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西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系

作品数:313 被引量:876H指数:12
相关作者:陈治明张华曹刘艳涛曹琳马文龙更多>>
相关机构:陕西师范大学计算机科学学院中国科学院半导体研究所西北大学信息科学与技术学院电子科学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 268篇期刊文章
  • 45篇会议论文

领域

  • 205篇电子电信
  • 38篇自动化与计算...
  • 33篇理学
  • 21篇电气工程
  • 9篇一般工业技术
  • 6篇化学工程
  • 6篇机械工程
  • 3篇建筑科学
  • 3篇文化科学
  • 2篇生物学
  • 2篇冶金工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇自然科学总论
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 29篇半导体
  • 22篇晶体管
  • 22篇二极管
  • 22篇SIC
  • 21篇电路
  • 16篇异质结
  • 16篇晶闸管
  • 15篇碳化硅
  • 15篇门极
  • 14篇英文
  • 14篇通信
  • 14篇门极换流晶闸...
  • 14篇换流
  • 14篇功率二极管
  • 14篇半导体器件
  • 13篇矢量
  • 13篇矢量量化
  • 12篇电力半导体
  • 11篇电力半导体器...
  • 11篇信号

机构

  • 313篇西安理工大学
  • 6篇西北大学
  • 5篇中国科学院
  • 4篇西安电子科技...
  • 4篇香港科技大学
  • 4篇陕西师范大学
  • 3篇国网智能电网...
  • 2篇第四军医大学
  • 2篇兰州理工大学
  • 2篇西安工业大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇韩国电气研究...
  • 1篇宝鸡文理学院
  • 1篇清华大学
  • 1篇山西大同大学
  • 1篇西安邮电学院
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇深圳大学
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 108篇高勇
  • 51篇陈治明
  • 51篇余宁梅
  • 43篇杨媛
  • 29篇王彩琳
  • 20篇蒲红斌
  • 19篇马丽
  • 19篇刘静
  • 15篇封先锋
  • 15篇林涛
  • 14篇柯熙政
  • 14篇马剑平
  • 13篇刘高辉
  • 13篇安涛
  • 13篇张如亮
  • 12篇王冬芳
  • 11篇杨莺
  • 10篇李连碧
  • 9篇张华曹
  • 9篇雷天民

传媒

  • 35篇电子器件
  • 23篇固体电子学研...
  • 21篇Journa...
  • 17篇人工晶体学报
  • 12篇物理学报
  • 12篇计算机工程与...
  • 11篇微电子学
  • 7篇电子学报
  • 6篇半导体技术
  • 6篇光子学报
  • 6篇第十四届全国...
  • 5篇现代电子技术
  • 4篇电子技术应用
  • 4篇光学学报
  • 4篇电源技术
  • 4篇第十六届全国...
  • 3篇太阳能学报
  • 3篇中国激光
  • 3篇电力电子技术
  • 3篇激光杂志

年份

  • 4篇2023
  • 6篇2022
  • 6篇2021
  • 7篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2015
  • 8篇2014
  • 3篇2013
  • 9篇2012
  • 12篇2011
  • 24篇2010
  • 18篇2009
  • 37篇2008
  • 30篇2007
  • 28篇2006
  • 29篇2005
  • 17篇2004
  • 14篇2003
313 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析被引量:4
2006年
将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特性的影响.此外,还模拟比较了不同p+区厚度对器件反向漏电流的影响.结果表明:在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,并且C的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖性,提高了器件稳定性.
高勇刘静马丽余明斌
关键词:功率二极管反向恢复漏电流
变参数RS译码器IP核的实现被引量:3
2005年
设计出一种码长可以变化的RS码译码器IP核电路,可进行RS(15,5)、RS(15,7)、RS(15,9)以及RS(15,11)的译码。译码器电路使用BM迭代译码算法,并在硬件电路中加以改进,使得电路能扩充到编译纠错位数多的复杂RS码。该译码器电路尽可能多地使用可以共享的模块,降低了电路的规模。硬件电路采用V erilogHDL进行描述,并在FPGA上进行了验证,同时给出了硬件电路在逻辑分析仪上得到的结果。
陈启亮余宁梅刘高辉
关键词:RS译码器IP核BM迭代算法
多通道可编程声音发生器的设计
2006年
针对消费性电子产品对声音处理单元APU(Audio Process Unit)的需要,设计了5通道的可编程声音发生器PSG(Programmable Sound Generator),可提供4个模拟声道和1个PCM(Pulse Code Modulation)数字通道。可同时产生高频乐音,低频乐音,还可以播放增量脉冲编码调制方式编码的语音信号,并具有振幅、频率可自动调整,方波占空比可以设定,声道定时关闭等多种特性。五个通道之间是并行的,每个端口寄存器都分配有自己的地址,其参数的设置不会影响其他通道。该PSG已用于家庭娱乐和学习系统中,并通过了FPGA验证,应用测试结果表明其性能达到设计要求。
关保贞高勇杨媛
3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析被引量:2
2004年
3C SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料。本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长 3C SiC及抑制其相变的研究进展。采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析 ,结果表明所制备的样品为 3C
封先锋陈治明马剑平蒲红斌李留臣
关键词:液相外延生长RAMAN散射SIC单晶电学性能熔体
具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的特性研究
2020年
本文采用Sentaurus-TCAD软件研究了一种具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的静、动态特性,并与常规型FS-IGBT进行了对比。分析了不同FS峰值掺杂浓度及深度对正、反向阻断特性及导通特性及开关特性的影响。研究结果表明,采用隐埋型FS层,可以大幅度改善IGBT的反向阻断特性,同时正向阻断、导通及开关特性也有所改善,并且高温漏电流更小,高温稳定性能更好。
刘聪王彩琳
关键词:电力半导体器件阻断电压
低功耗CMOS低噪声放大器的分析与设计被引量:4
2010年
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低功耗约束下的CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,该电路在共源晶体管的栅源间并联一个电容,以优化噪声;并引入一个电感,与级间寄生电容谐振,以提高增益;通过减小晶体管的尺寸,实现了低功耗。模拟结果表明,在2.45 GHz工作频率下,增益大于14 dB,噪声系数小于1 dB,直流功耗小于2 mW。
刘高辉张金灿
关键词:低噪声放大器CMOS模拟集成电路
用于WCDMA系统的一种新型神经元MOS复数匹配滤波器(英文)被引量:1
2007年
提出了一种新型神经元MOS复数匹配滤波器结构,用于实现WCDMA系统中复四相扩频调制信号的解扩运算.主要对关键电路进行了分析,与线性运算器件实现的复数匹配滤波器电路相比,具有结构简单的优点,大大降低了器件数目,HSPICE仿真结果验证了该电路结构的可行性.
刘高辉余宁梅高勇杨媛
关键词:匹配滤波器WCDMA
ATMEL大容量闪速存储器及其应用被引量:1
1999年
介绍了ATMEL29系列大容量闪速存储器的性能特点和器件操作;结合实际应用详细说明了AT29C010A在微型智能检测仪表中的硬件接口和软件编程注意事项。
李广峰杨媛高勇李福德
关键词:闪速存储器仪表智能仪表
最优分割法
2007年
分割度会对网络上的传播构成影响。分析复杂网络的传播行为,分割度是不应该被忽略的一个因素。分割度对于无标度网络的分割程度可以用无标度网络中的集散节点来衡量。根据度分布指数的不同,可以判断所选的少数节点中最小的那个节点的度值所能带来的路径长度的改变是否明显。列举了分割度的实际应用。
辛强伟
关键词:复杂网络
幂律分布研究简史被引量:107
2005年
自然界与社会生活中存在各种各样性质迥异的幂律分布现象,因而对它们的研究具有广泛而深远的意义.近年来,借助于有效的物理和数学工具以及强大的计算机运算能力,科学家们对幂律分布的本质有了进一步深层次的理解.文章从统计物理学的角度,简要介绍了幂律分布的研究史以及最新的进展,并对它的形成机制及动力学影响作了一些简要的阐述.
胡海波王林
关键词:幂律分布自组织临界
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