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浙江驰拓科技有限公司

作品数：410 被引量：3H指数：1
相关机构：中电海康集团有限公司华中科技大学南京大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金辽宁省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术交通运输工程建筑科学电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 406篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 114篇自动化与计算...
  • 52篇交通运输工程
  • 51篇建筑科学
  • 35篇电子电信
  • 18篇文化科学
  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇理学
  • 3篇化学工程
  • 3篇医药卫生
  • 2篇经济管理
  • 2篇矿业工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 133篇隧道结
  • 106篇MRAM
  • 99篇存储器
  • 88篇磁性隧道结
  • 67篇自旋
  • 66篇电路
  • 52篇底电极
  • 48篇势垒
  • 47篇势垒层
  • 47篇磁隧道结
  • 40篇刻蚀
  • 38篇磁性
  • 32篇芯片
  • 31篇磁矩
  • 30篇存储阵列
  • 29篇电阻
  • 29篇铁磁
  • 28篇磁存储
  • 22篇电极
  • 22篇读写

机构

  • 410篇浙江驰拓科技...
  • 125篇中电海康集团...
  • 16篇华中科技大学
  • 8篇南京大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 16篇刘冬生
  • 3篇徐永兵
  • 2篇陈丽娜
  • 2篇阮学忠
  • 1篇张伟
  • 1篇虞勇坚

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇环境技术
  • 1篇中国科技期刊...
  • 1篇当代会计

年份

  • 40篇2024
  • 104篇2023
  • 101篇2022
  • 92篇2021
  • 70篇2020
  • 3篇2019
共 410 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
磁性存储器及其制备方法
本发明提供一种磁性存储器及其制备方法，所述磁性存储器包括至少一个混合存储阵列，所述混合存储阵列包括相邻设置的STT‑MRAM阵列和SOT‑MRAM阵列，其中，所述STT‑MRAM阵列包括按阵列排布的STT‑MRAM存储单...
孟皓迟克群
一种AES密码协处理器及终端设备
本发明属于信息安全技术领域，具体涉及一种AES密码协处理器及终端设备，包括：运算控制模块、密钥扩展运算模块、数据存储管理模块以及STTMRAM存储模块；运算控制模块采用加解密数据通路复用结构，加密和解密数据通路复用原始密...
刘冬生卢楷文刘星杰张聪陆家昊刘波
文献传递
MRAM芯片结构的制作方法
本发明提供了一种MRAM芯片结构的制作方法。制作方法包括：提供表面具有阵列区和逻辑区的衬底，阵列区和逻辑区中具有底电极和磁性隧道结；在磁性隧道结上形成层叠设置的顶电极和掩膜层，底电极、磁性隧道结和顶电极构成磁性隧道结单元...
郑泽杰王跃锦何世坤
MTJ器件
本发明提供一种MTJ器件，所述MTJ器件包括：依次层叠设置的固定层、绝缘势垒层和自由层，其中，所述固定层和所述自由层垂直磁化，所述自由层的厚度大于所述MTJ器件的直径，所述自由层包括层叠设置的第一自由层和第二自由层，所述...
何世坤杨晓蕾
磁隧道结势垒层及势垒叠层制备方法
本发明提供一种磁隧道结势垒层制备方法，包括：形成至少一层第一势垒层，其中，每一层第一势垒层的形成包括：采用金属氧化物进行沉积，形成待处理的第一势垒层；将所述待处理的第一势垒层暴露于氧化环境进行氧处理，形成预处理的第一势垒...
高扬宫俊录
测定磁性超薄膜磁性均一度的方法及其应用
本发明提供了一种测定磁性超薄膜磁性均一度的方法及其应用。该方法包括：步骤S1，提供磁性超薄膜样品，并采用铁磁共振法获取磁性超薄膜样品的铁磁共振谱；步骤S2，根据铁磁共振谱建立磁性超薄膜样品的半高全宽随微波频率变化的第一关...
何世坤
文献传递
磁性隧道结刻蚀方法
本发明提供一种磁性隧道结刻蚀方法，包括：提供待刻蚀件，所述待刻蚀件至少包括由下向上依次形成的参考层、第一隧穿层、自由层和覆盖层；对所述待刻蚀件进行第一次刻蚀形成第一刻蚀件，第一次刻蚀在硬掩模覆盖之外部分的刻蚀终点位置高于...
王曙光钱虓杨成成冀正辉刘瑞盛李辉辉
文献传递
存储器、存储器的写入方法和读取方法
本申请公开了一种存储器、存储器的写入方法和读取方法。其中，存储器包括自旋轨道矩提供层、两个存储位元、两个二极管、第一位线、第二位线、字线、源线和晶体管，其中，自旋轨道矩提供层的一端与第一位线连接，自旋轨道矩提供层的另一端...
殷标孟皓迟克群李州
文献传递
MTJ器件的制作方法
本申请提供了一种MTJ器件的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在衬底表面上设置功能膜，形成预成品，功能膜包括MTJ膜；步骤S2，在功能膜的远离衬底的表面上设置离子注入掩膜材料，并对离子注入掩膜材料进行图形化处理得到离子...
喻涛左正笏陈志刚谷勋刘瑞盛
文献传递
一种SOT-MRAM单元和存储器
本申请公开了一种SOT‑MRAM单元和存储器，涉及磁随机存储领域，包括：自旋轨道矩提供线；设于自旋轨道矩提供线上的至少两个间隔的磁隧道结，其中，磁隧道结包括至少两层介质层和层叠的自由层、参考层、钉扎层，其中一层介质层设于...
何世坤陈明博张楠
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