绍兴文理学院数理信息学院光电材料研究所
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 相关作者：陈中平杨爱国更多>>
- 相关机构：浙江师范大学数理与信息工程学院南开大学物理学院西华师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省科技厅新苗人才计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si纳米线及其器件研究进展
- 2009年
- Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分析各种方法制备纳米线的优缺点。还介绍了Si纳米线所制备纳米器件的电学、电子输运等特性,说明了掺硼、掺磷纳米线分别具有p型、n型半导体特征。最后介绍了Si纳米线在电子器件、纳米线电池、传感器方面的相关应用。
- 宋经纬周祥谌家军马锡英
- 关键词：SI纳米线电学特性
- 表面等离激元共振生物传感分析及应用
- 2004年
- 基于物理中发生在金属表面的表面等离激元现象 ,阐述表面等离激元共振生物传感分析原理 ;进而建立表面等离激元共振生物传感成像。给出应用表面等离激元共振研究生物单元相互作用的实例。
- 刘昶时施维林
- 关键词：生物传感相互作用
- Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展被引量：1
- 2009年
- 介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。
- 王醉马锡英宋经纬陈中平杨爱国姚江宏
- 关键词：半导体纳米晶体掺杂光电特性
- 纳米ZnO薄膜的热蒸发法制备及其光电特性研究被引量：2
- 2010年
- 以醋酸锌为原料、O/Ar的混合气体为携载气体,在500℃的温度下应用热蒸发法在p型Si基片上生长纳米ZnO薄膜,并研究了其形貌、结构和光电特性。X-射线(XRD)衍射结果显示所制备ZnO纳米晶体呈六角纤锌矿结构;扫描电子显微镜(SEM)观察发现生长的ZnO薄膜平整均匀,纳米晶体颗粒平均尺寸为25nm。应用紫外-可见光吸收谱分析了其吸收特性,发现该ZnO薄膜在紫外波段具有很强的吸收,其吸收边位于320nm处。由于量子限制效应,与体材料相比,该吸收边存在明显的蓝移。应用光致发光谱(PL)研究了其发光特性,发现该ZnO薄膜在近紫外以及蓝-绿光波段具有强烈的受激发射。最后,还研究了ZnO薄膜的电容-电压(C-V)特性。
- 楼曹鑫马锡英黄仕华王丽伟
- 关键词：热蒸发法ZNO薄膜光致发光SEM
- 一维光子晶体的光子带隙研究被引量：2
- 2005年
- 通过改变一维光子晶体的周期排列常数、两种介质的折射率比观察了电磁波在光子晶体中的 光子带隙(PBG)行为．当两种介质的排列周期常数a:b=1:1和1:2时,发现光子晶体在可见光区存在 一个很宽的频率截止带,即光子带隙区．另外,当两种介质的介电常数比εa:εb小于1:5,在可见光区 无光子带隙存在;而当该比率大于1:5时则出现一个很宽的光子带隙．说明两种介质的介电常数比对 光子带隙的影响很大,该比例越大,越容易获得光子带隙．
- 马锡英
- 关键词：光子带隙介电常数
