英特尔半导体(大连)有限公司
- 作品数：35 被引量：34H指数：4
- 相关机构：英特尔公司大连中远海运重工有限公司大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省社会科学规划基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术文化科学化学工程电子电信更多>>
- 用于测量翘曲度的装置和方法
- 本公开内容提供了一种用于测量翘曲度的装置，包括：光源，其被配置为产生入射到被测物表面的第一光束，其中，所述第一光束与基准面垂直相交于第一位置；测量部件，其被配置为确定所述第一光束被所述被测物表面反射后的第二光束与所述基准...
- 周建明
- 文献传递
- 功能梯度圆柱壳在扭转冲击载荷作用下的动力屈曲
- 本文基于哈密顿原理发展了一种精确的辛解析方法,用以研究热环境下功能梯度材料(FGM)圆柱壳受扭转冲击荷载作用时的动力屈曲行为。分析中考虑了功能梯度材料属性的温度相关性,并假定有效材料属性沿壳体厚度方向连续变化。根据Don...
- 孙家斌乔为禹徐新生
- 关键词：动力屈曲圆柱壳功能梯度材料哈密顿体系应力波
- 文献传递
- 驻点磁流体边界层流动、传热和传质的模拟
- 2017年
- 水平方向放置一无限长高温可渗透多孔介质平板,竖直方向施加稳恒磁场,温度较低的导电流体垂直冲击该平板后,在平板驻点附近会形成很薄的边界层,边界层内将发生流动、传热和传质等物理过程,在此过程中要考虑辐射换热的影响.辐射热源项采用Rosseland假设进行简化处理,采用配置点谱方法进行空间离散求解.讨论了抽吸系数、磁场参数、辐射参数、对流换热参数等对边界层内流动、传热和传质及其壁面摩擦系数、努塞尔数和舍伍德数等的影响.结果表明,抽吸系数和磁场参数的增大使得速度边界层变薄,辐射参数增大使得温度边界层变厚.
- 田溪岩刘玉强雷洪李本文
- 关键词：驻点边界层多孔介质导电流体
- 增强半导体蚀刻能力的方法
- 本发明提供一种用于增强半导体图案蚀刻能力的方法，包括：在半导体核心结构上沉积掩模层，其中该核心结构包括半导体衬底以及位于该半导体衬底之上的待形成图案的半导体堆叠层，其中所述掩模层沉积在所述堆叠层之上；通过离子注入在所述掩...
- 杨登亮焦圣杰
- 文献传递
- 用于测量翘曲度的装置和方法
- 本公开内容提供了一种用于测量翘曲度的装置，包括：光源，其被配置为产生入射到被测物表面的第一光束，其中，所述第一光束与基准面垂直相交于第一位置；测量部件，其被配置为确定所述第一光束被所述被测物表面反射后的第二光束与所述基准...
- 周建明
- 膜蒸馏海水淡化过程中的两相流强化实验研究被引量：9
- 2018年
- 以膜蒸馏海水淡化为研究背景,引入气液两相流技术,分别将氮气和低压水蒸气通入炭膜管内对膜蒸馏过程进行强化,并通过实验考察不同操作条件下的两相流强化效果。结果表明:通入两种气体后均可有效提高渗透通量,水蒸气的强化效果更好;渗透通量随氮气流量的增大先增大后缓慢减少,随水蒸气流量的增大持续增大;料液入口温度较低和浓度较高时,膜蒸馏两相流强化传质效率较高;料液入口温度越高,氮气与水蒸气的强化传质效率差别越小。研究结果将为进一步探究膜蒸馏强化过程奠定基础。
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- 关键词：海水淡化膜蒸馏两相流炭膜
- 增强半导体蚀刻能力的方法
- 本发明提供一种用于增强半导体图案蚀刻能力的方法，包括：在半导体核心结构上沉积掩模层，其中该核心结构包括半导体衬底以及位于该半导体衬底之上的待形成图案的半导体堆叠层，其中所述掩模层沉积在所述堆叠层之上；通过离子注入在所述掩...
- 杨登亮焦圣杰
- 等离子体增强化学气相沉积系统
- 本实用新型提供一种等离子体增强化学气相沉积系统(1),包括：基片能够在其中被沉积薄膜的沉积室(3)，在所述沉积室(3)包括至少一个沉积工位；设置在所述沉积室(3)一侧的气体供给系统(5)，用于将反应气体分别供给到相应的沉...
- 王家平霍冬冬
- 文献传递
- 用于监控生产设备的运行的方法、装置和系统
- 本公开描述了用于监控生产设备的运行的方法、装置和系统。在一个方面中，一种系统包括：一个或多个无线传感器节点，其布置在第一生产设备中或者布置在所述第一生产设备附近，用于检测所述第一生产设备的运行状况并生成相应的数据信号；以...
- 王国超李杉
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- 半导体晶圆表面清洗方法与设备
- 本发明的实施例提供半导体结构表面清洗方法与设备，该方法包括：按照预定的循环周期对该结构表面执行物理剥离与化学腐蚀操作，其中该化学腐蚀包括利用化学药液与该结构表面上的粘附物产生化学反应，该物理剥离用于将该粘附物从该结构表面...
- 马宏
- 文献传递
