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北京燕东微电子科技有限公司

作品数:141 被引量:0H指数:0
相关机构:中国电子技术标准化研究院北京大学广州奥松电子股份有限公司更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>

文献类型

  • 137篇专利
  • 4篇标准

领域

  • 34篇电子电信
  • 18篇自动化与计算...
  • 10篇文化科学
  • 5篇电气工程
  • 3篇经济管理
  • 2篇石油与天然气...
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇建筑科学
  • 2篇环境科学与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 61篇半导体
  • 38篇半导体器件
  • 36篇晶圆
  • 20篇源区
  • 18篇导体
  • 18篇半导体结构
  • 17篇衬底
  • 14篇电阻
  • 14篇介质层
  • 12篇多晶
  • 12篇芯片
  • 12篇掺杂
  • 10篇多晶硅
  • 9篇栅极
  • 9篇外延层
  • 9篇槽栅
  • 8篇预设
  • 7篇电容
  • 7篇自体
  • 6篇导通

机构

  • 141篇北京燕东微电...
  • 3篇北京大学
  • 3篇中国电子技术...
  • 3篇中机生产力促...
  • 3篇深圳市美思先...
  • 3篇广州奥松电子...
  • 2篇北京华卓精科...
  • 1篇四川广义微电...
  • 1篇微电子有限公...
  • 1篇北京锐洁机器...
  • 1篇江门市润宇传...
  • 1篇宁波芯健半导...
  • 1篇四川富生电器...
  • 1篇宁波瑞成包装...
  • 1篇SMC(中国...
  • 1篇北京北方华创...
  • 1篇华海清科(北...

作者

  • 3篇张大成

年份

  • 17篇2024
  • 33篇2023
  • 50篇2022
  • 21篇2021
  • 13篇2020
  • 7篇2019
141 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:衬底;体区,位于衬底的表面上;掺杂区,自体区表面延伸至体区中;栅叠层,位于体区的表面;以及导电通道,包括穿过体区并与衬底接触的沟槽以及填充在所述沟槽内的导电材料,...
周源张小麟李静怡王超张志文朱林迪袁波刘恒梁维佳
文献传递
热光调制器
本实用新型公开了一种热光调制器。该热光调制器包括:衬底;波导结构,位于衬底上;第一电极和第二电极,均位于波导结构上且间隔设置;加热结构,位于波导结构上,加热结构的一端与第一电极相连,另一端与第二电极相连;保护层,覆盖波导...
王乾冯兴甲晋孟佳邵华李敏
离子源及具有该离子源的电子设备
本申请实施例提供一种离子源及具有该离子源的电子设备,其中,离子源包括弧室,弧室内设有容置腔;隔板,设置在容置腔内,将容置腔分隔为隔离区和电离区;灯丝,具有安装端和发射部,其中,灯丝通过安装端设置于隔离区侧的弧室端板上;发...
霍达侯浩刘志强喻阳王雪超
氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法
本公开提供了一种氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法。该氧化钒薄膜的刻蚀方法包括:形成覆盖氧化钒薄膜的部分表面的掩模;以及采用感应耦合等离子刻蚀工艺去除暴露的氧化钒薄膜,其中,感应耦合等离子刻蚀工艺的工艺气体包括刻...
淮永进张彦秀梁维佳王乾
监测晶圆腐蚀液更换周期的方法
本公开提供了一种监测晶圆腐蚀液更换周期的方法,包括:获取腐蚀液的测试作业量,测试作业量表征在腐蚀液的腐蚀速率由第一测试腐蚀速率下降至第二测试腐蚀速率期间对应完成的作业量;根据第二测试腐蚀速率与第一测试腐蚀速率之差获得腐蚀...
李金鹏彭晓辉张娟辉张然李彩凤刘晓荣阮洪涛陶佳旺张元章张雷周松岳光春
用于匀胶显影机的供液系统及匀胶显影系统
本实用新型涉及半导体技术领域,具体提供一种用于匀胶显影机的供液系统及匀胶显影系统,旨在解决现有的匀胶显影机在补充HMDS时因采用手工操作的方式所导致的人力物力耗费及产线效率下降的问题。为此目的,本实用新型的匀胶显影机包括...
余坚纪开勋徐阳杨婧姜洪晓周璐璐
半导体器件的热氧化方法和制造方法
本申请公开了半导体器件的热氧化方法和制造方法。该热氧化方法包括:在热氧化的升温阶段,执行至少一次升温氧化处理;在热氧化的降温阶段,执行至少一次降温氧化处理;在热氧化的恒温阶段,同时执行恒温氧化处理及热退火处理,其中,所述...
温芳常东旭陈鹏飞墨京华刘林兴马月霞盛凯悦段荣芝
一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法
本发明实施例公开了一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法。该测试结构用于监测在晶圆的管芯区中形成器件结构的工艺异常,包括:沿第一方向延伸的浅沟槽隔离区和由浅沟槽隔离区隔离的至少两个有源区;形成在浅沟槽隔离区和...
代佳张小麟于江勇
文献传递
半导体器件
本公开提供了一种半导体器件,包括半导体层,具有相对的第一表面与第二表面,半导体层包括第一掺杂区、第一阱区、第二阱区、第一源区以及第一漏区,第一阱区与第二阱区分别位于第一掺杂区的相对两侧,第一源区位于第一阱区中并暴露于第一...
唐晓琦刘伟王羽高杰孙梦金明王志勇
文献传递
半导体结构、测试系统、测试方法及半导体结构的制造方法
本申请公开了一种半导体结构、测试系统、测试方法及半导体结构的制造方法。该半导体结构包括:衬底;位于所述衬底内的多个沟槽;介质层,形成于每个所述沟槽的暴露表面;以及多晶硅,填充在每个所述沟槽内部,其中,所述多个沟槽包括至少...
周源张小麟张志文李静怡王超朱林迪裴紫薇
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