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上海蓝光科技有限公司

作品数：335 被引量：13H指数：2
相关作者：范曼宁更多>>
相关机构：北京大学中国科学院上海光学精密机械研究所华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会科研基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程语言文字更多>>

合作机构

文献类型

  • 308篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 7篇标准
  • 6篇科技成果

领域

  • 35篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇语言文字
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 144篇发光
  • 118篇二极管
  • 118篇发光二极管
  • 89篇光效
  • 89篇光效率
  • 72篇出光
  • 69篇出光效率
  • 66篇芯片
  • 65篇刻蚀
  • 53篇蓝宝
  • 53篇蓝宝石
  • 52篇电极
  • 52篇衬底
  • 32篇光刻
  • 31篇走道
  • 31篇半导体
  • 29篇氮化镓
  • 24篇外延层
  • 23篇多量子阱
  • 22篇划片

机构

  • 335篇上海蓝光科技...
  • 39篇北京大学
  • 10篇中国科学院上...
  • 5篇华东师范大学
  • 5篇上海芯元基半...
  • 3篇中国电子科技...
  • 2篇厦门大学
  • 2篇工业和信息化...
  • 2篇山东华光光电...
  • 2篇深圳帝光电子...
  • 2篇东莞市中镓半...
  • 2篇深圳市淼浩高...
  • 2篇工业和信息化...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇华南师范大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国计量科学...
  • 1篇中国电子技术...
  • 1篇青岛海信电器...
  • 1篇河北立德电子...

作者

  • 14篇颜建锋
  • 10篇张国义
  • 8篇齐胜利
  • 6篇李淼
  • 5篇潘尧波
  • 5篇陈志忠
  • 4篇孙永健
  • 3篇邓俊静
  • 2篇田朋飞
  • 2篇张楠
  • 2篇靳彩霞
  • 2篇范曼宁
  • 2篇董志江
  • 1篇方浩
  • 1篇李越生
  • 1篇刘鹏
  • 1篇杨柳滨
  • 1篇于彤军
  • 1篇吕姝
  • 1篇江素华

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 3篇第十五届全国...
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇光电子技术
  • 1篇信息技术与标...
  • 1篇第九届全国L...

年份

  • 1篇2019
  • 9篇2018
  • 12篇2017
  • 15篇2016
  • 21篇2015
  • 45篇2014
  • 42篇2013
  • 39篇2012
  • 36篇2011
  • 41篇2010
  • 46篇2009
  • 20篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 335 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法
一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO<Sub>2</Sub>)(302)面衬底上，在N<Sub>2</Sub>保...
周健华潘尧波颜建锋郝茂盛周圣明杨卫桥李抒智马可军
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能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法
本发明公开了一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其首先在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层，然后采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的...
郝茂盛周健华张楠陈诚潘尧波
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蓝宝石图形衬底及其制备方法和发光二极管的制造方法
本发明提供一种蓝宝石图形衬底及其制备方法和发光二极管的制造方法，先于蓝宝石衬底表面制作周期为3.9~4.1μm、间距为0.9~1.1μm、直径为2.9~3.1μm、高度为2.1~2.8μm的圆柱体光刻胶图形；然后采用感应...
袁根如郝茂盛陶淳张楠朱广敏陈诚杨杰李士涛
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发光二极管及其制作方法
本发明提供一种发光二极管及其制作方法，其中该制作方法是利用金属有机化学气相沉积技术在半导体衬底上依次生长出缓冲层及外延层，所述外延层包括N-GaN层、量子阱、及P-GaN层，及成长在所述P-GaN层上的氮化铝层，然后，利...
张楠周健华朱广敏郝茂盛
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倒装发光二极管的制备方法
本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底...
颜建锋郝茂盛李淼周健华潘尧波袁根如陈诚李士涛张国义
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自对准工艺制作凸形图形衬底的方法
本发明公开了一种用于氮化物外延生长的凸形图形衬底的制作方法-自对准工艺制作凸形图形衬底的方法。该方法通过高温处理将蓝宝石衬底上用薄光刻胶制作的多个凸形图形微结构碳化；再在其上涂覆一层厚光刻胶层，以碳化的凸形图形微结构作为...
袁根如郝茂盛陈诚
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发光二极管器件结构及其制作方法
本发明公开了一种发光二极管器件结构，由下到上依次包括如下各层：蓝宝石衬底、缓冲成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、掺Al和Mg的GaN层和掺Mg的GaN层，所述N型GaN层分为位于下面的第一掺Si的GaN...
付小朝黄宝亿季辉丁晓民朱广敏
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一种发光二极管及其制造方法
本发明提供一种发光二极管及其制造方法，于半导体衬底上依次形成N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层，然后刻蚀出多个直至N‑GaN层的孔道并制备绝缘内壁，同时在所述P‑GaN层上制备绝缘层，并刻蚀出桥接各该孔道的绝缘结构，接...
张楠郝茂盛
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一种发光二极管绝缘层的制备方法
本发明提供一种发光二极管绝缘层的制备方法，包括：1）于透明基板正面形成包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）形成贯穿至所述透明基板一预设深度的V型槽；3）通过光刻及刻蚀工艺形成N型层平台；4）形成覆盖于所述V型...
朱广敏郝茂盛齐胜利张楠陈耀杨杰
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一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法
本发明提供一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法，属于半导体照明领域。该切割方法先在半导体衬底上制作多个发光二极管单元，然后于减薄后的所述半导体衬底背面制作背镀反射层，采用砂轮切割的方法去除与各该发光二极管单元相应的背镀...
杨杰
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