您的位置: 专家智库 > >

三菱综合材料多晶硅股份有限公司

作品数:9 被引量:0H指数:0
相关机构:三菱硅材料株式会社三菱住友硅晶株式会社三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社更多>>

文献类型

  • 9篇中文专利

主题

  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 4篇原料气
  • 4篇气化
  • 4篇气化器
  • 4篇露点
  • 4篇混合气
  • 4篇反应炉
  • 2篇单晶
  • 2篇多晶硅片
  • 2篇四氯化硅
  • 2篇氢气
  • 2篇氢气生产
  • 2篇粒子计数器
  • 2篇粒子数
  • 2篇炉子
  • 2篇氯硅烷
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化硅
  • 2篇金属硅

机构

  • 9篇三菱综合材料...
  • 2篇三菱麻铁里亚...
  • 2篇三菱住友硅晶...
  • 2篇三菱硅材料株...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇1999
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
生产六氯乙硅烷的方法
将从用氯硅烷和氢气生产多晶硅的炉子中排出的废气冷凝以分离出氢气。将所得冷凝物蒸馏以分离出未反应的氯硅烷和副产物四氯化硅,然后进一步蒸馏以回收六氯乙硅烷。四氯乙硅烷可以与六氯乙硅烷一起回收。回收的六氯乙硅烷和四氯乙硅烷的纯...
桐井精一生川满敏竹末久幸
文献传递
多晶硅棒及其加工方法
本发明涉及具有连接结构的多晶硅棒及其加工方法。更详细地说,涉及具有可以将多个多晶硅棒以端部对端部的方式相互稳定且容易地悬吊起来的连接结构的多晶硅棒,进而涉及可以不进行退火处理地稳定地实施切槽加工等的加工方法。本发明的硅棒...
中野守山口幸男北川辉久佐藤力人畠山直纪
文献传递
多晶硅的评价方法
提供实际上不进行单晶的拉制,能够有效地评价原料多晶硅中含有的异物程度的方法。将一定量的多晶硅片1收容在筐2中,然后将筐2浸渍在放入腐蚀液3的腐蚀槽4内。此后,从腐蚀槽4提出,将腐蚀液3取样后,使取样过的液体放置一定时间,...
堀宪治佐佐木刚
文献传递
外延生长用气体的供给装置
公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化,将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合,将该混合气在其露点以上的温度下加热保温,同时调节该温合气的流量,然后...
远山美晴黑田明寿木山德二木田纯生吉田俊治山本孝渥美彻弥
文献传递
外延生长用气体的供给装置
公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化,将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合,将该混合气在其露点以上的温度下加热保温,同时调节该温合气的流量,然后...
远山美晴黑田明寿木山德二木田纯生吉田俊治山本孝渥美彻弥
文献传递
生产六氯乙硅烷的方法
将从用氯硅烷和氢气生产多晶硅的炉子中排出的废气冷凝以分离出氢气。将所得冷凝物蒸馏以分离出未反应的氯硅烷和副产物四氯化硅,然后进一步蒸馏以回收六氯乙硅烷。四氯乙硅烷可以与六氯乙硅烷一起回收。回收的六氯乙硅烷和四氯乙硅烷的纯...
桐井精一生川满敏竹末久幸
文献传递
外延生长用气体的供给方法及其装置
外延生长用气体的供给方法及其装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化,将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合,将该温合气在其露点以上的温度下加热保温,同时调节该混合气的流量,然后在...
远山美晴黑田明寿木山德二
文献传递
多晶硅的评价方法
提供实际上不进行单晶的拉制,能够有效地评价原料多晶硅中含有的异物程度的方法。将一定量的多晶硅片1收容在筐2中,然后将筐2浸渍在放入腐蚀液3的腐蚀槽4内。此后,从腐蚀槽4提出,将腐蚀液3取样后,使取样过的液体放置一定时间,...
堀宪治佐佐木刚
文献传递
外延生长用气体的供给方法及其装置
外延生长用气体的供给方法及其装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化,将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合,将该混合气在其露点以上的温度下加热保温,同时调节该温合气的流量,然后在...
远山美晴黑田明寿木山德二
文献传递
共1页<1>
聚类工具0