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因芬尼昂技术股份公司

作品数：2,263 被引量：0H指数：0
相关机构：国际商业机器公司因芬尼昂技术弗拉斯有限责任两合公司西门子股份公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 2,263篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 408篇电路
  • 345篇信号
  • 306篇半导体
  • 275篇存储器
  • 258篇晶体管
  • 155篇无线
  • 152篇芯片
  • 149篇电压
  • 146篇电容
  • 114篇电路装置
  • 108篇放大器
  • 107篇电容器
  • 98篇集成电路
  • 95篇电流
  • 91篇通信
  • 85篇信道
  • 78篇滤波器
  • 66篇时钟
  • 65篇电阻
  • 56篇调制

机构

  • 2,263篇因芬尼昂技术...
  • 22篇国际商业机器...
  • 13篇因芬尼昂技术...
  • 5篇西门子股份公...
  • 5篇先进技术材料...
  • 4篇株式会社东芝
  • 2篇奇梦达北美公...
  • 2篇弗劳恩霍弗实...
  • 2篇科技公司
  • 2篇诺基亚移动电...
  • 2篇联华电子股份...
  • 1篇爱立信股份有...
  • 1篇马特森热力产...
  • 1篇马科尼通讯有...
  • 1篇诺基亚有限公...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 14篇2012
  • 28篇2011
  • 77篇2010
  • 152篇2009
  • 185篇2008
  • 121篇2007
  • 347篇2006
  • 508篇2005
  • 425篇2004
  • 115篇2003
  • 147篇2002
  • 108篇2001
  • 25篇2000
共 2,263 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
CPU安全的提升方法
在本发明公开的方法中，使用包括提取级(1)、解码级(2)、执行级(3)及写回级(4)的流水线。写回级包含至少一个寄存器(41)，其使用不会导致CPU的任何状态的改变，以及包含至少一个寄存器(42)，其使用会导致CPU的状...
H·哈特利布H·塞德拉克F·克鲁格
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具有存储单元和参考单元的集成式存储器
集成式存储器，包括参考字线(WLREF，/WLREF)、字线(WLi)和冗余字线(RWL1，RWL2)。该存储器包括一个可编程的激活单元(AKT)，与其编程状态相关的是，冗余字线(RWL1，RWL2)和与其相连的冗余存储...
P·佩赫米勒
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具芯片上终止之差分线路驱动器
本案系揭露一种具有集成输出终止电阻器的差分线路驱动器。此种电阻器为一种控制晶体管与一种低精密度电阻器的组合，该晶体管基于一精确的电参考来校准电阻器之不精确。在一较佳实施例中，该晶体管系为一CMOS晶体管，而该电阻器则为一...
S·哈尔特S·帕拉克沙
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静态随机存取内存存储单元及补偿其漏损电流的方法
一种SRAM存储单元具有至少一存储节点(K1，K2)以及与所述存储节点(K1，K2)、一第一位线(BL)以及一第一字符线(WL1)电连接的至少一选择晶体管(M5)。此外，所述SRAM存储单元具有用以补偿流入所述SRAM存...
T·尼施Y·马特洛尼B·维奇特
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磁性元件
本发明的磁性元件使用至少两个不同的磁性材料层，以便传输并放大磁通量。然而，使用具有相同材料成分的两个不同层使得磁导体通过局部匹配的磁畴取向形成磁回路。因此本发明的磁性元件可实现在元件参数方面的明显改进，特别是在增大Q因数...
C·阿伦斯U·巴特尔W·哈通R·罗泽汉德H·维尔斯曼
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时间记录装置及使用半导体组件之时间记录方法
一种时间记录装置使用浮动闸胞元，其中ON层结构或ONO层结构在浮动闸及控制闸间被提供。一种电荷注入单元被提供以藉由施用电压或电压脉冲于该控制闸电极而注入电荷于该浮动闸电极及注入ON结构或ONO结构的该氮化物层，注入该氮化...
H·帕姆E·沃尔巴H·塔迪肯
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使用光束成型获取椭圆及圆化形状之方法
一种制造一掩模(316)以供图案化一半导体晶片之方法。该掩模(316)包括椭圆(340)或圆形化特征利用一椭圆形能量光束(350)形成。利用实质上圆形能量光束形成之卵形(340)或圆形化特征之不理想阶梯形边缘(344)，...
E·卡皮
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磁性存储器
本发明涉及自由选择存取型磁性存储器,它有一个由很多存储器单元组成的存储器单元区,而存储器单元是矩阵式安排在字线和读出线交叉点上的,并且其逻辑数据内容由磁性状态定义,具有从属于字线的寻址电路,借助此电路在被选定的存储器单元...
H·范登伯格
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由数据信号恢复时钟信号的锁相回路
一种锁相回路，用以由一数据信号(DS)恢复一时钟信号(CL)、并具有包括一非线性数字相位检测器(DPD)的一延迟锁相回路(DLL)。该延迟锁相回路，其内嵌于本实施例的一锁相回路中，其动作相似于一线性相位检测器。上述锁相回...
R·恩特里克
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存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器
一种集成存储器，它具有一些有磁阻存储效应的存储单元(MC)，所述的存储单元分别被连接在列线(BL0～BLn)与行线(WL0～WLm)之间。所述的行线(WL2)可以与选择信号(GND)的端子相连，以便通过与存储单元(MC3...
P·佩赫米勒
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