锦州新世纪石英(集团)有限公司
- 作品数：11 被引量：12H指数：2
- 相关机构：大连工业大学大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划辽宁省教育厅高校重点实验室项目辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术冶金工程金属学及工艺化学工程更多>>
- 一种制备高导电率无氧铜的方法及化料装置
- 一种制备高导电率无氧铜的方法及化料装置，将高纯电解铜块清洗干净后，烘干，装入石墨坩埚中，抽真空，启动主加热器，使铜块熔化成铜液；启动悬置在石墨坩埚内的石墨搅拌器，使其在石墨坩埚内上下往复运动搅拌，得液态无氧铜，将液态无氧...
- 张海涛张海霞车永军
- 原铝旋转偏析净化工艺原理及进展被引量：2
- 2014年
- 旋转偏析是一种高效节能、环境友好的物理冶金方法。该方法具有杂质祛除效果好、提纯时间短、可实现工业规模化生产等优点,并且在日本的铝、硅提纯工业上得到广泛应用。使用该方法对工业原铝进行提纯,其提纯的纯度可以满足不同领域的需求。阐述了旋转偏析法的原理、工艺过程及提纯效果,总结了日本旋转偏析法从1984年至今的研究进展,并对我国偏析法提纯前景作出展望。
- 于洋胡志强王海权张海涛
- 关键词：原铝定向凝固提纯
- Sn纳米粒子对AZ31镁合金组织和性能的影响
- 2016年
- 采用直流电弧等离子体法制备Sn纳米粒子,通过搅拌铸造的方法添加到AZ31镁合金当中。通过金相、扫描电镜和拉伸性能测试等技术,考察了添加不同量的Sn纳米粒子对AZ31镁合金铸态组织和力学性能的影响。结果表明,添加Sn纳米粒子可抑制共晶相以层片状析出,促进β-Mg_(17)Al_(12)相以骨骼状分布在晶界处。重要的是,观察到Sn纳米粒子在镁合金中生成了纳米尺寸的Mg_2Sn颗粒,但主要以颗粒团簇的形式存在。过量添加Sn纳米粒子,会使Mg2Sn纳米级颗粒团聚严重,降低AZ31镁合金的力学性能。结果表明,添加1%Sn(质量分数)纳米粒子,AZ31镁合金的力学性能最优。
- 房灿峰宋丹丹刘光旭张海涛黄昊张兴国董星龙
- 关键词：AZ31镁合金显微组织力学性能
- 去除多晶硅中金属杂质的方法
- 一种去除多晶硅中金属杂质的方法，具体步骤如下：将工业硅投入坩埚；降低炉膛内压力至10Pa以下；启动加热装置，将工业硅全部融化后，缓慢调低加热温度至熔融的工业硅的温度保持在1420℃～1421℃之间；向炉膛内充入保护气体；...
- 张海霞张海军车永军田鹏
- 文献传递
- 多晶硅薄膜电池片的生产工艺
- 一种多晶硅薄膜电池片的生产工艺，步骤如下：1）、制作石墨基片；2）、将提纯后的多晶硅投入石墨坩埚，加热至完全熔化；3）、使石墨基片的底面掠过熔融的多晶硅，并迅速脱离；4）、将石墨基片的底面朝上放置，冷却石墨基片上熔融的多...
- 张海霞张海军车永军田鹏
- 文献传递
- 石英基底的ITO薄膜制备及光电性能被引量：1
- 2015年
- 采用脉冲磁控溅射法在高纯石英基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜对石英基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺参数条件对以石英玻璃作基底制备的ITO薄膜的光电性能的影响。结果表明,在以石英为基底的氧化铟锡透明导电膜,在气压0.7Pa、溅射功率45 W条件下,基片温度为300℃,溅射时间为45min时,可见光透过率达83%,方块电阻达到5Ω左右。
- 徐书林胡志强张临安聂铭歧张海涛
- 关键词：氧化铟锡薄膜石英
- 不同基底的ITO薄膜制备及其光电性能被引量：6
- 2014年
- 采用脉冲磁控溅射法在石英基底和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上分别制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了对比分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺条件对不同基底上制备的ITO薄膜的光透过率和光电性能的影响。结果表明,相同工艺条件下,石英玻璃上ITO薄膜的最佳方块电阻为13.3Ω,可见光透过率为91%;PET上ITO薄膜的最佳方块电阻为15Ω,可见光透过率为85%。二者相比,石英基底上ITO薄膜的光电性能更佳,膜表面的致密度、均匀性更好。
- 杨坤胡志强王海权于洋张海涛王志昕
- 关键词：石英PET氧化铟锡薄膜
- 一种制备高导电率无氧铜的方法及化料装置
- 一种制备高导电率无氧铜的方法及化料装置，将高纯电解铜块清洗干净后，烘干，装入石墨坩埚中，抽真空，启动主加热器，使铜块熔化成铜液；启动悬置在石墨坩埚内的石墨搅拌器，使其在石墨坩埚内上下往复运动搅拌，得液态无氧铜，将液态无氧...
- 张海涛张海霞车永军
- 文献传递
- 高导电率无氧铜化料装置
- 一种高导电率无氧铜化料装置，包括真空熔炼炉炉体，在真空熔炼炉炉体中设有主加热器，所述真空熔炼炉炉体的容腔内设有石墨坩埚，所述石墨坩埚底部设有排液口，所述排液口上设有排液控制阀，其特殊之处是：所述石墨坩埚内悬置有可升降的石...
- 张海涛张海霞车永军
- 文献传递
- PET衬底上ITO薄膜的制备及光电性能被引量：4
- 2014年
- 用脉冲磁控溅射法在柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了溅射气压、时间和衬底温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的物相结构与表面形貌进行了分析。结果表明:薄膜的平均晶粒尺寸随衬底温度的升高而增大;当溅射时间增加时,方块电阻与光透过率均减小;当衬底温度升高时,方块电阻减小,可见光透过率增大。
- 杨坤胡志强徐书林王海权于洋刘贵山姜妍彦张海涛
- 关键词：氧化铟锡薄膜PET
