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中国标准化研究院
重庆康佳光电技术研究院有限公司
深圳市瑞丰光电子股份有限公司
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中国标准化研究院
重庆康佳光电技术研究院有限公司
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高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件
本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件,该外延结构包括Si衬底以及依次层叠在Si衬底上的CN预铺层、AlN缓冲层、复合层,在生长CN预铺层的过程中,通入C<Sub>3</Sub>H<Sub>8</S...
刘春杨
吕蒙普
胡加辉
金从龙
顾伟
一种LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种LED芯片及其制备方法,涉及半导体技术领域,该LED芯片的制备方法包括提供一衬底,并在所述衬底上依次生长缓冲层、隔离层;按照预设刻蚀图案对所述隔离层进行刻蚀,直至所述隔离层的刻蚀部位露出所述缓冲层,以在所...
汪恒青
张星星
林潇雄
胡加辉
金从龙
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、阱前准备层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层;所述阱前准备层包括依次层...
程龙
郑文杰
高虹
刘春杨
胡加辉
金从龙
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,所述发光二极管外延片包括衬底,及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、本征GaN层,N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、复合电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层;所述复...
印从飞
张彩霞
刘春杨
胡加辉
金从龙
一种LED外延片及其制备方法
本发明公开了一种LED外延片及其制备方法,LED外延片包括多阶P型电子阻挡层,具体包括依次层叠的第一阶电子阻挡层、第二阶电子阻挡层、第三阶电子阻挡层、第四阶电子阻挡层;第一阶电子阻挡层为交替层叠的AlN层和GaN层组成的...
舒俊
程龙
高虹
郑文杰
印从飞
张彩霞
刘春杨
胡加辉
金从龙
一种Mini-LED及其制备方法
本发明提供一种Mini‑LED制备方法及Mini‑LED,该制备方法包括以下步骤:在衬底上生长形成外延层,以得到外延片;在GaP层的表面沉积形成SiO<Sub>2</Sub>层;将完成抛光处理后的外延片及蓝宝石置入酸性活...
郭磊
董国庆
文国昇
金从龙
一种槽轮定位装夹装置及槽轮开槽加工方法
本发明涉及槽轮开槽加工设备技术领域,尤其涉及一种槽轮定位装夹装置及槽轮开槽加工方法。该槽轮定位装夹装置,包括驱动端组件以及从动端组件。驱动端组件包括旋转轴以及与旋转轴固定连接的驱动端治具,驱动端治具包括第一定位锥以及第一...
赵元亚
崔思远
文国昇
金从龙
一种发光二极管的外延结构及其制备方法
本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制备方法,涉及二极管技术领域,应用于微型发光二极管或紫外发光二极管,该发光二极管的外延结构包括:衬底、缓冲层以及外延层;缓冲层设于衬底及外延层之间,缓冲层依次包括第一缓冲层、复合缓...
胡加辉
刘春杨
吕蒙普
金从龙
顾伟
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发光二极管外延片及其制备方法、LED
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED,所述发光二极管外延片包括衬底,所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、P型GaN层、复合P型接触层;所述复合P型接触层包括依次层叠在所述P型GaN...
高虹
程龙
郑文杰
舒俊
张彩霞
印从飞
刘春杨
吕蒙普
胡加辉
金从龙
一种高光效LED外延片、制备方法及LED芯片
本发明提供一种高光效LED外延片、制备方法及LED芯片,高光效LED外延片包括衬底及在衬底上依次沉积的缓冲层、掺杂元素为Mg的三维P型氮化物层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和第一P型GaN层。通过...
程龙
郑文杰
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