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硅存储技术公司

作品数：305 被引量：0H指数：0
相关机构：复旦大学上海交通大学加州大学评议会更多>>
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相关领域：自动化与计算机技术电子电信经济管理文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 304篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 31篇自动化与计算...
  • 4篇电子电信
  • 3篇经济管理
  • 1篇文化科学

主题

  • 208篇存储器
  • 102篇存储器单元
  • 95篇非易失性
  • 81篇浮栅
  • 56篇闪存
  • 56篇沟道
  • 56篇擦除
  • 47篇极区
  • 45篇半导体
  • 42篇导电类型
  • 40篇电路
  • 36篇导电
  • 36篇编程
  • 31篇存储器阵列
  • 28篇栅极
  • 28篇闪存存储
  • 28篇闪存存储器
  • 28篇非易失性存储
  • 26篇电压
  • 26篇非易失性存储...

机构

  • 305篇硅存储技术公...
  • 17篇复旦大学
  • 10篇上海交通大学
  • 4篇加州大学评议...
  • 3篇新加坡科技研...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇技术公司

作者

  • 12篇林殷茵
  • 10篇冯洁
  • 5篇吕杭炳
  • 1篇吴良才
  • 1篇宋志棠
  • 1篇冯高明
  • 1篇封松林
  • 1篇刘波

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 4篇2024
  • 9篇2023
  • 6篇2022
  • 17篇2021
  • 18篇2020
  • 24篇2019
  • 34篇2018
  • 42篇2017
  • 25篇2016
  • 21篇2015
  • 11篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 10篇2009
  • 16篇2008
  • 11篇2007
  • 16篇2006
  • 9篇2005
共 305 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
形成低高度分裂栅存储器单元的方法
本公开提供了一种形成存储器器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成导电材料层；在所述导电材料层上形成绝缘块；沿着所述绝缘块的侧表面并且在所述导电材料层上形成绝缘间隔物；蚀刻所述导电材...
C-S.苏J-W.杨M-T.吴C-M.陈H.V.陈N.杜
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用于抑制对闪存存储器系统中的未被选择的位线进行编程的方法和设备
本发明公开了用于抑制对耦接至未被选择的位线的存储器单元的编程同时对耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元进行编程的各种实施方案。还公开了用于在耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元的编程期间补偿泄漏电...
H.V.陈A.李T.于H.Q.阮
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用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置
用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置。本发明公开了一种方法和装置，以用于减少由于寄生电容和寄生电阻而导致闪存存储器系统中的字线和控制栅极线之间原本可能出现的耦合。所述闪存存储器系统包括被组织成行...
钱晓州K.M.岳罗光燕
非易失浮栅存储单元及其阵列以及其形成方法
非易失存储单元具有第一导电类型的单晶半导体材料，如单晶硅。在半导体材料中形成每个为第二导电类型的彼此隔开的第一和第二区，所述第二导电类型不同于第一导电类型。具有第一部分和第二部分的沟道区连接第一和第二区用于传导电荷。电介...
B·陈D·李B·叶
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基于面板的引线框封装方法和装置
封装的半导体管芯具有预先形成的引线框，该引线框具有中央凹进部分和多个导电引线。集成电路管芯具有顶表面和与其相对的底表面，所述顶表面具有多个接合焊盘，用于电连接到管芯。管芯被布置在所述中央凹进部分中，其中所述顶表面具有面向...
C.L.蔡L-C.王T-P.林
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相变存储单元阵列写电流的对称位线补偿方法
本发明属大规模数字集成电路技术领域，具体为一种利用对称位线补偿相变存储单元阵列写电流不均匀性的方法。该方法利用一根与原位线相同的连接线，按比例模拟位线的电阻分布，进而对称地补偿原位线分布电阻引起的电压降，以提高写电流的均...
林殷茵洪洋刘欣丁益青汤庭鳌陈邦明
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基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法
本发明属微电子技术领域，具体为一种基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法。相变存储器件中包括：具有半导体薄膜特性的字线、一个或多个金属电极、具有半导体薄膜特性的相变材料、具有半导体薄膜特性的位线。以所述字线或位线与相...
林殷茵唐立汤庭鳌陈邦明
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具有高K电介质和金属栅的非易失性存储器单元
一种非易失性存储器，包括第一导电类型的衬底，在其中形成的第二导电类型的第一和第二分隔开的区，在其间的沟道区。多晶硅金属栅字线被设置在沟道区的第一部分的上方并通过高K电介质层与其分隔开。字线的金属部分紧密地邻近于高K电介质...
A.科托夫C-S.苏
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将存储器单元用作源极线下拉电路的闪速存储器系统
本发明涉及将伪存储器单元用作源极线下拉电路的闪速存储器装置。具体地，提供一种闪速存储器系统，包括：闪速存储器单元，包括第一源极线和位线；伪闪速存储器单元，包括耦合到所述第一源极线的第二源极线以及伪位线，其中所述第二源极线...
H·V·特兰白宁Q·饶P·哈扎维余启文
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通过减小掺杂剂在栅极之下的扩散来形成存储器单元的方法
一种形成存储器单元的方法包括：在衬底上方形成导电浮置栅极，在所述浮置栅极上方形成导电控制栅极，在所述浮置栅极的一侧横向形成导电擦除栅极并在所述浮置栅极的所述一侧的相对侧横向形成导电选择栅极。在所述浮置栅极和所述选择栅极形...
X.刘M.塔达尤尼C-S.苏N.杜
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