北京大学信息科学技术学院微电子研究院
- 作品数：384 被引量：1,059H指数：15
- 相关作者：王玮盛世敏高文钰穆甫臣阎桂珍更多>>
- 相关机构：清华大学信息科学技术学院清华大学信息科学技术学院微电子学研究所中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>
- SOI技术的机遇和挑战被引量：1
- 2002年
- 本文较为系统地描述了SOI技术的特点,分析了SOI技术中存在的问题和发展的潜力,最后得出了SOI技术将在特征尺寸小于0.1微米、电源电压小于1V的新一代集成电路技术中得到广泛采用。
- 张兴
- 关键词：SOITECHNOLOGYCMOSINTEGRATEDCIRCUITS
- 纯金属电阻率的简化模型被引量：2
- 1995年
- 提出了纯金属电阻率的两个简化模型：一个统计模型，一个电子一声子耦合模型。由统计模型可得出：纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比。由电子－声子耦合模型得出：电子的散射几率不仅正比于声子数，而且正比于电子－声子的耦合强度。由这两个模型皆能得出纯金属电阻率在高温时与温度Ｔ成正比，低温时与Ｔ５成正比的结果。由电阻率—温度曲线的比较表明，两模型相当吻合。
- 王矜奉王家俭曲保东钟维烈韩汝琦
- 关键词：纯金属声子弛豫时间
- 氢退火对氧化锌薄膜晶体管性能的影响
- 本文报道了利用射频磁控溅射方法存室温下制备了氧化锌薄膜晶体管的实验结果.x光衍射谱(XRD)表明所制备的氧化锌薄膜有很好的c轴择优取向.对氧化锌薄膜晶体管的转移特性及输出特性等电学特性进行了测试分析.结果表明,氢气氛退火...
- 韩德栋王漪韩汝琦康晋锋刘晓彦孙雷杜刚刘力锋张盛东
- 关键词：氧化锌薄膜晶体管
- 文献传递
- 基于碳纳米管的晶体管及其集成的研究进展被引量：9
- 2004年
- 基于碳纳米管的场效应晶体管是目前研究的热点,是所有分子电子学器件中最有可能取代MOSFET,并维持摩尔定律的器件。本文对其基本原理、发展状况和重要性进行了简述,着重介绍了目前常用的撒落法和催化剂定位方法制备碳纳米管场效应管的工艺流程以及结果,并介绍了碳纳米管的掺杂以及相关集成的研究进展。
- 王晓峰黄如傅云义张兴
- 关键词：碳纳米管场效应晶体管掺杂
- 3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：2
- 2002年
- 用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的平均击穿场强为 16 7MV/cm ,在恒流应力下发生软击穿 ,平均击穿电荷为 2 7C/cm2 .栅介质厚度相同的情况下 ,P+ 栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+
- 许晓燕谭静荣高文钰黄如田大宇张兴
- 关键词：超薄栅介质软击穿硼扩散
- 高过载测试中结构防护模型研究被引量：21
- 2005年
- 通过分析高过载测试中侵彻破坏模式及其缓冲的原理和数学模型,并在此基础上利用马歇特锤对测试装置做破坏性的冲击试验,从而得出关于测试结构微型化设计、电路体的抗高过载设计以及测试系统结构的合理布局的设计原则.
- 刘俊石云波马游春
- 关键词：高过载
- 下一代新型半导体器件及工艺基础研究
- 2003年
- 引言微电子技术无论是从其发展速度和对人类社会生产、生活的影响,都可以说是科学技术史上空前的,微电子技术已经成为整个信息产业的基础和核心。自1958年集成电路发明以来,为了提高电子集成系统的性能,降低成本。
- 张兴
- 关键词：半导体器件集成电路微电子技术CMOS器件
- 高k栅介质MOSFET的栅电流模型(英文)被引量：2
- 2002年
- 提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型 .在该模型的基础上 ,研究了采用不同高介电常数栅介质材料时MOSFET的栅电流与介质材料的介电常数、禁带宽度及和Si导带不连续等参数之间的关系 .所获得的结果能够为新型栅介质材料的选取提供依据 .
- 刘晓彦康晋锋韩汝琦
- 关键词：MOSFET直接隧穿栅电流
- 衬底负偏压溅射对ZrN薄膜性能的改善
- 周建平高玉芝宁宝俊
- 关键词：溅射氧
- 场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化被引量：10
- 2003年
- 采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响 ,并用流行的 2 -D半导体器件模拟工具 MEDICI对解析计算进行了验证。根据临界电场击穿近似 ,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式。在一定结深和掺杂浓度时 。
- 何进张兴
- 关键词：场限环击穿电压功率集成电路
