飞索半导体 作品数:31 被引量:12 H指数:1 相关作者: 袁华 邢洁 张志奇 何健 马良俊 更多>> 相关机构: 苏州大学 中国科学院 宜昌市自动化研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 自动化与计算机技术 电子电信 经济管理 建筑科学 更多>>
应用串行NOR闪存提升内存处理能力 2012年 在线座谈(Online Seminar)是中电网于2000年推出的创新服务,通过"视频演示+专家解说+在线问答"三位一体相结合的形式,充分发挥网络平台的便捷性,实现了先进半导体技术提供商与系统设计工程师的实时互动交流,其形式和内容都广受电子行业工程师的好评。本刊每期将挑选一些精华内容整理成文,以飨读者。欲了解更多、更详细的内容,敬请登录http://seminar.eccn.com。关键词:NOR闪存 设计工程师 内存 串行 半导体技术 加速浸润方法在塑封可靠性分析中的应用 被引量:1 2010年 在对塑封集成电路进行封装可靠性评估中,预处理过程(precondition)是必经的步骤。其中的浸润测试(soak)通常在非加速条件下进行,其耗时较长。在市场竞争日趋激烈的环境下,企业迫切需要缩短新产品的可靠性验证时间。文章针对JEDEC(电子器件工程联合委员会)和JEITA(日本电子信息技术协会)标准中涉及到的三种加速浸润条件,以组件在非加速条件下(JEDEC Level 3和JEITA Rank E)潮气的穿透力、吸收量及由此产生的失效为参照,确定在加速条件下,组件达到同样的潮气吸收量并产生相类似的失效所需的时间。同时应用有限元分析的方法进行建模和计算,并与实际的测量结果比较验证。 袁华 钱敏关键词:可靠性 预处理 有限元分析 Spansion发布MirrorBit SPI Multi-I/O闪存最高支持40 MB/s读取性能 2009年 近日,全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion发布了全新的串行外设接口(SPI)MirrorBit Multi-I/O闪存产品系列,能够提供突破性的性能。该系列包括从32Mbit-128Mbit的产品,支持单个(1bit的数据总线)、2个(2bit的数据总线)或者4个(4bit的数据总线)串行输入输出数据传输,使得制造商能够更加容易地采用单个SPI设备来管理库存并且支持多种产品模型。业界领先的高达40MB/s的速率(在以4输入输出模型中,关键词:SPANSION MIRRORBIT 读取性能 MB/S SPI I/O Spansion串行闪存产品新增低容量系列和高性能DDR器件 2012年 Spansion公司日前宣布开始生产最新低容量串行闪存系列以扩大其产品阵容,并满足消费类市场和大中华区的更多应用需求。关键词:闪存产品 串行闪存 低容量 DDR 消费类 可编程的电流负载在记忆体测试程序中的应用 2009年 半导体测试作为半导体产业链中非常重要的一环,贯穿于从开发设计到包装出厂的整个过程,其测试的精度和准确率对于半导体产品的成本起至关重要的作用。决定测试过程的因数很多,测试负载的选择对于产品的速度验证及测试良率极其重要,本文介绍了测试程序中电流负载的应用方法及问题的解决。 叶佳慧 邢洁关键词:测试程序 电流负载 记忆体 半导体测试 半导体产品 MirrorBit Quad技术:第一款每单元四比特闪存 2007年 随着消费者在工作单位、家里、以及在路途中使用的数据和内容越来越多,闪存解决方案正在支持一个更加移动化、数字化以及多媒体化的全球社会。半导体公司必须提供比以前的产品成本更低、功能更强、容量更大的存储产品。Spansion正在以非易失性存储领域中的持续创新而引领市场。继在本世纪初推出MirrorBit技术之后,Spansion现在又进一步开发了MirrorBit Quad,这是世界上第一款每单元4比特闪存,必将推动闪存领域的创新。MirrorBit Quad技术能够在不导电氮化物存储介质上存储数量不同的两种电荷,具有比浮动门技术更优的成本、可靠性和制造优势。 斯本森关键词:闪存 比特 存储产品 全球社会 NOR闪存:快速发展电信医疗市场的关键所在 2013年 根据Kalorama Information调查机构的一份最新报告,电信医疗患者监视市场规模已经从2007年的42亿美元成长到了2012年的100亿美元.在另一份报告中,市场调研机构InMedica则预测全球电信医疗市场的设备与服务收入在2013年的增幅将达到55%.该数据表明,医疗市场正在进行转型,越来越多的患者在医疗机构之外也能有效地使用医疗设备. Jeff Shiner关键词:NOR闪存 电信 影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究 被引量:1 2007年 静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准。基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释。 邢洁 王明湘 何健关键词:静电放电 Spansion发布MirrorBit~SPI Multi-I/O闪存 最高支持40MB/s读取性能 2009年 2009年5月25日,加州桑尼维尔讯——全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion近日发布了全新的串行外设接口(SPI)Mirror Bit Muhi-I/O闪存产品系列,能够提供突破性的性能。该系列包括从32MB~128MB的产品,支持单个(1bit的数据总线)、2个(2bit的数据总线)或者4个(4bit的数据总线)串行输入输出数据传输,关键词:MIRRORBIT SPANSION 读取性能 I/O 闪存 SPI Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR闪存 2014年 日前,全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司宣布推出突破性的Spansion HyperBus^TM接口,它能极大地提高读取性能并减少引脚数量和空间。主要的片上系统(SoC)制造商都正在广泛部署Spansion HyperBus接口。关键词:S接口 闪存 读取性能 片上系统