厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心
- 作品数：81 被引量：113H指数：6
- 相关作者：李成赖虹凯黄巍张永徐剑芳更多>>
- 相关机构：中国科学院半导体研究所集美大学诚毅学院华侨大学工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 利用低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量的锗材料
- 提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm，XR...
- 陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：应变超晶格
- ZnO中Li相关缺陷结构性质被引量：5
- 2006年
- 采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级。进一步通过构造L i替Zn位L iZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与L iZn形成比L i间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷。
- 徐群和康俊勇
- 关键词：ZNO本征缺陷第一性原理计算
- Ge/Si（100）量子点生长与形态分布的研究
- ＜正＞在 S—K模式下自组装生长的 Ge 量子点具有随机分布的特点,很难达到器件的应用要求,制备有序性的 Ge 量子点成为提高器件性能的关键。本文利用超高真空化学气相淀积（UHV—CVD）系统, 通过控制淀积量、温度、流...
- 周志玉王钰周志文李成陈松岩余金中赖虹凯
- 文献传递
- GaN基蓝绿光LED电应力老化分析被引量：1
- 2013年
- 对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60 mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大~9%;而在较大测量电流(20 mA)下,两者的光衰减幅度基本相同(18%)。同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化机制,绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为,而并非贡献于非辐射复合中心。在此基础上对GaN基外延结构进行了优化,优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3%。
- 李志明潘书万陈松岩
- 关键词：氮化镓光衰减
- SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制被引量：7
- 2010年
- 研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器。采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生长探测器材料。测试表明,器件的暗电流主要来源于表面漏电流,暗电流密度随着尺寸的增加而减小,在2V偏压时暗电流密度可达17.2mA/cm2;器件在波长1.31μm处的响应度高达0.22A/W,对应量子效率为20.8%。无偏压时,器件的响应光谱在1.2～1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分别位于1.25、1.35、1.45和1.55μm左右,峰值半高宽约为50nm,共振增强效应是由SOI衬底的高反射率引起的。采用传输矩阵法模拟的响应光谱与实验测量结果吻合良好。
- 周志文贺敬凯王瑞春李成余金中
- 关键词：光电探测器
- 硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长被引量：4
- 2012年
- 利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为273″,表面均方根粗糙度为0.24 nm,位错密度约为1.5×10~6cm^2.在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm.表明生长的Si基Ge材料具有良好的结晶质量,可望在Si基光电子器件中得到应用.
- 陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：UHV/CVD光致发光谱
- 利用金属过渡层低温键合硅晶片被引量：6
- 2007年
- 在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度.
- 张小英陈松岩赖虹凯李成余金中
- 关键词：硅片键合
- 基于直接带跃迁的n型掺杂张应变Ge的发光性质
- Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争，计算了n型掺杂张应变Ge材料直接...
- 黄诗浩李成陈城钊郑元宇陈松岩赖虹凯
- 关键词：量子效率光增益
- 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征被引量：2
- 2007年
- SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制.
- 蔡坤煌张永李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：位错
- 高性能SOI基GePIN波导光电探测器的制备及特性研究被引量：3
- 2017年
- 本文报道了在SOI衬底上外延高质量单晶Ge薄膜并制备高性能不同尺寸Ge PIN波导光电探测器.通过采用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼散射光谱表征外延Ge薄膜的表面形貌、晶体质量以及应变参数,结果显示外延Ge薄膜中存在约0.2%左右的张应变,且表面平整,粗糙度为1.12 nm.此外,通过暗电流、光响应度以及3 dB带宽的测试来研究波导探测器的性能,结果表明尺寸为4μm×20μm波导探测器在-1 V的反向偏压下暗电流密度低至75 mA/cm^2,在1.55μm波长处的响应度为0.58 A/W,在-2 V的反向偏压下的3 dB带宽为5.5 GHz.
- 王尘许怡红李成林海军
- 关键词：锗波导光电探测器
