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无锡华润上华科技有限公司
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无锡华润上华半导体有限公司
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2010
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钴硅薄膜的制备方法和用于制备钴硅薄膜的半导体结构
本发明涉及一种钴硅薄膜的制备方法和用于制备钴硅薄膜的半导体结构,该钴硅薄膜的制备方法包括在硅衬底上形成富硅氧化物层,在富硅氧化物层上形成钴金属层,在钴金属层上形成第一反应层,然后进行硅化处理,由于第一反应层的第一物质从富...
缪海生
徐少辉
冯冰
层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法
本发明涉及一种层间介质层和层间介质层内接触孔的刻蚀方法,利用双刻蚀阻挡层结构,可以减少各区域厚度不同的ILD层的刻蚀进度差异,使不同厚度区域的刻蚀进度差异大幅缩小。提高刻蚀的均匀性,防止氧化膜层过薄区域的阻挡层被过早刻穿...
李健
文献传递
一种LPCVD沉积多晶硅的方法
本发明揭示了一种LPCVD沉积多晶硅的方法,通过在沉积之前分阶段升温,以及在沉积之后分阶段降温,从而使管壁上的沉积颗粒物在温度变化过程中能够脱落,然后利用同步的氮气吹洗,保证这些颗粒物不会对晶圆表面造成污染,不仅增加了多...
权昊
文献传递
曝光方法
本发明提供了一种曝光方法,其包括以下步骤:对光刻版进行曝光,将其上的测试图形曝光后投影到圆片上;调整曝光镜头相对所述光刻版上的x方向移动第一步进距离或相对所述光刻版y方向移动第二步进距离;曝光,并投影缩放到圆片上;其中,...
黄玮
文献传递
MOS器件及其制造方法
一种MOS器件,包括衬底、在所述衬底内形成的阱区以及位于阱区内且相对设置的源端和漏端,在所述源端和所述漏端之间形成掺杂浓度均匀的表面沟道区域。采用本发明的结构,沟道区采用外延淀积的方式,其掺杂浓度均匀,浓度和厚度容易控制...
王乐
文献传递
静电保护结构及其制备方法
本申请涉及一种静电保护结构及其制备方法,包括衬底、埋层、第一深阱、第二深阱及第三深阱,第一深阱中设有相反导电类型的阱区和相同导电类型的重掺杂区,第二深阱及第三深阱中分别设有相同导电类型的阱区和重掺杂区,且第一深阱、第一阱...
孙俊
反激变换器及其输出电压获取方法、装置
本发明涉及一种反激变换器及其输出电压获取方法、装置,其中输出电压获取方法包括以下步骤:获取反激变换器的参考输出电压;在反激变换器的连续M个开关周期的每个开关周期的复位时间内,采样反激变换器的当前输出电压,其中,M为正整数...
孙伟锋
张华鑫
张琥
余梦霖
赵思宇
徐申
时龙兴
文献传递
一种光刻检查图形结构
本发明涉及一种光刻检查图形结构,所述结构至少包括对位游标图形,所述对位游标图形包括:第一层次对位图形,作为形成于第一层的图案的对位标记,所述第一层次对位图形选用若干相互间隔的宽度不大于2μm的条形图案;第二层次对位图形,...
顾嘉威
杨顺舟
兰云
马如军
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一种多晶硅蚀刻方法
本发明提供一种多晶硅蚀刻方法,其包括:提供在基底上依次形成有多晶硅层和光刻胶图形的晶圆;将所述晶圆放入蚀刻腔体,以光刻胶图形为掩膜干法蚀刻多晶硅层,在干法蚀刻多晶硅层的过程中会在所述光刻胶图形的侧壁上形成聚合物;向所述刻...
周耀辉
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风机盘管组件及其风机盘管进风口的过滤装置
本发明公开了一种风机盘管组件及其风机盘管进风口的过滤装置,该风机盘管进风口的过滤装置包括过滤器,过滤装置还包括:导向装置,固定在风机盘管进风口的端部,用于导向过滤器的上下移动;以及驱动装置,与过滤器连接,驱动过滤器沿导向...
于凯歌
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