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西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所

作品数：38 被引量：210H指数：10
相关作者：罗晋生朱惠贤袁小云王洪魁李志国更多>>
相关机构：西北大学信息科学与技术学院西安理工大学理学院北京工业大学电子工程系更多>>
发文基金：陕西省科技攻关计划北京市科技新星计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 37篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 29篇电子电信
  • 5篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 9篇电路
  • 5篇团簇
  • 5篇DFT
  • 4篇电荷泵
  • 4篇异质结
  • 4篇密度泛函
  • 4篇密度泛函理论
  • 4篇晶体管
  • 4篇集成电路
  • 4篇泛函
  • 4篇泛函理论
  • 4篇X
  • 4篇PMOSFE...
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇锁相
  • 3篇锁相环
  • 3篇NN
  • 3篇HBT
  • 3篇M

机构

  • 38篇西安交通大学
  • 8篇西北大学
  • 6篇北京工业大学
  • 5篇西安理工大学
  • 2篇上海交通大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇兰州交通大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇咸阳师范学院
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇电子工业部
  • 1篇航空航天部

作者

  • 15篇陈贵灿
  • 12篇罗晋生
  • 6篇程尧海
  • 5篇张瑞智
  • 5篇杨荣
  • 5篇袁小云
  • 5篇李志国
  • 5篇沈光地
  • 5篇李恩玲
  • 5篇孙英华
  • 4篇穆甫臣
  • 4篇马红
  • 4篇程军
  • 3篇薛英
  • 3篇屠荆
  • 3篇王雪文
  • 3篇田泽
  • 3篇陈建新
  • 3篇李攀
  • 3篇郭伟玲

传媒

  • 9篇微电子学与计...
  • 7篇固体电子学研...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇电子学报
  • 2篇电子技术（上...
  • 2篇原子与分子物...
  • 2篇电子器件
  • 2篇微电子学
  • 1篇计算物理
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇微电子技术
  • 1篇电子工程师
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 7篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 5篇2004
  • 10篇2003
  • 1篇2001
  • 6篇1998
  • 1篇1990
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
集成双层平面电感的单片DC/DC转换器设计被引量：1
2007年
采用0.35μm标准CMOS工艺设计了3.3V/1.5V单片低压Buck转换器,开关频率为150MHz.本文采用了电压型脉宽调制的反馈控制模式,克服了频率提高所带来的转换器系统不稳定问题.对双层平面螺旋电感进行了设计与优化,获得品质因数2.6,电感值28nH的双层平面电感.模拟结果表明,对应于不同输入电压或不同负载,转换器系统工作稳定,输入调整率-40dB,输出调整率-60dB.输出电压纹波平均值可以控制在额定值75mV,转换效率71%.
李清华邵志标张春茗耿莉
关键词：输出电压纹波
深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟被引量：3
2003年
为研究深亚微米尺度下应变 Si Ge沟改进 PMOSFET器件性能的有效性 ,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了 0 .1 8μm有效沟长 Si Ge PMOS及 Si PMOS器件特性。Si Ge PMOS垂直方向采用 Si/Si Ge/Si结构 ,横向结构同常规 PMOS,N+ -poly栅结合 P型δ掺杂层获得了合理阈值电压及空穴局域化。研究表明 ,经适当设计的 Si Ge PMOS比对应 Si PMOS的 IDmax、gm、f T均提高 1 0 0 %以上 ,表明深亚微米尺度 Si
杨荣罗晋生
关键词：SIGE深亚微米PMOSFET
高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器被引量：8
2008年
基于UMC的0.6μm BCD 2P2M工艺,探讨了一种高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器.该运算放大器的输入级采用互补差分对,其尾电流由共模输入信号来控制,以此来保证输入级的总跨导在整个共模范围内保持恒定.输出级采用ClassAB类控制电路,并且将其嵌入到求和电路中,以此减少控制电路电流源引起的噪声和失调.为了优化运算放大器低频增益、频率补偿、功耗及谐波失真,求和电路采用了浮动电流源来偏置.该运算放大器采用米勒补偿实现了18MHz的带宽,低频增益约为110dB,Rail-to-Rail引起的跨导变化约为15%,功耗约为10mW.
张强李攀田泽陈贵灿刘宁
关键词：恒定跨导CMOS运算放大器
Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性被引量：5
2001年
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力 。
张万荣李志国王立新汪东崔福现孙英华程尧海陈建新沈光地罗晋生
关键词：异质结双极晶体管负阻特性硅锗
Si/SiGe/SiHBT的优化设计被引量：5
1998年
给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。
张万荣李志国郭伟玲孙英华穆甫臣程尧海沈光地罗晋生
关键词：异质结晶体管双极晶体管
应变p型Si_(1-x)Ge_x层中载流子冻析被引量：6
1998年
本文用解析的方法研究了应变P型Si_(1-x)Gex层中载流子冻析现象．研究发现，用Si归一化的Si(1-x)Gex价带有效态密度，随x的增加而减小，而且温度T越低，随Ge组份x的增加而减少的速度越快与Si相比，常温下Ge组份x几乎对电离杂质浓度没有什么影响，而在低温下，随Ge组份x的增加，电离杂质浓度随之增加，载流子冻析减弱，这对低温工作的Si(1-x)Gex器件有利．
张万荣李志国罗晋生孙英华程尧海陈建新沈光地
关键词：异质结器件
应变Si_(1-x)Ge_x层材料和Si/Si_(1-x)Ge_x器件物理参数模型被引量：10
1998年
Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时，往往受到应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层材料和Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ器件物理参数模型，对Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。
张万荣李志国郭伟玲孙英华穆甫臣程尧海沈光地罗晋生
关键词：应变层物理参数
Ga_nN_m^-阴离子团簇的结构及稳定性的研究被引量：11
2006年
利用密度泛函理论(DFT)对GanN-(n=2—8)和GanN2-(n=1—7)阴离子团簇的结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanN-(n=2—8)和GanN2-(n=1—7)阴离子团簇的基态结构.在这些团簇中,原子总数小于等于6的团簇的几何结构为平面结构,原子总数大于6的团簇的几何结构为立体结构;在所研究的团簇中,Ga4N-,Ga6N-,Ga4N2-和Ga5N2-的基态结构较稳定.
李恩玲王雪雯陈贵灿马红薛英
应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟被引量：3
2005年
通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及SiPMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGePMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比SiPMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注。
屠荆杨荣罗晋生张瑞智
关键词：亚阈值特性
基于DVI的时钟数据恢复电路设计被引量：3
2008年
设计了一种实现DVI(digital visual interface)数字视频信号接收器的新型时钟数据恢复电路.通过在过采样电路和数字锁相环之间增加弹性缓冲电路,在实现10bit数据恢复的同时,使采样时钟频率减小为数据频率的2.5倍,DPLL同时对10bit并行的数据进行相位检测判断,提高了判断的正确率,使数据传输的误码率得到改善.采用SMIC0.18μm CMOS工艺流片,测试结果表明,输入三路并行的1.65Gbps/ch UXGA格式像素数据和传输电缆长度2m条件下,输出系统时钟信号最大抖动峰-峰值为183ps,均方值为24ps,满足DVI规范要求.
肖剑陈贵灿张福甲王永顺
关键词：DVI时钟数据恢复过采样DPLL
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