华东师范大学信息科学技术学院微电子电路与系统研究所
- 作品数：138 被引量：299H指数：8
- 相关作者：张书霖谢淼刘蕾张勇何伟更多>>
- 相关机构：南通大学理学院江苏省专用集成电路设计重点实验室南通大学理学院上海电力学院计算机与信息工程学院更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
- 射频识别接收机前端低噪声CMOS全集成频率综合器关键模块设计
- 2009年
- 为满足射频识别接收机相位噪声性能要求,在分析了频率综合器整体噪声机制的基础上,将偶次谐波抑制电路应用于1.8 GHz压控振荡器设计并采用注入锁定高速与分频器结构,鉴频鉴相器PFD设计改善了相位死区,在整体上改善了频率综合器相位噪声。利用0.25μm 1P6M RFCMOS工艺,完成了频率综合器的完整版图设计。仿真结果表明:VCO调谐范围达到47.2%,电路整体相位噪声达到-128 dBc/Hz@1 MHz,完全满足应用要求。
- 陈磊雷奥谢传文赖宗声
- 关键词：射频识别频率综合器相位噪声
- 802.11a频率同步和信道估计的分析及ASP实现
- 2007年
- 分析了802.11a无线局域网(WLAN)OFDM基带接收系统中频率同步和信道估计算法的运算特点。针对实际算法的特点,设计了一个面向应用的专用DSP处理器(ASP),利用ASP可以以软件方式实现802.11a前导序列的接收。经实际流片验证表明,该设计可以实现11a前导序列接收的各种基带处理运算,具有高度的灵活性和较小的芯片面积。
- 初建朋李小进赖宗声
- 关键词：正交频分复用软件无线电软硬件协同设计无线局域网
- 零中频UHF RFID接收机中的低噪声放大器设计(英文)被引量：4
- 2007年
- 介绍了一个基于0.18μm标准CMOS工艺,可用于零中频UHF RFID(射频识别)接收机系统的900MHz低噪声放大器.根据射频识别系统的特点与要求对低噪放的结构、匹配、功耗和噪声等问题进行了权衡与分析,仿真结果表明:在1.2V供电时放大器可以提供20.8dB的前向增益,采用源端电感实现匹配并保证噪声性能,噪声系数约为1.1dB,放大器采用电流复用以降低功耗,每级电路从电源电压上抽取10mA左右的工作电流,并使反向隔离度达到-87dB.放大器的IP3为-8.4dBm,1dB压缩点为-18dBm.
- 张润曦石春琦崔建明赖宗声曹丰文
- 关键词：接收机零中频
- 基于FPGA的指纹采集接口设计与实现被引量：1
- 2007年
- 本文以指纹识别认证系统的ASIC化为应用背景,提出了一种基于FPGA的指纹采集接口的设计与实现方案。重点研究接口电路的硬件组成和如何采用硬件语言VHDL编程控制滑动式指纹传感器以完成高质量的指纹采集工作。经验证本方案实现的指纹采集接口完全能满足系统需要。
- 郭娟王洪金庆辉赵建龙
- 关键词：FPGASPI指纹采集
- 一种高速Viterbi译码器幸存路径管理模块的改进结构被引量：3
- 2007年
- 针对高速Viterbi译码器的高速,低延迟,低电路复杂度的要求,在分段执行的Hybrid Trace Forward方法的基础上,提出了一种新的幸存路径管理模块(SMU)结构—固定段长的结构。对于(m,n,k)的Viterbi译码器,约束长度为k,则固定段长为k-1,既节省了存储空间,又消除了回溯过程,从而降低了延迟时间和电路复杂度。文中设计了一个(2,1,7)Viterbi译码器的SMU模块,采用固定长度为6的结构。相比于传统的分段执行的Hybrid Trace Forward结构,译码延迟减小了17%,输出数据间隔减小了33%,并且省去了存储器的使用。
- 陈亦灏李成诗李小进赖宗声
- 关键词：延迟时间
- 用于UHF RFID阅读器的自动频率校准模拟基带
- 2013年
- 基于0.18μm标准CMOS工艺,提出了一种适用于超高频射频识别阅读器的自动频率校准模拟接收基带。该模拟基带包含直流偏移消除电路和信道选择滤波器,直流偏移消除电路有6dB的预增益,信道选择滤波器采用8阶巴特沃斯结构。在频率校准电路的作用下,滤波器能够分别对250kHz和1.35MHz截止频率进行校准,校准时间小于3μs。后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,整个模拟基带消耗12mA电流,截止频率为1.35MHz,10dB增益条件下带内输入3阶交调达到12dBm,在30dB增益时,带内噪声系数为26dB。
- 尤琳张书霖袁圣越石春琦张润曦
- 一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路被引量：6
- 2008年
- 基于TSMC0.18μm标准CMOS标准工艺，提出了一种低温度系数，宽温度范围的带隙基准电压电路，该电路具有高电源抑制比，启动快及宽电源电压工作区域的优点，由于具备输出缓冲，可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力。电路在-40℃到＋110℃的温度变化范围内，基准电压为2.3020V±0.0015V，温度系数仅为7.25×10^-6/℃（-40℃到＋110℃时），PSRR为64dB（11kHz处），电源电压变化范围为1.6-4.3V，输出噪声为5.018μV/√Hz（1kHz处）。
- 陈磊李萌张润曦赖宗声俞建国
- 关键词：带隙基准低温度系数电源抑制比压控振荡器
- 多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用被引量：3
- 2008年
- 研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路。流片采用UMC0.18μmRF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性。
- 沈怿皓张润曦张炜杰陈亦灏李勇景一欧赖宗声
- 关键词：CMOS射频集成电路线性度混频器
- 一种用于单片UHF RFID阅读器中的低相位噪声LC VCO设计
- 2008年
- 介绍了一种适用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)阅读器的低相位噪声压控振荡器(VCO)电路。通过在传统的VCO电路中加入抑制电源噪声的regulator并在共模端加入平衡滤波电路对尾电流源的二次谐波分量进行抑制来降低1/f3区域的相位噪声,同时选取合适的电感值及其Q值使得VCO在1/f2区域也能获得较佳的相位噪声性能。同时,文中给出了本设计中使用的低噪声基准源电路。整个电路采用UMC0.18μm MM/RF CMOS工艺实现,仿真与测试结果显示所提出的VCO结构和传统VCO相比几乎在所有区域内对相噪声均有5dB的改善。本设计使用的电源电压为3.3V,VCO中心频率为1.8GHz,调谐范围约为11%,频偏1MHz处相位噪声约为-127dBc/Hz,总电流约为7.2mA。
- 谢传文陈磊陈子晏李萌张润曦赖宗声
- 关键词：超高频射频识别单片集成阅读器低相位噪声
- 8～25 GHz 1:8高速分频器的设计
- 2014年
- 采用IBM0.13μm CMOS工艺,在锁相环系统电源电压2.5V的条件下,以三级分频器级联的方式实现了一款8-25GHz 1∶8高速分频器电路。为了获得更高的工作速度和灵敏度,设计中对传统的伪差分结构锁存器进行了拓扑和版图优化,基本的二分频单元由锁存器和输出缓冲级电路构成,以保证版图布线后信号传输的衰减最低。后仿真结果表明：在电源电压2.5V时,分频器的核心电路（第一级）功耗为21.75mW,对应的版图尺寸为70μm×35μm;在输入信号峰峰值900mV的条件下,分频范围达到8-25GHz,并通过了所有工艺角和温度仿真。
- 张楠陆泼苏浩石春琦张润曦
- 关键词：CMOSPLL
