湖南红太阳光电科技有限公司
- 作品数：590 被引量：80H指数：5
- 相关作者：赵保星更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团中南大学中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目云南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 一种多晶铸锭用坩埚护板
- 本实用新型公开了一种多晶铸锭用坩埚护板，包括板体，所述板体上开设有气流口，所述气流口的至少一部分壁面与所述板体的内表面之间设有第一过渡圆弧，本实用新型具有结构简单、能够有助于气流的流动，能够经受撞击和热冲击等优点。
- 黄美玲明亮瞿海斌段金刚邱昊
- 文献传递
- 一种全铝背场晶体硅电池及其制备方法
- 本发明公开了一种全铝背场晶体硅电池及其制备方法。该全铝背场晶体硅电池，包括硅片层（7），在硅片层（7）背面依次贴合有P+钝化层（5）和铝背导电层（4），该铝背导电层（4）上设有背电极（6）。该方法是首先在太阳电池背面的除...
- 郭进姬常晓刘文峰任哲
- 文献传递
- 一种硅片上料系统及方法
- 本发明公开了一种硅片上料系统，包括机架、硅片转运机械臂、载板输送装置、载板定位装置及升降装置，升降装置设于机架上，升降装置用于带动载板输送装置升降，载板定位装置包括定位座、载板支撑板、多个移动机构及多个视觉检测机构，定位...
- 李祥辉李智陈冲
- 一种光伏电池用硅片载具清洗设备
- 本实用新型公开了一种光伏电池用硅片载具清洗设备，包括工作台、移动模组、和清洗机构，移动模组设于工作台上，清洗机构设于移动模组上，清洗机构包括激光发生器、光学整形镜组、聚焦透镜和扫描振镜，激光发生器通过光纤与光学整形镜组连...
- 郭观林张威李斯李斌
- 文献传递
- 一种连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备及其使用方法
- 本发明公开了一种连续式真空紫外光臭氧表面清洗与氧化改性设备及其使用方法。为了解决现有的紫外光/臭氧表面清洗与氧化改性设备中存在的工艺时间过长，设备自动化程度不高的问题，所述表面清洗与氧化改性设备主要由上下料传送系统、预热...
- 谢振勇成秋云吴得轶李晔纯周顺峰
- 柔性钙钛矿太阳能电池机械稳定性研究进展
- 2024年
- 本文旨在综述近年来柔性钙钛矿太阳能电池(FPSC)机械稳定性研究的主要进展。本文对近年来FPSC机械稳定性相关的研究论文进行梳理和综述,对涉及的基底材料和结构的设计、界面改善方法、电极材料的优化等方面进行归纳和总结。通过研究发现,FPSC经材料和结构的优化设计,可以显著提高FPSC的机械稳定性,为其实用化和商业化提供了可能。
- 罗志敏谭瞻
- 关键词：机械稳定性
- 一种可调触发板及其控制方法
- 本发明公开了一种可调触发板及其控制方法，此可调触发板具体包括电源单元和集成应用电路单元，集成应用电路单元的输入端与电源单元的输出端相连；电源单元包括直流稳压源电路和RC串并联电路，RC串并联电路包括可调电阻R01、电阻R...
- 黄心沿刘东明龙会跃闫海莲谢成刘刚朱辉
- 大尺寸PERC晶体硅太阳电池低压扩散工艺的研究
- 2022年
- 210 mm大尺寸硅片已成为光伏行业的发展主流,但相比158 mm、166 mm的硅片,对采用210 mm大尺寸硅片的晶体硅太阳电池扩散工艺的研究尚处于探索阶段。研究了炉尾温度、工艺压力、进气口与石英舟端板距离、快速降温等因素对210 mm大尺寸硅片在低压扩散工艺后的方阻及制备的PERC晶体硅太阳电池良率的影响。研究结果表明:低压扩散工艺中大尺寸硅片方阻对炉尾温度、工艺压力更为敏感;增大进气口与石英舟端板距离能够有效解决炉口硅片方阻过高及过抛的问题;快速降温在提升工艺降温速率及缩短工艺时间的同时,不会影响扩散工艺效果。
- 龙辉邹臻峰吴志明张弥涛田安
- 关键词：晶体硅太阳电池
- 一种推板式氮气氛保护烧结窑
- 本实用新型涉及一种用于所有磁性材料、钒氮合金、电池材料等推板式氮气氛保护烧结窑，包括窑腔、与窑腔尾部连接的出口横送室，所述窑腔与出口横送室的连接截面内设有可在连接截面内关闭或打开而将窑腔和出口横送室隔离或连通的隔离门。本...
- 莫庆云
- 硅铸锭中的晶粒生长和位错分布研究被引量：1
- 2021年
- 在晶体硅定向凝固过程中,以单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶为研究对象,研究籽晶晶面、籽晶尺寸及籽晶间铺设方式对晶粒生长及其位错分布的影响。研究结果表明,在单晶硅块籽晶相邻接拼时,其籽晶接拼处容易产生位错聚集,其中相同晶面籽晶间接拼处位错产生的概率较不同晶面籽晶接拼处大。在只有单晶块籽晶竞争时,(110)晶面横向生长速度快,能侵占(100)晶面晶粒的生长空间。当单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶相邻接拼时,单晶晶粒的生长空间逐渐被多晶晶粒吞并,其中单晶(110)晶面抗多晶侵占的能力和抗位错能力比(100)晶面强;同时,单晶硅块籽晶尺寸越小,铸锭晶粒相对更均匀,晶体中的位错水平越低。
- 明亮黄美玲段金刚刘文峰周浪周浪
- 关键词：晶粒生长位错晶体结构籽晶晶面
