上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系
- 作品数：205 被引量：813H指数：14
- 相关作者：沈思情郁芳吴智华姚渊晏刚更多>>
- 相关机构：中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海技术物理研究所复旦大学分析测试中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市教委科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件研究被引量：14
- 1997年
- 研制了以四元系组分ＰＭＮＰＴＰＦＮＰＣＷ陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件，对陶瓷厚膜的制备条件和制得的厚膜与器件的发光性能的关系进行了详细的研究。特别对基片要求和印刷烧制等工艺进行了探讨。
- 刘祖刚赵伟明唐春玖沈鸿亮蒋雪茵张志林许少鸿
- 关键词：陶瓷厚膜绝缘层陶瓷电致发光器件
- 钙钛矿太阳电池吸收层薄膜材料光致发光的研究
- 我们采用一步旋涂法制备出CH3NH3I钙钛矿薄膜吸收层材料[1]。XRD结果表明,我们所制备的钙钛矿薄膜结晶性能良好,具有(220)择优取向(图1)。我们对钙钛矿薄膜进行了光致发光的研究。通过405 nm激光器泵浦钙钛矿...
- 徐飞曹汝楠马忠权徐闰陈丹丹吴杨琳
- 关键词：钙钛矿光致发光
- 文献传递
- In_2O_3纳米棒的制备与表征被引量：3
- 2005年
- 以非离子表面活性剂作为形貌控制剂,采用溶胶-凝胶法制备In2O3纳米棒前驱物,经500℃煅烧1h,成功制备了长约120nm,直径20nm的In2O3纳米棒.根据综合热分析(TG-DSC)结果,前驱体是In(OH)3部分脱水的In2O(OH)4干凝胶;计算表面活性剂分子的几何排列参数P在1/3～1/2之间,确定体系形成的是棒状胶团,并对其影响因素和机理进行了讨论.
- 程知萱董向兵潘庆谊董晓雯张建成
- 关键词：纳米棒IN2O3溶胶-凝胶法
- MPCVD金刚石薄膜的红外椭偏光学性能研究
- 2010年
- 椭圆偏振光谱法是一种非破坏性光谱技术。为了获得微波等离子体化学汽相沉积(MPCVD)金刚石薄膜的最佳沉积条件,用红外椭圆偏振光谱仪对MPCVD金刚石薄膜的红外光学性能进行了表征测量,并分析了衬底温度和反应室的压强对金刚石薄膜的红外光学性质的影响。当甲烷浓度不变,衬底温度为750℃,反应室的压强为4.0kPa时,金刚石膜的红外椭偏光学性质达到最佳,其折射率的平均值为2.393。研究结果表明,金刚石薄膜的光学性能与薄膜质量密切相关,同时也获得了最佳的金刚石薄膜工艺条件。
- 苏青峰李东敏史伟民王林军夏义本
- 关键词：光学性能折射率金刚石薄膜
- PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷
- 2014年
- 详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间。利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是V2-Cd和A中心(In+Cd-V2-Cd)-。
- 滕家琪闵嘉华梁小燕周捷张涛时彬彬杨升曾李骄开
- 关键词：PICTSCDZNTE深能级
- 室温下金刚石薄膜上沉积立方氮化硼薄膜的研究被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼(c-BN)薄膜。金刚石薄膜由拉曼光谱(Raman)及原子力显微镜(AFM)进行表征。采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)研究了不同沉积温度对c-BN薄膜生长的影响,结果表明在金刚石薄膜上生长c-BN不存在温度阈值,室温下生长的c-BN含量可达70%以上。当沉积温度由室温向上升高时,对于纳米金刚石薄膜衬底上生长的BN薄膜而言,其中的立方相含量反而逐渐降低。此外,随着沉积温度的降低,c-BN对应的峰位向低波数方向偏移的现象表明低温下生长的c-BN薄膜内应力较小。文中探讨了产生此现象的原因。
- 冯健徐闰汤敏燕张旭乐永康王林军
- 关键词：金刚石薄膜射频磁控溅射
- Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能被引量：2
- 2003年
- 研究了Ca掺杂钨镁酸铅 (PMW )陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现 :在Ca2 + 摩尔分数小于 15 %时 ,能形成单相的PCMW钙钛矿相 ,结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结 ,气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗 ,在频率为 1MHz时 ,介质损耗达到了 10 - 4 。当Ca2 + 摩尔分数大于 10 %时 ,材料的Curie峰宽化显著 。
- 王晓武吴健王鸿卞建江
- 关键词：CA钙掺杂介电性能反铁电体微波介质陶瓷
- Cd S 纳米微晶在 P A N 膜中的形成与特性被引量：9
- 1999年
- 采用离子络合法在 Ｐ Ａ Ｎ 膜中制备了 Ｃｄ Ｓ 纳米微晶。根据红外吸收（ Ｉ Ｒ） 光谱和原子力显微镜（ Ａ Ｆ Ｍ） 的测试结果提出了可能的形成机理， 并采用 Ｘ 射线衍射分析（ Ｘ Ｒ Ｄ） 、紫外可见吸收光谱（ Ｕ Ｖ） 、激发和发射光谱（ Ｐ Ｌ） 对其特征进行了初步表征。
- 彭小雷桑文斌王林军刘祖刚史伟民钱永彪闵嘉华刘引烽
- 关键词：PAN纳米微晶硫化镉
- TeO_2晶体位错腐蚀形貌与晶体对称性被引量：6
- 2004年
- 用化学腐蚀的方法研究TeO2晶体(110)面和(001)面位错蚀坑的形貌,结合晶面极图,并运用对称群理论进行分析论证,理论分析与实验结果相一致.实验结果同时显示,TeO2晶体位错腐蚀坑面由{110}面族构成,即{110}面族是晶体的习性面.
- 方雅珂桑文斌闵嘉华
- 关键词：位错对称性
- 不同取向金刚石薄膜的红外椭圆偏振光谱特性研究被引量：8
- 2006年
- 采用红外椭圆偏振光谱仪对HFCVD方法所制备的不同取向金刚石薄膜的光学参数进行了测量．结果表明（001）取向金刚石薄膜具有较佳的光学质量，在红外波段基本是透明的．在2．5-12．5μm红外波长范围内，（001）取向金刚石膜的折射率和消光系数几乎不随波长的改变而变化，折射率为2．391，消光系数在10^-5范围内；对于（111）取向金刚石膜，其折射率和消光系数随波长的改变有微小变化，折射率和消光系数都低干（001）取向膜．通过计算拟合得到（001）取向金刚石膜的介电常数为5．83，优干（111）取向膜。
- 苏青峰夏义本王林军刘健敏史伟民
- 关键词：CVD金刚石膜折射率消光系数
