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S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司
作品数:
23
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相关机构:
原子能委员会
国立科学研究中心
原子能及能源替代委员会
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相关领域:
文化科学
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国立科学研究中心
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2014
1篇
2013
2篇
2012
4篇
2011
2篇
2010
4篇
2009
3篇
2008
2篇
2007
2篇
2006
1篇
2005
1篇
2003
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制造薄膜的方法
本发明涉及一种制造薄膜的方法,包括:a)注入步骤,其利用离子轰击由半导体材料制成的基板的一个表面,从而在基板内的预定深度处形成所述注入离子聚集层,所述聚集层限定了位于基板上部中的薄膜;b)使基板的表面与一刚性体形成紧密接...
A·托赞
S·佩索尼克
F·洛吉耶
文献传递
通过熔化析出物拆分薄膜的方法
提供一种从衬底制造薄膜的方法,该方法包括以下步骤:(1)在例如由硅制成的衬底中注入例如镓的非气体种类的离子,根据衬底的材料选择注入条件和该种类,以使得能够形成在某层中分布的在某一深度上限定的析出物,这些析出物由熔点低于衬...
A·托赞
B·富尔
A·加尼耶
文献传递
用于稳定结合界面的热处理
本发明涉及一种制造在衬底上包括半导体材料的薄层的结构的方法,包含以下步骤:在施主衬底的厚度中产生脆性区域;将施主衬底和支撑衬底进行结合;在脆性区域的水平面上分离施主衬底,以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上以在后者上构成...
埃里克·内瑞特
塞巴斯蒂安·克瑞迪雷斯
文献传递
通过质子交换转移薄层的方法
本发明涉及从基于锂的初始衬底转移薄层的方法,包括:该衬底与第一电解液之间通过该衬底的自由面的质子交换步骤,以便在深度<U>e1</U>上以10%-80°的比例由质子替代锂离子,其中所述第一电解液是酸性的;该衬底与第二电解...
A·托赞
J-S·穆莱
文献传递
注入或联合注入后由冲击引发薄层自持转移的方法
本发明涉及一种薄层自持转移方法,根据该方法,在相对于源基片一个表面的一给定深度,以一定的剂量往该源基片中注入至少一种物类的离子,将一个加强件与该源基片紧密接触,在给定的温度给定的时间下,向该源基片施加热处理,以便基本上在...
纳古耶特-丰·纳古耶
伊恩·凯莱弗科
克里斯泰勒·拉加赫-布兰查德
康斯坦丁·鲍尔戴勒
奥莱利·陶泽恩
弗兰克·弗奈尔
文献传递
通过熔化析出物拆分薄膜的方法
提供一种从衬底制造薄膜的方法,该方法包括以下步骤:(1)在例如由硅制成的衬底中注入例如镓的非气体种类的离子,根据衬底的材料选择注入条件和该种类,以使得能够形成在某层中分布的在某一深度上限定的析出物,这些析出物由熔点低于衬...
A·托赞
B·富尔
A·加尼耶
文献传递
通过质子交换转移薄层的方法
本发明涉及从基于锂的初始衬底转移薄层的方法,包括:该衬底与第一电解液之间通过该衬底的自由面的质子交换步骤,以便在深度<Image file="200980113507.5_AB_0.GIF" he="25" imgCon...
A·托赞
J-S·穆莱
用于稳定结合界面的热处理
本发明涉及一种制造在衬底上包括半导体材料的薄层的结构的方法,包含以下步骤:在施主衬底的厚度中产生脆性区域;将施主衬底和支撑衬底进行结合;在脆性区域的水平面上分离施主衬底,以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上以在后者上构成...
埃里克·内瑞特
塞巴斯蒂安·克瑞迪雷斯
文献传递
在基板中进行多重注入的方法
本发明涉及一种在基板中注入原子和/或离子的方法,包括:a)将离子或原子注入在基板中的第一深度的第一注入,以便形成第一注入平面,b)将离子或原子注入在基板中的第二深度的至少一个第二注入,第二深度与第一深度不同,以便形成至少...
托马斯·西格纳玛谢克斯
克里斯特尔·德古特
弗雷德里克·马泽恩
制造异质结双极晶体管的方法
本发明涉及一种异质结双极晶体管,包括载体以及从该载体外延生长的至少:一个集电极层或发射极层;至少一个基极层(B);以及至少一个发射极层或集电极层;所述集电极或发射极层包括:至少一个第一亚层(C1),所述第一亚层与所述基极...
让-卢卡·珀卢阿尔
梅兰伊亚·利杰阿迪
克里斯托夫·迪普伊
法布里克·帕尔多
菲利普·博韦
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