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西安理工大学电子工程系: 作品数：17 被引量：15H指数：3; 相关作者：任杰更多>>; 相关机构：第四军医大学口腔医学系西安工程大学理学院更多>>; 发文基金：陕西省教育厅自然科学基金陕西省自然科学基金西安应用材料创新基金更多>>; 相关领域：电子电信理学医药卫生自动化与计算机技术更多>>

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双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析被引量：3: 2008年; 提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了43%,pMOS提高了67%;工作在双栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)与体Si沟道相比较,驱动电流的提高nMOS为31%,pMOS为60%.仿真结果表明,双栅模式比单栅模式有更为陡直的亚阈值斜率,更高的跨导以及更强的抑制短沟道效应的能力.综合国内外相关报道,该结构可以在现今工艺条件下实现.; 高勇孙立伟杨媛刘静; 关键词：双栅短沟道效应

700V 4H-SiC晶闸管开通特性的模拟研究(英文): 2012年; 通过商用半导体模拟器MEDICI对700 V 4H-SiC晶闸管开通特性进行了模拟研究。模拟结果表明阳极电压小于100 V时,开通过程符合扩散模型,电压更高时,开通时间随阳极电压升高而迅速下降,符合场开通机制。不同于Si及GaAs晶闸管,SiC晶闸管p型耐压层中浅能级杂质Al使得其开通时间随温度的升高而降低。较厚的基区使得电导调制效应只发生在发射区与基区边界一个范围之内,随着温度的升高,其余部分的载流子数目指数增加,压降指数减小。开通时间随着门极触发电流的加大而逐渐缩短,减小到一定程度时,减小速度明显变缓。; 臧源蒲红斌曹琳李连碧; 关键词：开通特性

薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化被引量：4: 2006年; 在300～600K温度范围内,利用ISETCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOICMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN DSOI结构.结果显示,SOICMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.; 刘梦新高勇张新王彩琳杨媛; 关键词：全耗尽自加热效应高温瞬态特性 DSOI

Al掺杂6H-SiC铁磁性研究(英文)被引量：1: 2013年; 使用物理气象沉积法生长了轻Al掺杂6H-SiC样品,并使用超导量子干涉磁强计(SQUID)对无腐蚀及腐蚀后的样品进行了测试,发现了腐蚀后的样品在室温下表现出铁磁性。经过计算,样品磁信号并非来源于腐蚀剂KOH及K2CO3。同时腐蚀后的样品形貌表明杂质聚集在腐蚀后的缺陷附近从而形成了一定的铁磁性,因此缺陷被腐蚀放大是样品形成铁磁性的主要原因。; 臧源李连碧林生晃曹琳; 关键词：6H-SIC AL掺杂铁磁性

饰核瓷厚度比对IPS e.max全瓷冠透光度的研究被引量：4: 2015年; 目的：比较不同核瓷饰瓷厚度配比对IPS e．max全瓷冠透光度的影响，为临床上全瓷冠的美学修复提供参考依据。方法：IPS e．max冠加工工艺中，其核瓷饰瓷厚度配比分别为1：4、1：2、1：1、2：1和4：1（n=60），利用minolta色度计测量试件，采用CIE-1976-L—a b颜色系统表色，每个试件的颜色参数L＊a＊b＊值重复测量3次，记录平均值为该试件的最终色度值。结果：1：4组遮色性能最差，4：1组遮色性能最好，随组分比例增加，遮色性能增大。5组之间的L＊、a＊、b＊值比较，差异均无统计学意义（P〉0．05）。但1：2～4：1（△E=1．59）、1：4～4：1（△XE=1．82）的色差比较，差异有统计学意义（P〈0．05）。结论：基底瓷饰面瓷厚度配比对IPSe．max全瓷冠的遮光度有影响，当核瓷（LT）厚度最少达到1．20mm才能遮住较深颜色的背景色。; 靳海立贾骏邓再喜周秦逯宜臧源李连碧; 关键词：透光度 IPS 全瓷冠

基于带通采样的正交数字下变频方法研究: 针对频谱位置为带宽非整数倍的带通信号，推导了以最低带通采样速率采样后信号的基带频谱与原模拟信号频谱的对应关系，提出了基于带通采样的无需数字混频器和抽取器的正交数字下变频算法，对中频线性调频信号的数字下变频过程进行了计算机...; 刘高辉张修社许世荣李英军范文新高勇

SiGe SOI CMOS特性分析与优化设计被引量：1: 2007年; 基于全耗尽SOI CMOS工艺,建立了具有Si Ge沟道的SOI MOS器件结构模型,并利用ISE TCAD器件模拟软件,对Si Ge SOI CMOS的电学特性进行模拟分析。结果表明,引入Si Ge沟道可极大地提高PMOS的驱动电流和跨导(当Ge组分为0.3时,驱动电流提高39.3%,跨导提高38.4%),CMOS电路的速度显著提高;在一定的Ge总量下,改变Ge的分布,当沟道区呈正向递减式分布时,电路速度最快。; 高勇黄媛媛刘静; 关键词：全耗尽SOI SIGE CMOS 迁移率驱动电流

4H-SiC晶闸管的光触发可行性及特性: 在一个已研制成功的电触发4H-SiC晶闸管的结构基础上,利用计算机模拟研究了在取消门极触发电路的情况下,其正向阻断电压随光照条件的变化,从而探讨其实现光控的可行性。结果表明,为使该器件实现光触发,须使用波长不长于350m...; 刘文涛张婷婷陈治明; 关键词：可行性; 文献传递

SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理: 2005年; 利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表明,SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性,其饱和导通压降为4.5V左右,且宜于强光工作.; 蒲红斌陈治明; 关键词：SIC 异质结功率开关