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天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系

作品数：37 被引量：151H指数：7
相关作者：田里郑元芬张波张景阳宗扬更多>>
相关机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所清华大学信息科学技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 9篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 4篇电气工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 7篇钛酸
  • 6篇电路
  • 6篇铁电
  • 6篇铁电薄膜
  • 5篇多孔硅
  • 5篇介电
  • 4篇陶瓷
  • 4篇溅射
  • 4篇钙钛矿相
  • 3篇压电
  • 3篇压电陶瓷
  • 3篇射频磁控
  • 3篇钛酸铋
  • 3篇钛酸铋钠
  • 3篇无铅
  • 3篇稀土
  • 3篇晶体管
  • 3篇孔隙率
  • 3篇溅射法
  • 3篇光电

机构

  • 37篇天津大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇四川压电与声...

作者

  • 12篇胡明
  • 11篇郭维廉
  • 9篇张世林
  • 8篇郑云光
  • 7篇张之圣
  • 6篇毛陆虹
  • 5篇莫太山
  • 5篇吴裕功
  • 5篇吴霞宛
  • 5篇梁惠来
  • 4篇刘志刚
  • 4篇马晋毅
  • 4篇毕振兴
  • 3篇张志萍
  • 3篇谢道华
  • 3篇田里
  • 3篇郭辉
  • 3篇王洪儒
  • 3篇李树荣
  • 3篇李玲霞

传媒

  • 9篇压电与声光
  • 4篇Journa...
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇硅酸盐通报
  • 2篇功能材料
  • 2篇微电子学
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇电子测量技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇电子学报
  • 1篇机械强度
  • 1篇计算机工程
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇电子产品世界
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇科技通讯（上...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十届固体薄...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 7篇2006
  • 5篇2005
  • 10篇2004
  • 6篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2000
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低温热氧化处理温度与时间对氧化钒薄膜性能的影响
2009年
采用直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜再附加热氧化处理的方式进行金属－半导体相变特性氧化钒薄膜的制备，研究了低热处理温度下热处理温度与时间对氧化钒薄膜组分、晶体结构和相变性能的影响。新制备的氧化钒薄膜为V2O3和VO的混合相。经300℃／1h热处理后，薄膜内出现单斜结构VO2，薄膜具有相变特性；保持热处理时间不变，升高热处理温度至360℃，薄膜表面变得致密，致密的薄膜表面阻碍了氧气与薄膜内部V2O3和VO的反应，VO2成分含量与300℃／1h处理时的含量接近；增加热处理温度并延长热处理时间，如热处理条件为320℃／3h时，薄膜内VO2成分大量增多，电阻值变化幅度超过两个数量级；在300～360℃的热处理温度区间内，薄膜内V2O3和VO不断向VO2转变，相变性能变好，但对VO2的单斜金红石结构没有影响。
梁继然胡明刘志刚
SiGe沟道SOI CMOS的设计及模拟被引量：2
2003年
在 SOI(Silicon on Insulator)结构硅膜上面生长一层 Si Ge合金 ,采用类似 SOICMOS工艺制作成具有Si Ge沟道的 SOICMOS集成电路。该电路不仅具有 SOICMOS电路的优点 ,而且因为 Si Ge中的载流子迁移率明显高于 Si中载流子的迁移率 ,所以提高了电路的速度和驱动能力。另外由于两种极性的 SOI MOSFET都采用 Si Ge沟道 ,就避免了只有 SOIPMOSFET采用 Si Ge沟道带来的选择性生长 Si Ge层的麻烦。采用二维工艺模拟得到了器件的结构 ,并以此结构参数进行了器件模拟。模拟结果表明 ,N沟和 P沟两种 MOSFET的驱动电流都有所增加 。
李树荣王纯王静郭维廉郑云光郑元芬陈培毅黎晨
关键词：SIGECMOS集成电路
CaCu3Ti4O12基高介电常数材料
陶瓷电容器的小型化要求电介质有更高的介电常数.CaCu3Ti4O12是新近发现的一种高介材料,其相对介电常数在104量级.作者研究了固相反应制备CaCu3Ti4O12的反应进程,包括中间相的产生和消失,制备单相CaCu3...
吴裕功张慧利刘震
关键词：钛酸铜钙介电常数陶瓷电容器固相反应钙钛矿结构
文献传递
Si-Ge异质结基区BMHMT三端特性的器件模拟
2000年
在常规混合模式晶体管的基础上 ,提出了一种新的器件结构—— Si- Ge异质结基区 Bi-MOS混合模式晶体管 ( BMHMT)。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入的势垒提高 ,这样 ,一方面减小了空穴电流 IB,提高了注入效率 ;同时又增大了迁移率 ,从而提高特征频率。因此 ,这种器件具有 β高、基区电阻低。
毛陆虹郭维廉陈培毅牛萍娟沙亚男
关键词：混合模式晶体管
A位非等配比对(NaBi)_(0.5(1-x)(Ba) _x TiO_3 性能的影响被引量：15
2003年
研究了A位非等配比——过量Bi3+(Bi3+:Na1+>1:1)对(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3材料的介电、压电性能的影响。随着引入的过量Bi3+的增加,材料的介电常数和损耗均呈先下降后增大的现象。当Bi3+∶Na+=52∶48时,(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3复合材料的d33、kt值都达到最大值。
马晋毅谢道华吴裕功胡明
关键词：无铅压电陶瓷钛酸铋钠介电损耗
NIDS中正则表达式数量限定符的电路设计与实现
2009年
针对网络入侵检测系统(NIDS)中复杂正则表达式匹配的数量限定符进行了硬件设计和实现。经过对这3种限定符匹配原理的分析,改变了以往的直接复制多个重复单元的实现方法,设计了一套完整的优化的数量限定符FPGA实现电路。实验测试结果表明,本设计每个非元字符平均大约需要0.92个逻辑单元,系统可以达到1.2 Gb/s的吞吐能力。
田里
关键词：网络入侵检测系统正则表达式FPGA
先驱体法制备PZT/ZrO_2复合陶瓷材料被引量：1
2004年
研究了一种新的制备PZT/ZrO2复合陶瓷材料的方法。借助B位先驱体法,首先合成亚稳态的钙钛矿固溶体,在高温下ZrO2相从固溶体中析出得到PZT/ZrO2复合陶瓷材料。在冷却过程中,已在PZT晶粒内析出的ZrO2相发生四方到单斜的相变,伴随该相变的体积膨胀会对晶界产生压应力,起到强化晶界的作用,从而使陶瓷材料的力学性能得到明显提高。
郭向华吴霞宛吴裕功
关键词：先驱体锆钛酸铅
近红外Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si横向pin探测器的模拟与测试被引量：1
2003年
设计了一种新型叉指状近红外 Si0 .8Ge0 .2 / Si pin横向光电探测器。采用半导体器件模拟软件 Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟 ;对实际制作的光电探测器进行了测试 ,结果表明 :其波长响应范围为 0 .4～ 1 .3μm,峰值响应波长在 0 .93μm,响应度达 0 .3 8A/ W,寄生电容小于 2 .0 p F。实验结果和模拟结果符合得很好。其良好的光电性能为应用于近红外光的高速。
莫太山张世林郭维廉郭辉郑云光
关键词：光电集成电路光电性能近红外光
显微拉曼光谱法对多孔硅热导率的研究被引量：4
2006年
多孔硅优良的热学性能使其成为MEMS领域新兴的热绝缘材料。文中采用一种简便且无损的多孔硅热导率测量技术——显微拉曼光谱技术对电化学腐蚀法制备的不同孔隙率和厚度的多孔硅试样热导率进行了测量,结果表明在多孔硅的拉曼谱峰位置与其温度间存在线性对应关系。在所有样品中,厚度为110μm空隙率为65%的多孔硅显示出最好的绝热性能,其热导率为0.624W/mK。且随多孔硅孔隙率和厚度的减小,其热导率有迅速增加的趋势(厚度和孔隙率为9μm和40%时,其热导率升至25.32W/mK)。
崔梦胡明窦雁巍宗扬
关键词：微电子机械系统多孔硅热导率显微拉曼
光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究
2004年
光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性 .模拟和实验结果均表明 :光照强度增大 ,维持电压基本保持不变 ,转折电压减小 ,负阻电压摆幅减小 ;而增大控制电压 ,维持电压和转折电压均增大 ,输出负阻特性曲线右移 .上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景 .
莫太山张世林郭维廉梁惠来毛陆虹郑云光
关键词：光控电流开关数值模拟
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