率条件下,背孔陡直性受ICP功率、反应室压强以及刻蚀气体流量比的影响十分明显;而RF功率则对背孔"长草"效应有较大影响。通过优化刻蚀条件,在ICP功率为500 W,反应室压强为0.4 Pa,Cl2/BCl3流量为20/5 m L/min,RF功率为120 W的刻蚀条件下,刻蚀背孔陡直性好,侧壁平滑,底部平整,刻蚀速率达到3μm/min。
周佳辉常虎东张旭芳徐文俊李琦李思敏何志毅刘洪刚李海鸥
关键词：感应耦合等离子体GAAS
溶胶-凝胶法制备钡钕钛薄膜及其介电性能研究
2015年
采用溶胶-凝胶法在Si(111)和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Ba4Nd9.33Ti18O54(BNT)介质薄膜,采用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明当薄膜在950℃下退火2h后具有较好结晶质量的钨青铜结构,所得到的薄膜表面较为疏松;通过掺入质量分数为2%B2O3-2SiO2,可进一步将BNT薄膜的晶化温度降至900℃,且结构致密。介电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜的介电常数为45,介电损耗为1.1%,30V偏压下漏电流密度为4.13×10-6 A/cm2。
朱伟欣许绍俊张瑶杨成韬杨翼晞周冬
关键词：晶化温度
MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19))薄膜的制备与性能研究被引量：1
2010年
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°。扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状。振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好。
丁关凤朱俊王水力张菲罗文博
流延工艺对生瓷带结构和微波特性的影响被引量：3
2018年
基于低温共烧陶瓷技术流延工艺的特点,通过研究粘合剂、分散剂和增塑剂等在浆料体系中的力学效应对生瓷带中陶瓷成分颗粒的几何排列及所产生的孔隙排斥等力学特性的影响,以及优化热处理温度对生瓷带的质量损失、延展率和拉伸强度的关系,深入分析了流延过程的关键技术及工艺参数对生瓷带结构和微波特性的影响。研究后提出:通过调整流延浆化浆料中粘合剂、分散剂和增塑剂配比,采用梯度缓变的热处理烘干温度曲线和消除生瓷带累积应力等方法,可明显改善流延工艺过程,最终获得质量稳定、可靠性高和功能满足于微波应用要求的生瓷带。
徐自强孙洋涛李元勋吴孟强杨邦朝
关键词：流延低温共烧陶瓷微波性能粘度
溶胶凝胶法制备Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的结构与性能研究
采用以聚乙烯醇为溶剂的溶胶-凝胶法制备出ZnCoO(x=0.08,0.10,0.12)稀磁半导体薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、振动样品磁强计(VSM)和X射线光电子能谱仪(XP...
赵德友徐光亮张磊魏贤华彭龙刘桂香
文献传递
退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响被引量：4
2011年
采用射频反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射(XRD)、X线光电子能谱(XPS)分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响。结果表明,随着退火温度的上升,薄膜的择优取向及取向一致性更好,晶化程度增高,晶粒尺寸变大。退火使更多的Zn间隙原子回到晶格位置,并弥补薄膜中氧的不足,且高温退火易引起氧的解析,三者相互作用使晶面间距随着退火温度的上升而逐渐变小,压应力变大,ZnO中的O含量逐渐减少,Zn/O的原子比逐渐接近于1。
解群眺毛世平薛守迪
关键词：ZNO薄膜退火温度
磁集成技术在有源箝位正激变换器中的应用
本文旨在通过基于磁集成技术的有源箝位正激变换器中变压器和电感的集成，以此来缩小变换器的体积，提高功率密度，并结合低频电磁场仿真工具Maxwell2D/3D对计算结果进行仿真验证，经参数优化后得出合理的设计方案。
朱海石玉孙兵
关键词：集成磁件磁通密度正激变换器
文献传递
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