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扬州中科半导体照明有限公司

作品数：138 被引量：0H指数：0
相关机构：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司凯盛科技集团有限公司扬州大学广陵学院更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 131篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇矿业工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 40篇发光
  • 32篇外延片
  • 25篇二极管
  • 23篇半导体
  • 20篇发光二极管
  • 19篇多量子阱
  • 17篇芯片
  • 15篇阻挡层
  • 15篇绿光
  • 15篇MOCVD
  • 14篇电子阻挡层
  • 14篇光电
  • 13篇氮化物
  • 12篇氮化
  • 12篇化物
  • 12篇LED芯片
  • 11篇石墨
  • 11篇均匀性
  • 9篇绝缘
  • 9篇GAN基LE...

机构

  • 136篇扬州中科半导...
  • 2篇凯盛科技集团...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇扬州大学广陵...
  • 1篇中建材蚌埠玻...

作者

  • 1篇李晋闽
  • 1篇王军喜
  • 1篇王国宏
  • 1篇伊晓燕
  • 1篇刘志强
  • 1篇傅春花

传媒

  • 1篇腐蚀与防护
  • 1篇建筑玻璃与工...
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇经贸实践

年份

  • 8篇2024
  • 3篇2023
  • 11篇2022
  • 9篇2021
  • 7篇2020
  • 8篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 19篇2016
  • 13篇2015
  • 13篇2014
  • 19篇2013
  • 9篇2012
  • 1篇2011
共 138 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件
提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件，涉及GaN基LED外延生产领域，特别是提高MOCVD外延片波长均匀性的石墨盘组件的结构技术。本发明包括石墨盘、卫星盘和固定栓，所述固定栓为柱形石墨件，在柱形石墨件表面设置碳...
孙一军李鸿渐李盼盼赵新印王明洋金豫浙李志聪王辉王国宏
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一种半导体发光二极管芯片
一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本实用新型在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图...
金豫浙冯亚萍张溢李佳佳李志聪孙一军王国宏
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提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件
提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件，涉及GaN基LED外延生产领域，特别是提高MOCVD外延片波长均匀性的石墨盘组件的结构技术。本实用新型包括石墨盘、卫星盘和固定栓，所述固定栓为柱形石墨件，在柱形石墨件表面设...
孙一军李鸿渐李盼盼赵新印王明洋金豫浙李志聪王辉王国宏
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一种带预制凝胶光学隔离层的LED芯片阵列及其制作方法
本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种带预制凝胶光学隔离层的LED芯片阵列及其制作方法。该方法获得透明胶体点胶时每个点胶过程中的点胶数据。通过对点胶数据进行分析，确定每个点胶数据的点胶质量评价。根据点胶质量评价和...
彭寿谢义成王国宏李志聪王丛笑官敏张皓宋晓贞戴俊王恩平王倩牛浩杨宇
一种半导体发光二极管芯片
一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化...
金豫浙冯亚萍张溢李佳佳李志聪孙一军王国宏
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一种发光二极管外延片及其生产方法
一种发光二极管外延片及其生产方法，本发明涉及半导体光电子器件制造领域，在生长多量子阱有源区时，本发明在生长多量子阱有源区时，对其中的每一组结构层的生长的生长材料进行控制，循环进行2～12组结构层的生长，在生长每一组结构层...
李志聪王明洋戴俊闫其昂孙一军王国宏
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提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法
提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法，属于半导体技术领域，在生长氮化镓基蓝光/绿光发光二极管有源区的铟镓氮量子阱层期间，使氨气和Ⅲ族金属有机源材料镓和铟交替脉冲地输入生长反应室。在设定的持续时间、间隔和脉冲周期...
闫发旺宋雪云
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一种高LED发光效率的外延片及其生长方法
一种高LED发光效率的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域，在衬底的同一侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、AlN/GaN叠层结构MQB层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层，在温度为11...
张韧剑李志聪冯亚萍王辉孙一军王国宏
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具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构
具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构，涉及一种应用在高亮度GaN基绿光LED中的P型GaN的生长技术领域。包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、...
李鸿渐李盼盼李志聪孙一军王国宏
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一种半导体二极管芯片
一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖...
金豫浙冯亚萍薛生杰李佳佳李志聪孙一军王国宏
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