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高知县公立大学法人

作品数：22 被引量：0H指数：0
相关机构：国立大学法人京都大学东芝三菱电机产业系统株式会社信越化学工业株式会社更多>>
相关领域：文化科学经济管理一般工业技术电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 22篇中文专利

领域

  • 2篇经济管理
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 15篇成膜
  • 7篇雾化
  • 6篇半导体
  • 5篇声波发生器
  • 5篇基板
  • 5篇发生源
  • 5篇超声波
  • 5篇超声波发生器
  • 4篇导体
  • 4篇原子
  • 4篇生产效率
  • 4篇金属
  • 4篇金属元素
  • 4篇半导体膜
  • 3篇端点
  • 3篇氧化铝
  • 3篇图像
  • 3篇图像生成
  • 3篇工序
  • 2篇氮化硅

机构

  • 22篇高知县公立大...
  • 7篇东芝三菱电机...
  • 7篇国立大学法人...
  • 6篇信越化学工业...
  • 4篇东京毅力科创...
  • 2篇国立大学法人...
  • 1篇日油株式会社
  • 1篇理光越岭美有...
  • 1篇住友重机械工...

年份

  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
检查系统和检查方法
实施方式的检查系统具有：照明部，其以如下方式依次对多个条纹图案进行切换而输出，该方式是，在使第1条纹图案移动1个周期的量之后，无缝地使第2条纹图案移动1个周期的量；第1信号输出部，其向照明部输出触发多个条纹图案的输出开始...
赤泽圭一井上靖之栗原徹
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检查系统和检查方法
实施方式的检查系统具有：面方式的照明部，其赋予光强度的周期性的时间变化和空间变化；时间相关图像生成部，其通过时间相关照相机或进行与其等效的动作的摄像系统生成时间相关图像；以及运算处理部，其根据时间相关图像计算与检查对象面...
栗原徹安藤繁
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电子设备及其制造方法和其制造装置
[课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的...
里吉务石田宽佐佐木和男古田守
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成膜用雾化装置及使用了该成膜用雾化装置的成膜装置
本发明是一种成膜用雾化装置，其具有：原料容器，其容纳原料溶液；筒状部件，其在空间上连接所述原料容器的内部与外部，且设置为其下端在所述原料容器内不与所述原料溶液的液面接触；超声波发生器，其具有一个以上的照射超声波的超声波发...
桥上洋川原村敏幸
金属氧化膜的成膜方法
本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且，本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内，使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶...
平松孝浩织田容征川原村敏幸藤田静雄内田贵之
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成膜用掺杂原料溶液的制备方法、层叠体的制造方法、成膜用掺杂原料溶液及半导体膜
本发明涉及一种成膜用掺杂原料溶液的制备方法，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的...
桥上洋渡部武纪坂爪崇宽川原村敏幸邓太江安冈龙哉
检查系统和检查方法
实施方式的检查系统具有：面方式的照明部，其赋予光强度的周期性的时间变化和空间变化；时间相关图像生成部，其通过时间相关照相机或进行与其等效的动作的摄像系统生成时间相关图像；以及运算处理部，其根据时间相关图像计算与检查对象面...
栗原徹安藤繁
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太阳能电池的制造方法
在本发明的太阳能电池的制造方法中包括以下的工序。将包含铝元素的溶液(14)雾化。然后，在大气中，向p型硅基板(4)的主面雾状喷出雾化后的溶液(14)，从而形成氧化铝膜(5)。然后，利用形成有该氧化铝膜(5)的p型硅基板来...
平松孝浩织田容征白幡孝洋川原村敏幸藤田静雄
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成膜方法
本发明提供一种能够实现所形成的膜密度的提高的成膜方法。对此，在本发明的成膜方法中，通过向基板(10)雾状喷射雾化的溶液，从而在基板上形成膜。接下来，中断成膜工序。接下来，向基板照射等离子。
平松孝浩织田容征白幡孝洋藤田静雄川原村敏幸
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成膜方法和成膜装置
本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的...
高藤哲也内田博章渡边幸夫里吉务佐佐木和男吉田守
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共3页<123>
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