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马鞍山市槟城电子有限公司

作品数：45 被引量：0H指数：0
相关机构：中国电子技术标准化研究院北京无线电计量测试研究所北京科环世纪电磁兼容技术有限责任公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 43篇专利
  • 2篇标准

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 17篇半导体
  • 11篇芯片
  • 9篇放电
  • 7篇晶圆
  • 6篇电压
  • 6篇电压保护
  • 6篇电子设备
  • 6篇封装
  • 6篇衬底
  • 5篇外延层
  • 5篇开关型
  • 5篇过电压
  • 5篇过电压保护
  • 5篇过电压保护装...
  • 5篇半导体器件
  • 5篇保护装置
  • 4篇导电类型
  • 4篇通流能力
  • 4篇阻抗
  • 4篇扩散

机构

  • 45篇马鞍山市槟城...
  • 2篇北京邮电大学
  • 2篇东南大学
  • 2篇中国计量科学...
  • 2篇中国电子技术...
  • 2篇中国合格评定...
  • 2篇北京科环世纪...
  • 2篇北京无线电计...
  • 2篇扬芯科技(深...
  • 2篇中家院(北京...
  • 2篇西安优来测科...
  • 2篇学研究院
  • 2篇浙江诺益科技...
  • 2篇重庆仕益产品...
  • 2篇江苏省计量科...
  • 2篇广州赛宝计量...
  • 2篇广州市诚臻电...
  • 2篇深圳市槟城电...
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇中山职业技术...

作者

  • 2篇崔强
  • 1篇李莉
  • 1篇孟东林
  • 1篇周忠元
  • 1篇刘潇

年份

  • 15篇2024
  • 15篇2023
  • 3篇2022
  • 12篇2021
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体放电管及过电压保护装置
本实用新型实施例公开了一种半导体放电管及过电压保护装置。其中，半导体放电管包括：第一导电类型的半导体衬底、第一导电块和两个电极；在半导体衬底的任一器件单元区中，在半导体衬底上设置有被第一导电类型的本体区所间隔的第二导电类...
蔡锦波陈林
文献传递
一种芯片封装结构
本实用新型公开了芯片封装结构。其中，芯片封装结构，包括至少一个表面金属化的芯片，芯片的两侧设置有导电连接层，在其至少一侧设置有至少一个电极与所述导电连接层电连接，其中，所述电极为铁基电极，所述铁基电极为钢电极、铁电极或铁...
付猛张取
一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置
本发明实施例公开了一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置。其中，半导体放电管的制作方法包括：在半导体衬底的任一器件单元区中，在半导体衬底上形成被第一导电类型的本体区所间隔的第二导电类型的第一扩散区和第二扩散区；在半...
蔡锦波陈林
文献传递
一种半导体器件的制作方法
本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法，该半导体器件的制作方法包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一个或多个：其中，第一制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第一保护层；通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露半导...
蔡锦波孙江涛
文献传递
单向台面瞬态抑制二极管及其制备方法
本发明公开了一种单向台面瞬态抑制二极管及其制备方法，制备方法，包括：提供P型衬底；在P型衬底的顶面生长第一保护层，底面生长第二保护层；采用光刻工艺在第一保护层的顶面形成第一光刻图案，并基于第一光刻图案刻蚀，形成第一注入区...
王陶管国栋
一种密封放电器件
本实用新型公开了一种密封放电器件，放电器件包括至少一个中空绝缘体和至少两个电极；所述电极分别通过密封件密封所述中空绝缘体，从而形成至少一个密闭腔体和电极之间的放电间隙，所述电极为铁基电极，其中，所述铁基电极为钢电极、铁电...
付猛刘跃建
放电电路、浪涌保护电路、点火电路及电子设备
本发明实施例公开了一种放电电路、浪涌保护电路、点火电路及电子设备。其中，该放电电路包括至少两个开关型器件和至少两个阻抗支路，其中，至少两个开关型器件串联连接后的两端分别与放电电路的第一端和第二端电连接；阻抗支路与开关型器...
沈能文周垠群
文献传递
辐射骚扰1 m法天线系数测量方法
崔强付君何鹏刘潇李志鹏孟东林李莉周忠元马蔚宇陈政宇李立嘉叶畅郑益民杨红波张峰衔靳冬李金龙梁吉明黄雪梅李楠张常军易浦飞张云蕾李海洋马麟肖建军刘易勇徐澹张子良亓新孙剑辉卢炎汉王泽堂刘洋蔡正兵张成徐新刘文芳梁良朱堃余洪文王少启曹暘李中杰林虹
一种半导体器件的划片方法及系统
本发明公开了一种半导体器件的划片方法及系统。半导体器件包括衬底和玻璃钝化层；玻璃钝化层位于衬底上；半导体器件的划片方法包括：控制激光器按照预设功率及预设频率发射预设波长的激光光线至振镜；控制振镜按照预设速度和预设路径移动...
孙江涛
一种瞬态二极管
本实用新型公开了一种瞬态二极管。包括：器件主体；所述器件主体包括：至少一个第一双向半导体芯片、至少一个第二双向半导体芯片和导电层；所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导体芯片之间设置有所述导电层，使所述第一双向半导体芯...
蔡锦波陈林
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