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IMEC 非营利协会

作品数：442 被引量：0H指数：0
相关机构：天主教鲁汶大学根特大学荷兰应用自然科学研究组织TNO更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 442篇中文专利

领域

  • 88篇电子电信
  • 36篇自动化与计算...
  • 13篇文化科学
  • 10篇一般工业技术
  • 10篇理学
  • 7篇电气工程
  • 6篇金属学及工艺
  • 5篇医药卫生
  • 4篇机械工程
  • 4篇轻工技术与工...
  • 2篇化学工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇语言文字

主题

  • 97篇半导体
  • 52篇基材
  • 51篇掩模
  • 47篇导体
  • 47篇蚀刻
  • 45篇半导体结构
  • 44篇栅极
  • 42篇晶体管
  • 37篇半导体器件
  • 36篇图案化
  • 30篇图案
  • 29篇纳米
  • 28篇电池
  • 28篇沟道
  • 27篇堆叠
  • 25篇导电
  • 25篇电路
  • 24篇漏极
  • 23篇图像
  • 20篇源极

机构

  • 442篇IMEC 非...
  • 70篇天主教鲁汶大...
  • 26篇根特大学
  • 21篇荷兰应用自然...
  • 8篇布鲁塞尔自由...
  • 4篇富士胶片株式...
  • 2篇美科股份有限...
  • 2篇道达尔销售服...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇安特卫普大学
  • 1篇松下电器产业...
  • 1篇株式会社斯库...
  • 1篇巴科股份有限...

年份

  • 6篇2024
  • 76篇2023
  • 65篇2022
  • 59篇2021
  • 69篇2020
  • 62篇2019
  • 47篇2018
  • 30篇2017
  • 17篇2016
  • 10篇2015
  • 1篇2014
共 442 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
储存数据的方法
本公开涉及一种将数据储存在聚合物中的方法。数据包括比特序列，并且该方法包括接收(301)要储存的比特序列并且提供(302)一组不同的同双官能单体的步骤。每个同双官能单体包括具有相同的官能团的核心结构，相同的官能团被附连在...
K·简恩斯T·斯塔肯伯格F·霍尔斯滕斯
文献传递
形成防尘薄膜的方法
本发明构思涉及一种形成用于极紫外光刻的防尘薄膜的方法，所述方法包括：在碳纳米管防尘薄膜膜片的主表面的外周区域上形成第一材料的涂层，所述防尘薄膜片包括碳纳米管膜，将所述碳纳米管防尘薄膜膜片置于防尘薄膜框架上，并且所述外周区...
M·蒂默曼斯E·加拉赫I·波兰迪亚H·C·阿德尔曼C·惠耿巴尔特J·U·李
用于半导体制造工艺的计量方法和装置
本发明涉及一种用于确定在半导体量产晶片(即，在制造工艺中使用的晶片以在该晶片上产生多个芯片)上产生的芯片的图案化层中的特征的尺寸的方法和装置。图案化层的产生包括光刻步骤和蚀刻步骤，其中，为了产生图案化层而施加的光刻掩模被...
C·奥斯尼特V·特鲁弗特
文献传递
谐振器
一种用于形成经修改的谐振器(22)的方法，该方法包括：a.在衬底(1)之上获得谐振器(2)，该谐振器(2)包括铌或钽，由此形成该谐振器(2)的底面与该衬底(1)的顶面之间的界面区域(21)，以及b.用液体酸性蚀刻溶液来将...
A·帕科M·蒙吉洛A·波托奇尼克D·万J·韦尔乔
文献传递
用于电力电子器件的基于III-N的基材及其制造方法
用于电力电子器件的基于III‑N的基材，其包括：基底、在基底上的III‑N层叠体、以及在基底和III‑N层叠体之间的缓冲层结构。缓冲层结构至少包括第一超晶格层叠体、以及在第一超晶格层叠体上的第二超晶格层叠体。第一超晶格层...
赵明
文献传递
二维层的转移
一种使膜与基材层离的方法。该方法包括：提供(210)第一材料的基材(101)，在其顶部上具有第二材料的膜(102)；使用粘合剂(106)将膜(102)粘合到载体(108)；将超临界流体引入膜(102)和基材(101)之间...
S·布雷姆斯C·胡耶巴尔特K·维古斯
极紫外光刻设备
本发明涉及一种极紫外光刻EUVL设备(20)，包括：掩模版(220)，其包括要被成像在目标晶片(250)上的光刻图案；安装在掩模版(220)之前并与之平行的透光式防护膜(232)，其中该防护膜(232)使透射光沿着优先散...
J-H·弗兰克E·加拉赫
用于制造光学器件的方法
本发明涉及光学器件的技术领域。本发明具体提出了一种用于制造光学器件的方法。光学器件可以是发光二极管(LED)器件，例如微型LED(μLED)器件或光电二极管(PD)器件，例如成像器。该方法包括在第一半导体晶片上处理包括多...
S·斯台德A·米特雅辛E·贝内M·罗斯莫伦
文献传递
应变的第IV族通道
本申请涉及应变的第IV族通道。半导体结构包括：a.具有顶表面的单晶基材(1)，b.位于所述单晶基材上的非晶体结构(2)，其包括宽度小于10微米的开口并且将所述单晶基材的顶表面的部分暴露出来，c.缓冲结构(3)，其具有与所...
B·库纳特R·兰格G·埃内曼
文献传递
金属-有机骨架的选择性沉积
一种用于在基材(10)中的外露介电位置(130)上选择性地形成低k介电膜(140)的方法(200)，所述方法(200)包括：利用区域选择性沉积法使用一个或更多个沉积循环在所述外露介电位置(130)上选择性地沉积(210)...
M·克里斯塔布S·阿米尼I·斯塔森R·阿姆洛特
文献传递
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