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JX金属株式会社

作品数:437 被引量:0H指数:0
相关机构:国立大学法人茨城大学学校法人东京理科大学东邦钛株式会社更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信化学工程电气工程更多>>

文献类型

  • 437篇中文专利

领域

  • 62篇金属学及工艺
  • 37篇电子电信
  • 18篇化学工程
  • 13篇电气工程
  • 7篇文化科学
  • 6篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 4篇机械工程
  • 4篇医药卫生
  • 1篇经济管理
  • 1篇天文地球
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 92篇铜箔
  • 66篇合金
  • 61篇金属
  • 51篇表面处理
  • 41篇溅射
  • 36篇氧化物
  • 32篇铜合金
  • 32篇
  • 30篇树脂
  • 28篇积层板
  • 25篇电池
  • 24篇靶材
  • 23篇基板
  • 23篇粗糙度
  • 22篇导电
  • 22篇电路
  • 22篇基材
  • 21篇导电率
  • 21篇中间层
  • 20篇半导体

机构

  • 437篇JX金属株式...
  • 5篇国立大学法人...
  • 2篇学校法人东京...
  • 1篇株式会社东北...
  • 1篇东邦钛株式会...

年份

  • 30篇2024
  • 39篇2023
  • 50篇2022
  • 67篇2021
  • 60篇2020
  • 75篇2019
  • 53篇2018
  • 33篇2017
  • 30篇2016
437 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
散热用铜箔及散热部件
本发明是提供一种具有优异散热特性之散热用铜箔。一种散热用铜箔,其特征是具有:铜箔基材;及前述铜箔基材之至少任一主表面上之镀处理层;前述镀处理层之镀处理面,使用雷射显微镜测定时,相对于该镀处理面之投影面积A,前述镀处理面之...
笹尾一将三木敦史
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附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。具体提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔依序具备载体、中间层及极薄铜层,且将附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚...
宫本宣明
冲压模具的冲头结构、冲压模具、冲压成型件的制造方法及冲压成型件
本发明提供一种冲头结构、冲压模具、冲压成型件的制造方法及冲压成型件,在制造包括宽度相对于厚度狭窄的窄幅部的冲压成型件时,能够有效防止在其冲裁加工中反复使用的冲头结构发生破损。该冲头结构从冲压模具主体突出而配置,用于对包括...
政井一高今村裕典
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溅射靶及其制造方法
本发明的课题在于提供一种适合于形成低载流子浓度且高迁移率的半导体膜的溅射靶。一种溅射靶,所述溅射靶含有锌(Zn)、锡(Sn)、镓(Ga)和氧(O),其中,所述溅射靶含有以Ga/(Zn+Sn+Ga)的原子比计0.15以上且...
山本浩由奈良淳史
钛铜箔、伸铜制品、电子设备部件以及自动对焦相机模块
本发明提供一种钛铜箔,其具有用作弹簧时所需要的高强度,并且蚀刻性良好、永久应变小,能够合适地用作在自动对焦相机模块等的电子设备部件中使用的导电性弹簧材。本发明的钛铜箔,含有1.5~5.0质量%的Ti,余量由Cu以及不可避...
辻江健太
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溅射靶以及溅射靶的制造方法
本发明提供一种能够减少颗粒的产生,能够使磁性薄膜的成膜工序中的制造成品率提高的溅射靶及其制造方法。一种溅射靶,其具有Fe-Pt系合金相和非磁性相,以原子数比率计含有1~50at%的C,在XRD测定中具有源自金刚石的衍射峰...
下宿彰
改善了冲压加工后的尺寸精度的铜合金条
本申请提供一种具有优异的弯曲加工性的同时,冲压加工后的尺寸精度高的科森合金。一种铜合金条,其特征在于,所述铜合金条是轧制材料,所述轧制材料含有0~5.0质量%的Ni或0~2.5质量%的Co、0.2~1.5质量%的Si,N...
柿谷明宏
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附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
本发明公开附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法,具体提供一种极薄铜层的激光开孔性良好且适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。附载体铜箔在载体的一面或两面依序具备中间层与极薄铜层...
宫本宣明古曳伦也
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锂复合氧化物
提供一种含有钼的新的锂复合氧化物。一种复合氧化物由下述组成式表示:Li<Sub>x</Sub>M<Sub>y</Sub>Mo<Sub>z</Sub>O,式中,M为选自由Mn、Ru、Sn、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、...
薮内直明驹场慎一梶谷芳男
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电子元件用钛铜
本发明提供一种具有较大Ti浓度波动的钛铜。该钛铜是电子元件用钛铜,其含有2.0~4.0质量%的Ti,作为第三元素合计含有0~0.5质量%的选自由Fe、Co、Mg、Si、Ni、Cr、Zr、Mo、V、Nb、Mn、B以及P组成...
堀江弘泰
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共44页<12345678910>
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