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华灿光电(浙江)有限公司

作品数：1,301 被引量：0H指数：0
相关机构：中国标准化研究院深圳市标准技术研究院青岛海信电器股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,299篇专利
  • 2篇标准

领域

  • 450篇电子电信
  • 24篇自动化与计算...
  • 20篇文化科学
  • 19篇金属学及工艺
  • 10篇一般工业技术
  • 7篇化学工程
  • 6篇交通运输工程
  • 6篇理学
  • 4篇矿业工程
  • 3篇经济管理
  • 3篇机械工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇医药卫生
  • 1篇水利工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 880篇发光
  • 761篇二极管
  • 746篇发光二极管
  • 520篇外延片
  • 302篇多量子阱
  • 236篇半导体
  • 218篇子层
  • 205篇光效
  • 191篇光效率
  • 189篇氮化镓
  • 182篇阻挡层
  • 179篇光电
  • 167篇衬底
  • 165篇电子阻挡层
  • 161篇晶格
  • 153篇发光效率
  • 152篇光电子
  • 114篇空穴
  • 109篇掺杂
  • 106篇外延层

机构

  • 1,301篇华灿光电(浙...
  • 1篇北京大学
  • 1篇南昌大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇深圳大学
  • 1篇中山大学
  • 1篇深圳市标准技...
  • 1篇中国标准化研...
  • 1篇有色金属技术...
  • 1篇中国广告协会
  • 1篇青岛海信电器...
  • 1篇深圳市朝阳光...
  • 1篇深圳市康佳壹...
  • 1篇湖南新亚胜光...
  • 1篇东莞阿尔泰显...
  • 1篇苏州日月成科...
  • 1篇深圳韦侨顺光...
  • 1篇深圳市艾比森...
  • 1篇深圳创维－R...

作者

  • 1篇贺东江

年份

  • 105篇2024
  • 146篇2023
  • 151篇2022
  • 187篇2021
  • 159篇2020
  • 313篇2019
  • 113篇2018
  • 109篇2017
  • 18篇2016
共 1,301 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
发光二极管外延片及其制备方法
本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。p型GaN层上具有多个间隔分布的空穴注入槽，且每个空穴注入槽与填满空穴注入槽的GaN空穴注入结构均由p型GaN层延伸至多量子阱层。GaN空穴注入结构可到通...
洪威威王倩梅劲董彬忠张奕
一种发光二极管的外延片
本实用新型公开了一种发光二极管的外延片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型层、有源层和P型层，成核层包括层叠的多层N型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x...
代露万林胡加辉
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三基色发光二极管芯片制备方法及三基色发光二极管芯片
本公开提供了一种三基色发光二极管芯片制备方法及三基色发光二极管芯片，属于光电子制造技术领域。所述制备方法包括：分别在三个衬底上制作第一外延层、第二外延层和第三外延层；在所述第一外延层和所述第二外延层的表面制作第一中间层，...
张威王杰王江波
一种发光二极管的外延片及其制备方法
本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、缺陷阻挡层、第一应力释放层、第二应力释放层、第三应力释放层、发光层和P型氮化镓...
刘华容万林胡家辉
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一种应用于全彩显示的带通滤波器及全彩显示器件
本实用新型公开了一种应用于全彩显示的带通滤波器及全彩显示器件，属于半导体技术领域。所述带通滤波器包括基板、黑色矩阵和多个像素单元；每个所述像素单元包括三种光学薄膜，所述三种光学薄膜分别为透过红光的第一光学薄膜、透过绿光的...
陈亮马非凡王江波
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紫外发光二极管外延片及其制备方法
本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。p型AlGaN层上的SnO<Sub>2</Sub>欧姆接触层接近透明且对紫外光的吸收较少，有利于紫外光的正常出射。同时SnO<Sub>2</Sub...
刘旺平梅劲张武斌葛永晖刘春杨
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一种发光二极管芯片阵列、显示面板及其制作方法
本发明公开了一种发光二极管芯片阵列、显示面板及其制作方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构；第一导电型电极和至少两个叠层结构间隔设置在第一导电型半...
陈亮王江波
文献传递
一种发光二极管的外延片及制备方法
本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层和NiO空穴传输层，发光层包括HC(NH<Sub>2</Sub>)<Sub>2</S...
丁涛周飚胡加辉李鹏
提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法
本公开提供了一种提升发光效率的发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的n型层、发光层和p型层；发光层包括多个InGaN量子阱层、多个n型GaN量子垒层和一个复合量子垒层...
肖云飞陆香花葛永晖梅劲
发光二极管的外延片及其制备方法
本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的第一高温AlN缓冲层、超晶格层、第二高温AlN缓冲层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层...
丁涛龚程成尹涌梅劲
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