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北京燕东微电子科技有限公司
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中国电子技术标准化研究院
北京大学
广州奥松电子股份有限公司
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电子电信
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作者
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张大成
年份
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2023
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2022
21篇
2021
13篇
2020
7篇
2019
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半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:衬底;体区,位于衬底的表面上;掺杂区,自体区表面延伸至体区中;栅叠层,位于体区的表面;以及导电通道,包括穿过体区并与衬底接触的沟槽以及填充在所述沟槽内的导电材料,...
周源
张小麟
李静怡
王超
张志文
朱林迪
袁波
刘恒
梁维佳
文献传递
热光调制器
本实用新型公开了一种热光调制器。该热光调制器包括:衬底;波导结构,位于衬底上;第一电极和第二电极,均位于波导结构上且间隔设置;加热结构,位于波导结构上,加热结构的一端与第一电极相连,另一端与第二电极相连;保护层,覆盖波导...
王乾
冯兴甲
晋孟佳
邵华
李敏
离子源及具有该离子源的电子设备
本申请实施例提供一种离子源及具有该离子源的电子设备,其中,离子源包括弧室,弧室内设有容置腔;隔板,设置在容置腔内,将容置腔分隔为隔离区和电离区;灯丝,具有安装端和发射部,其中,灯丝通过安装端设置于隔离区侧的弧室端板上;发...
霍达
侯浩
刘志强
喻阳
王雪超
氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法
本公开提供了一种氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法。该氧化钒薄膜的刻蚀方法包括:形成覆盖氧化钒薄膜的部分表面的掩模;以及采用感应耦合等离子刻蚀工艺去除暴露的氧化钒薄膜,其中,感应耦合等离子刻蚀工艺的工艺气体包括刻...
淮永进
张彦秀
梁维佳
王乾
监测晶圆腐蚀液更换周期的方法
本公开提供了一种监测晶圆腐蚀液更换周期的方法,包括:获取腐蚀液的测试作业量,测试作业量表征在腐蚀液的腐蚀速率由第一测试腐蚀速率下降至第二测试腐蚀速率期间对应完成的作业量;根据第二测试腐蚀速率与第一测试腐蚀速率之差获得腐蚀...
李金鹏
彭晓辉
张娟辉
张然
李彩凤
刘晓荣
阮洪涛
陶佳旺
张元章
张雷
周松
岳光春
用于匀胶显影机的供液系统及匀胶显影系统
本实用新型涉及半导体技术领域,具体提供一种用于匀胶显影机的供液系统及匀胶显影系统,旨在解决现有的匀胶显影机在补充HMDS时因采用手工操作的方式所导致的人力物力耗费及产线效率下降的问题。为此目的,本实用新型的匀胶显影机包括...
余坚
纪开勋
徐阳
杨婧
姜洪晓
周璐璐
半导体器件的热氧化方法和制造方法
本申请公开了半导体器件的热氧化方法和制造方法。该热氧化方法包括:在热氧化的升温阶段,执行至少一次升温氧化处理;在热氧化的降温阶段,执行至少一次降温氧化处理;在热氧化的恒温阶段,同时执行恒温氧化处理及热退火处理,其中,所述...
温芳
常东旭
陈鹏飞
墨京华
刘林兴
马月霞
盛凯悦
段荣芝
一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法
本发明实施例公开了一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法。该测试结构用于监测在晶圆的管芯区中形成器件结构的工艺异常,包括:沿第一方向延伸的浅沟槽隔离区和由浅沟槽隔离区隔离的至少两个有源区;形成在浅沟槽隔离区和...
代佳
张小麟
于江勇
文献传递
半导体器件
本公开提供了一种半导体器件,包括半导体层,具有相对的第一表面与第二表面,半导体层包括第一掺杂区、第一阱区、第二阱区、第一源区以及第一漏区,第一阱区与第二阱区分别位于第一掺杂区的相对两侧,第一源区位于第一阱区中并暴露于第一...
唐晓琦
刘伟
王羽
高杰
孙梦
金明
王志勇
文献传递
半导体结构、测试系统、测试方法及半导体结构的制造方法
本申请公开了一种半导体结构、测试系统、测试方法及半导体结构的制造方法。该半导体结构包括:衬底;位于所述衬底内的多个沟槽;介质层,形成于每个所述沟槽的暴露表面;以及多晶硅,填充在每个所述沟槽内部,其中,所述多个沟槽包括至少...
周源
张小麟
张志文
李静怡
王超
朱林迪
裴紫薇
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