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三垦电气株式会社

作品数：1,075 被引量：0H指数：0
相关机构：信越半导体股份有限公司日产自动车株式会社株式会社电装更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,074篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 70篇电子电信
  • 39篇电气工程
  • 20篇自动化与计算...
  • 7篇文化科学
  • 5篇经济管理
  • 4篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 404篇半导体
  • 254篇半导体装置
  • 234篇开关
  • 220篇电压
  • 177篇开关元件
  • 169篇电路
  • 158篇电源
  • 146篇电流
  • 92篇半导体元件
  • 91篇串联电路
  • 87篇电容
  • 85篇功率
  • 72篇电极
  • 66篇信号
  • 66篇直流
  • 64篇整流
  • 63篇线圈
  • 61篇电抗器
  • 58篇电容器
  • 58篇直流电

机构

  • 1,075篇三垦电气株式...
  • 23篇信越半导体股...
  • 9篇日产自动车株...
  • 4篇联华电子股份...
  • 4篇株式会社电装
  • 3篇富士电机株式...
  • 2篇日立制作所
  • 2篇住友金属矿山...
  • 2篇东北电力株式...
  • 1篇可乐丽股份有...
  • 1篇信越半导体株...

年份

  • 28篇2024
  • 35篇2023
  • 18篇2022
  • 30篇2021
  • 32篇2020
  • 55篇2019
  • 49篇2018
  • 59篇2017
  • 81篇2016
  • 75篇2015
  • 82篇2014
  • 59篇2013
  • 78篇2012
  • 55篇2011
  • 46篇2010
  • 68篇2009
  • 48篇2008
  • 38篇2007
  • 46篇2006
  • 50篇2005
共 1,075 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
开关电源装置
开关电源装置包括与一对交流电源端子(1、2)连接的整流电路(4)、第1和第2电感线圈(L1及L2)、具有初级、次级、3次、4次绕组(N1、N2、N3、N4)的变压器(5)、主开关(Q1)、辅助开关(Q2)和软性开关用的电...
山岸利幸森田浩一
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半导体元件以及栅极驱动装置
半导体元件以及栅极驱动装置。半导体元件具有第1导电型第1半导体区域、第1半导体区域上的第2导电型第2半导体区域、在第2半导体区域上且杂质浓度比第2半导体区域低的第2导电型第3半导体区域、第3半导体区域上的第1导电型第4半...
高桥健一郎
LED驱动装置和LED照明装置
本发明提供LED驱动装置和LED照明装置。该LED驱动装置将交流输入电力转换成所希望的直流输出电力并提供给LED负载（2）和与LED负载（2）的色温不同的LED负载（3），该LED驱动装置具备：被导通截止控制的开关元件（...
木村研吾吉永充达
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谐振转换器
本发明提供能够得到适合于音频用途的负载调节率的谐振转换器。该谐振转换器构成为，将开关元件(Q1)和开关元件(Q2)与直流电源(Vin)串联连接，在开关元件(Q2)上并联连接具有漏电感的变压器(T)的1次绕组(Np)与电流...
石仓启太麻生真司
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半导体装置
本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极...
町田修岩渕昭夫
准谐振控制方式的开关电源装置
本实用新型提供一种准谐振控制方式的开关电源装置，其通过简单的结构来降低开关损耗和开关噪声。该准谐振控制方式的开关电源装置的特征在于，具有：开关元件，其在栅极与漏极的端子间具有电容性耐压结构；检测部，其与所述电容性耐压结构...
栗原爱季
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自举电路
一种自举电路，该自举电路包括N沟道MOS晶体管和限流部件，该N沟道MOS晶体管包括：第一N型半导体层，该第一N型半导体层形成在P型半导体基板的一表面上并且电连接至一自举电容器；P型半导体层，该P型半导体层形成在所述第一N...
坂井邦崇前川祐也原雅人久保田英幸
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半导体装置的制造方法、半导体装置
本发明提供半导体装置的制造方法、半导体装置，其通过简易的制造方法获得利用焊锡进行接合情况下的高可靠性。首先，使温度上升到预热温度（区域Ⅰ：升温步骤）。接着，该预热温度被保持50～120秒钟（区域Ⅱ：预热步骤）。预热温度为...
佐藤慧
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半导体晶片及半导体装置
本发明提供一种半导体晶片及半导体装置，其具有能够在抑制裂纹的产生的同时被厚膜化，且具有导电性的氮化物半导体层。该半导体晶片具有：多层膜，其具有由未掺杂的第1氮化物半导体层和晶格常数比该第1氮化物半导体层大的未掺杂的第2氮...
松尾哲二
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半导体装置及其制造方法
本发明公开一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置具有：第一半导体层(1)、在第一半导体层(1)上形成的第二半导体层(4)、在第二半导体(4)上以岛状形成的第三半导体层(5)、在第二半导体层(4)及第三半导体层(5)上...
鸟居克行杉山欣二
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