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上海巨纳科技有限公司

作品数：9 被引量：0H指数：0
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合作机构

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇标准

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯
  • 2篇形核
  • 2篇旋涂
  • 2篇旋涂法
  • 2篇压强
  • 2篇三氯
  • 2篇三氯甲烷
  • 2篇双氧水
  • 2篇铜箔
  • 2篇气体压强
  • 2篇洁净度
  • 2篇金属
  • 2篇浸泡
  • 2篇甲烷
  • 2篇光学显微镜
  • 2篇残余物
  • 1篇单刀双掷
  • 1篇单刀双掷开关
  • 1篇单晶

机构

  • 9篇上海巨纳科技...
  • 8篇泰州巨纳新能...
  • 2篇东南大学
  • 2篇江南大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇厦门凯纳石墨...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇上海海洋大学
  • 1篇绍兴文理学院
  • 1篇贵州金特磨削...
  • 1篇烯旺新材料科...
  • 1篇北京石墨烯研...
  • 1篇广东德瑞源新...
  • 1篇欣旺达电子股...
  • 1篇福建翔丰华新...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2010
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
多功能电磁信号探测器
多功能电磁信号探测器，包括：一接收单元，接收单元由天线、分频器、有线电视接头、单刀双掷开关组成，所述天线连接分频器，所述分频器连接单刀双掷开关一端，所述有线电视接头连接单刀双掷开关另一端；一处理单元，处理单元由工频检测电...
义理林丁荣梁铮李强梁贺君
文献传递
纳米技术 石墨烯的缺陷浓度测量 拉曼光谱法
本文件描述了利用拉曼光谱法测量石墨烯缺陷浓度的方法，包括原理、仪器参数要求、样品准备、试验步骤及数据分析与处理。本文件适用于横向尺寸不小于2μm、物性均匀、表面洁净的单层石墨烯的点缺陷浓度测量。
倪振华吕俊鹏梁铮章琦吴忠帅孙学栋丁荣南海燕郭丁立洪江彬王英英方崇卿梁奇锋梁贺君袁文军
一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法
本发明提供了一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法，其特征在于，包括如下步骤：配制质量浓度为5‑30%的双氧水；将铜箔浸泡其中，铜箔被双氧水氧化；然后用该预处理后的铜箔用于CVD生长石墨烯。所述的步骤2）中的浸泡时间...
丁荣梁铮倪振华陈玉明袁文军
文献传递
一种转移石墨烯薄膜的方法
本发明提供了一种转移石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：1）利用CVD方法在铜箔上生长石墨烯薄膜；2）将配置好的PPC溶液利用旋涂法均匀覆盖在铜箔表面，室温下静置，然后加热使其凝固成膜；3)利用柔性聚合物材料将包含石墨烯薄膜...
丁荣梁铮倪振华南海燕陈谷一
文献传递
纳米技术 亚纳米厚度石墨烯薄膜载流子迁移率及方块电阻测量方法
本文件描述了亚纳米厚度石墨烯薄膜的霍尔器件样品制备与载流子迁移率及方块电阻测量的原理、设备、器件制备及测量过程、计算方法、不确定度的分析与计算，以及测量报告等。
王浩敏丁荣吕俊鹏谢晓明王慧山孔自强陈晨陈谷一袁文军王兰兰方崇卿邵悦倪振华王欣然李雪松王琛肖少庆张豪宋宏芳许莉干静洪江彬陈敏严春伟
一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法
本发明提供了一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法，其特征在于，包括如下步骤：配制质量浓度为5-30%的双氧水；将铜箔浸泡其中，铜箔被双氧水氧化；然后用该预处理后的铜箔用于CVD生长石墨烯。所述的步骤2）中的浸泡时间...
丁荣梁铮倪振华陈玉明袁文军
利用光学显微镜图片判断石墨烯层数率的方法
本发明提供一种利用光学显微镜图片判断石墨烯层数率的方法，利用对比度值C做出概率分布图，将该对比度值C与理论计算的对比度值C0进行比较，分辨出石墨烯不同层对应的峰位置；将概率分布图进行拟合，拟合得到分别对应不同层数的多个峰...
梁铮丁荣倪振华于远方南海燕陈谷一袁文军
文献传递
一种转移石墨烯薄膜的方法
本发明提供了一种转移石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：1）利用CVD方法在铜箔上生长石墨烯薄膜；2）将配置好的PPC溶液利用旋涂法均匀覆盖在铜箔表面，室温下静置，然后加热使其凝固成膜；3)利用柔性聚合物材料将包含石墨烯薄膜...
丁荣梁铮倪振华南海燕陈谷一
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一种观测金属基底表面石墨烯形核及生长情况的方法
本发明提供了一种观测金属基底表面石墨烯形核及生长情况的方法，所述的方法包括如下步骤：1）配制质量浓度为10%-40%的双氧水溶液；2）将生长完石墨烯的金属基底浸泡在双氧水溶液中1-5分钟；3）取出金属基底，并在常温下静置...
丁荣梁铮倪振华陈玉明袁文军
文献传递
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