中国科学技术大学化学与材料科学学院中国科学院结构分析重点实验室
- 作品数：508 被引量：1,744H指数：18
- 相关作者：余华明金嗣炤卢江邢锦云常超更多>>
- 相关机构：宿州学院物理系中国科学院固体物理研究所中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 钙钛矿氧化物La0.3Ca0.7MnO3的磁性质
- 本文采用固相反应法制备了样品La0.3Ca0.7MnO3.通过测量样品的M-T曲线、M-H曲线和ESR曲线,研究了La0.3Ca0.7MnO3的磁性质.结果表明:在262K时形成电荷有序相(CO相).当T＞262K时,表...
- 梁燕彭振生严国清郭焕银蔡之让
- 关键词：钙钛矿磁结构
- 文献传递
- 掺Ce对YBa_2Cu_3O_y体系成相的影响被引量：4
- 1996年
- 自从高临界温度氧化物超导体被发现以来,元素替代一直是人们探索其超导电性产生机制和寻找新的超导体系的有效方法之一.在YBaCuO体系中,对于Y位替代的大量实验结果表明,稀土元素中除Pr,Ce,Tb外都能形成正交的123相,并保持临界温度在90K左右的超导电性.目前,关于Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_y体系虽然保持正交123相但并不是高温超导体的研究已有大量的报道,然而对于掺Ce的(Y,Ce)Ba_2Cu_3O_y系统的研究则报道较少,对于掺Ce的YBaCuO体系超导临界温度下降甚至不超导的原因目前主要有两种观点:其一认为用固相反应法在常规合成条件下,完全或部分替代Y都不可能得到单一的123相,但是有限的Ce能够进入123相并导致123相正交向四方的转变,从而影响超导电性;
- 石磊田明亮许存义左健周贵恩张裕恒庞文华刘峰王世亨
- 关键词：高TC铈YBCO超导体
- ESR方法研究高Tc氧化物的超导电性被引量：1
- 1997年
- 用电子顺磁共振（ESR）方法研究了一些高温超导氧化物样品的零场非共振吸收信号和正常的ESR共振信号，认为这种方法可以作为鉴别样品进入超导态的实验判据之一．利用零场非共振吸收实验结出的下临界磁场Hcl（T）很好地遵从Hcl（T）＝ Hcl（0）（1-T2/Tc2）．还讨论了掺杂使Cu2＋ESR信号增强的原因．
- 梁任又侯碧辉
- 关键词：ESR高TC氧化物超导电性氧化物超导体
- 芦根中甾体的GC-TOFMS鉴定被引量：10
- 2005年
- 目的:提取并测定芦根中甾族化合物的成分和相对含量。方法:采用气相色谱飞行时间质谱法进行测定分析。结果:芦根提取物中含有4种甾体化合物。结论:该鉴定方法对药物成分的结构分析和临床用药具有指导意义。目的:提取并测定芦根中甾族化合物的成分和相对含量。方法:采用气相色谱飞行时间质谱法进行测定分析。结果:芦根提取物中含有4种甾体化合物。结论:该鉴定方法对药物成分的结构分析和临床用药具有指导意义。
- 张国升李前荣尹浩李立华
- 关键词：芦根甾体中药提取
- 青铜表面SnO_2保护膜的制备及其防护性能研究被引量：2
- 1997年
- 黑漆古铜镜具有优异的耐腐蚀性能。采用溶胶凝胶法在青铜基体上模拟制备黑漆古铜镜表面的纳米SnO_2薄膜,并检测了该薄膜对于含Cl^-酸性溶液的耐腐蚀性,利用带EDAX的SEM进行了表面和截面的元素分析。结果表明薄膜的SnO_2物相能隔离本体与外界环境,具有一定的防护性能,而表面纳米SnO_2薄膜的致密度决定了防护效果。
- 金韬王昌燧陈志文李凡庆
- 关键词：青铜溶胶凝胶法二氧化锡耐蚀性
- 激光对吸附在Si(111)7×7和Si(100)2×1表面上的C_(60)的不同作用被引量：1
- 2005年
- 本文利用超高真空扫描隧道显微镜(UHVSTM),在室温下研究沉积了约0 005ML的C60分子的Si(111)7×7和Si(100)2×1再构表面在波长为266nm的激光束轰击前后的表面形貌的变化。结果表明,在266nm的激光作用下,Si(111)7×7表面上的C60分子保持完好,表面缺陷明显增加,但并没有完全破坏7×7再构形貌;而Si(100)2×1表面上的C60分子却被打碎,样品表面变得杂乱无章。
- 赵风周崔雪峰王兵
- 关键词：光诱导C60扫描隧道显微术
- 运转的He-Ne激光器内的Ne(2P53P)态的碰撞转移研究
- He-Ne 6328?等激光谱线的下能级——Ne(2P3P)(帕邢记号为2 P能级)的物理参数,自1961年以来,被科学家们作了多次的重复研究。通常的方法是以Ne(或He+Ne)放电管为对象,用染料激光调谐激发,
- 罗售余高成岳楼立人张运生耿玉珍夏宇兴
- 文献传递
- Ar^+离子注入对Ge/GaAs(100)异质结能带偏离影响的XPS研究
- 1993年
- 用X光电子能谱(XPS)方法研究了界面特性和Ge/GaAs(100)异质结的能带偏离关系。实验表明,当在清洁的GaAs(100)表面生长Ge异质结时,其价带偏离(△E_v)与界面特性无关,而在Ar离子注入的GaAs(100)表面上生长的Ge异质结,其价带偏离与Ar^+离子的浓度分布有关。
- 徐世红刘先明朱警生麻茂生张裕恒徐彭寿许振嘉
- 关键词：异质结砷化镓锗离子注入
- 退火a-Ge/Pb叠层膜的扩散机制与电阻率的反常行为被引量：2
- 1993年
- 研究了a-Ge/Pb叠层膜不同温度下退火的行为,得到:PB诱导a-Ge晶化;发现a-Ge/Pb叠层膜在退火互扩散过程中存在两种扩散机制;对a-Ge/Pb为200nm/100nm的叠层膜,在退火互扩散中择优取向的Pb膜出现重新结晶。解释了退火过程中叠层膜电阻率的反常行为。
- 李玉芝许存义周贵恩刘宏宝张裕恒
- 关键词：扩散电阻率退火
- 半导体衬底上薄膜折射率的测量被引量：1
- 1987年
- 本文用已知折射率的折射液体与半导体衬底上薄膜折射率相匹配的方法测得锗上等离子体阳极氧化膜的折射率为1.66,硅上氧等离子体氧化膜及热氧化SiO_2膜的折射率均为1.458。与激光椭偏仪的测量结果符合得很好。本文还用TP—83型椭偏仪的通用程序B算出砷化镓上等离子体氧化膜的折射率为1.80～1.90。
- 杨尚菊刘春荣许存义
- 关键词：液体折射率薄膜折射率浸油氧化膜
