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深圳基本半导体有限公司

作品数：219 被引量：0H指数：0
相关机构：深圳青铜剑科技股份有限公司华为技术有限公司上汽通用五菱汽车股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 215篇专利
  • 4篇标准

领域

  • 55篇电子电信
  • 24篇自动化与计算...
  • 6篇化学工程
  • 6篇金属学及工艺
  • 2篇经济管理
  • 2篇电气工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 42篇芯片
  • 40篇碳化硅
  • 38篇功率模块
  • 28篇基板
  • 27篇半导体
  • 24篇封装
  • 19篇氧化层
  • 18篇源区
  • 18篇肖特基
  • 17篇刻蚀
  • 16篇半导体器件
  • 15篇雪崩
  • 15篇二极管
  • 14篇金属
  • 13篇封装结构
  • 11篇电子设备
  • 11篇散热
  • 9篇栅氧化
  • 9篇栅氧化层
  • 9篇散热结构

机构

  • 219篇深圳基本半导...
  • 3篇深圳青铜剑科...
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国汽车技术...
  • 1篇华为技术有限...
  • 1篇有色金属技术...
  • 1篇中国计量大学
  • 1篇沈阳星光技术...
  • 1篇河北普兴电子...
  • 1篇武汉中原电子...
  • 1篇北京汽车股份...
  • 1篇上汽通用五菱...
  • 1篇哈尔滨科友半...
  • 1篇北京中科新微...
  • 1篇北京国家新能...
  • 1篇山西烁科晶体...
  • 1篇湖南三安半导...
  • 1篇杭州高坤电子...

作者

  • 1篇裴选

年份

  • 33篇2024
  • 70篇2023
  • 52篇2022
  • 29篇2021
  • 15篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 12篇2017
共 219 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
功率模块
本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体是涉及功率模块，包括：散热组件以及功率组件，所述散热组件贴设在所述功率组件的底部，所述散热组件一体成型，所述散热组件内部具有腔体，所述散热组件的两侧分别设有进液口以及出液口，所述进液...
丁宇鹏和巍巍周福鸣汪之涵
一种碳化硅通孔结构及其制备方法
本申请提供了一种碳化硅通孔结构，包括依次层叠设置的阻挡层、浸润层、种子层、填充层和抗反射层；所述阻挡层包括第一Ti层和第一TiN层；所述浸润层的材质为Ti；所述种子层的材质为Al；所述填充层包括Cu和Al；其中，所述Cu...
温正欣韩晓宁田丽欣张学强
基于复合膜层自对准工艺制备MOS器件的方法及器件
本申请提供了一种基于复合膜层自对准工艺制备MOS器件的方法及器件，所述方法包括：在碳化硅外延片依次沉积屏蔽层和掩膜层；其中，所述屏蔽层为氮化硅层，所述掩膜层为依次层叠的多晶硅层和第一二氧化硅层；依据预设蚀刻形状对所述多晶...
张帅汪之涵温正欣
加速SiC MOSFET双极退化的测试方法及装置
本申请提供了加速SiC MOSFET双极退化的测试方法及装置，所述方法包括：获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，...
汪之涵温正欣刘恒
一种液冷型针翅散热结构
在本申请的实施例中提供了一种液冷型针翅散热结构，本申请提供了包括散热底板、散热翅片、伸缩挡板组件以及用于控制所述伸缩挡板组件的触发组件；所述散热底板一面设有用于和待散热装置贴合的散热区域，所述散热底板另一面设有所述散热翅...
黄玲和巍巍周福鸣
功率模块及其封装方法
本申请提出一种功率模块及其封装方法，所述封装方法包括如下步骤：贴装步骤、烧结步骤、金属线键合步骤、超声焊接步骤和灌封步骤。本申请通过优化工艺设计，实现了整个封装过程的去回流焊、去锡膏，突破了传统工艺的技术壁垒，解决了传统...
揭丽平
一种用于功率芯片与PCB基板之间的连接工艺
本发明提供了一种用于功率芯片与PCB基板之间的连接工艺，连接工艺包括：建立由第一PCB基板、功率芯片、泡沫金属、第二PCB基板依次层叠形成的搭接结构；搭接结构通过温度工艺曲线处理，将泡沫金属与功率芯片进行连接，以及将泡沫...
唐宏浩和巍巍傅俊寅
一种集成电路芯片散热结构
本发明公开了一种集成电路芯片散热结构，包括基底和基板。所述基底呈中空状，且一端开口形成收容槽。所述基底相对的两侧壁上分别设有与收容槽连通的第一接口及第二接口，第一接口用于向收容槽中注入冷却介质，第二接口用于将收容槽中的冷...
杜蕾张振中和巍巍汪之涵
文献传递
一种FRD结构及其制作方法和应用
本申请提供了一种FRD结构及其制作方法和应用。其中，FRD结构包括衬底和覆于衬底的终端环形场氧化层，终端环形场氧化层沿衬底的周缘环形设置，终端环形场氧化层围成对应于衬底的中间位置的源区；FRD结构还包括P‑阱区和多个P+...
李学会喻双柏和巍巍汪之涵傅俊寅魏炜
一种离子注入沟道效应抑制方法
本申请公开了一种离子注入沟道效应抑制方法，所述方法包括确定屏蔽层厚度，仿真获得形成所述屏蔽层的氧化仿真参数；对确定厚度的所述屏蔽层进行离子注入仿真，获得离子注入的注入仿真参数；以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据，...
张帅和巍巍张良关
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