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四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所: 作品数：145 被引量：438H指数：11; 相关作者：刘杰赵敏光徐禄祥周一阳颜其礼更多>>; 相关机构：中国工程物理研究院流体物理研究所中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理实验室贵州师范大学物理与电子科学学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金四川省教育厅自然科学科研项目四川省教育厅科学研究项目更多>>; 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

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高压下翠绿亚胺聚合物的理论吸收谱: 2010年; 利用改进的Ginder-Epstein模型计算了翠绿亚胺聚合物在参数V4,0取值于1.8～35.8eV的自洽变分基态并通过芳环扭角的变化来估算聚合物压强,给出了V4,0、芳环扭角及能隙与理论压强之间的变化关系,并作出了不同理论压强下的理论吸收谱.结果表明,随此参数的增大芳环扭角和能隙都缩减而理论压强升高.当理论压强由零压增至饱和压强3.0GPa左右时,翠绿亚胺聚合物π-π*吸收峰由2.01eV蓝移至最小值0.87eV.此理论谱供压力定标参考.; 曹建勇刘杰; 关键词：电子态吸收谱导电性

相变及空位缺陷对CaF_(2)在高压下光学性质的影响: 2021年; 本文采用第一性原理方法,计算了CaF_(2)的理想晶体和含钙、氟空位点缺陷晶体在100 GPa压力范围内的光吸收谱和折射率.吸收谱数据表明,压力因素诱导的两个结构相变对CaF_(2)的吸收谱均有影响:第一个相变将导致其吸收边蓝移,而第二个相变却引起其吸收边红移.钙空位点缺陷会使得CaF_(2)的吸收边微弱蓝移,但氟空位点缺陷却导致其吸收边有显著的红移.然而,这些红移的行为并未使得CaF_(2)晶体在250-1000 nm的波段范围内出现光吸收的现象(是透明的).532 nm处的折射率数据显示,在CaF_(2)的三个结构相区(Fm3m、Pnma、P63/mmc相区),其折射率均随压力增大而增加;同时,高压结构相变以及氟空位点缺陷也使得CaF_(2)的折射率增大,但钙空位点缺陷却导致其折射率减小.数据分析表明,CaF_(2)晶体有成为冲击窗口材料的可能,本文所获得的信息对未来的实验研究有参考价值.; 李娜钟文富操秀霞何林孟川民; 关键词：光学性质空位缺陷结构相变第一性原理

SiN_x和SiN_x/SiO_x薄膜的荧光和红外吸收光谱研究: 2007年; 采用射频磁控溅射法在Si(100)和含有SiOx缓冲层的Si(100)上制备SiNx薄膜。直接生长在Si(100)的SiNx薄膜几乎不发光;而SiNx/SiOx薄膜在650℃以上的高温热处理后有非常强的光致发光,当退火温度为800oC时发光强度达到最高。傅立叶红外吸收研究表明,直接生长在Si(100)的SiNx薄膜在退火后氧化程度略有增加;而SiNx/SiOx薄膜在高温热处理后氧化程度明显升高,但过高温度的退火会导致Si-N键显著减少。分析认为SiNx/SiOx薄膜的发光与Si-N键和Si-O键密切相关。; 纪红萱陈卫东徐明; 关键词：SINX SIOX 红外吸收

中子嬗变掺杂前后Ge纳米晶的结构和性质: 2010年; 采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂(NTD)后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐照致空位缺陷的影响,而NTD产生的As掺杂能补偿这些空位缺陷并消除禁带中产生的杂质能级,从而改善半导体掺杂性能.计算还发现,由于较高的电负性,纳米晶中O对Ge原子较强的吸附作用阻止了空位的形成,导致与缺陷相关的非辐射发光中心的浓度减小,发光效率提高,因此中子辐照掺杂前的高温退火处理是非常有必要的.计算较好地解释了已报道的实验结果.; 陈青云孟川民卢铁城徐明胡又文; 关键词：中子嬗变掺杂第一性原理空位缺陷

铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究: 2010年; 采用Slonczewski的近自由电子模型,利用转移矩阵的方法,研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性.计算了T=4K和T=300K时,隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance,TMR)随偏压的变化关系,同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系.我们的计算结果较好地解释了有关的实验结论.; 张佩佩徐明陈尚荣吴艳南周勋刘杰; 关键词：多层膜有机半导体铁磁层隧穿磁电阻

碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质被引量：16: 2008年; 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算研究碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质.计算结果表明:C原子替代O原子和C原子替代Zn原子两种掺杂体系的电子结构存在明显差异,这主要是由于C原子的电子分布及对周围原子的影响不同;碳掺杂ZnO光学性质的变化集中在低能量区,而高能量区的光学性质没有明显变化.结合电子结构定性解释了光学性质的变化.; 段满益徐明周海平陈青云胡志刚董成军; 关键词：ZNO 碳掺杂电子结构光学性质

d^3络合物零场分裂的双自旋-轨道耦合参数模型被引量：11: 1995年; 建立了三角对称d^3络合物零场分裂的双自旋-轨道耦合参数模型,它包括了经典晶场模型的零场分裂公式所忽略的配体贡献D(ζ_p)以及配体与中心离子相互耦合贡献D(ζ_d,ζ_p)的两部份;讨论了在不同的ζ_p,ζ_d及λ_r的情况下D(ζ_p)及D(ζ_d,ζ_p)的相对大小;指出了在ζ_p.及λ_r较大的情况下双自旋-轨道(so)耦合参数模型才能给出合理的结果;作为该模型的应用,计算了VCl_2和VBr_2的零场分裂,验证了D(ζ_p)对VBr_2的零场分裂是不可忽略的,并给出了与实验一致的结果.; 杜懋陆李兆民谌家军; 关键词：零场分裂

聚对苯亚胺中环失配陷获的环扭角孤子被引量：1: 1998年; 从扩展的Ｇｉｎｄｅｒ－Ｅｐｓｔｅｉｎ模型出发，运用自洽迭代方法，研究了聚对苯亚胺中由环失配缺陷引起的环扭角孤子．一对缺陷结构互补电性相反的环扭角孤子光吸收的数值计算结果与ＰＮＢ聚合物的光诱导吸收实验相符合．; 张勇刘杰

ZnO晶体中Mn^(2+)与Fe^(3+)杂质中心的缺陷结构研究被引量：17: 2002年; 用建立在强场图像和自旋轨道耦合机理的高阶微扰公式研究了ZnO晶体中Mn2 +和Fe3 +杂质中心的零场分裂 .研究发现 :Mn2 +和Fe3 +离子不能占据准确的Zn2 +位置 ,而是沿c3 轴方向各自位移一段距离ΔR .这些位移及与此相关的缺陷结构也为Newman叠加模型所证实 .; 董会宁吴晓轩邬劭轶郑文琛; 关键词：ZNO晶体 MN^2+FE^3+晶格畸变氧化锌晶体

空位缺陷对钇铝石榴石在高压下光学性质的影响: 2019年; 采用第一性原理方法,在120 GPa的压力范围内计算钇铝石榴石理想晶体和含氧空位缺陷晶体的光折射率和能量损失谱。获得的数据表明:在20 GPa以内,其折射率随压力的增加而降低;在20 GPa以上,其折射率随压力的增加而逐渐升高。另外,氧空位缺陷将引起其折射率明显减小。压力加载将导致其能量损失谱峰强度降低,且随压力逐渐增加还出现了蓝移的现象。同时,氧空位缺陷的存在使其峰值强度进一步减弱。文中的计算结果将为进一步的实验探究提供理论参考。; 李恬静王磊何林; 关键词：钇铝石榴石光学性质空位缺陷第一性原理计算

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