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杭州汉安半导体有限公司

作品数：32 被引量：2H指数：1
相关机构：大连理工大学杭州电子科技大学更多>>
发文基金：浙江省科技计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 30篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 27篇晶闸管
  • 13篇散热
  • 7篇快速晶闸管
  • 7篇大功率晶闸管
  • 6篇阴极
  • 6篇硅片
  • 5篇导热
  • 5篇散热效果
  • 5篇流道
  • 5篇渐开线
  • 4篇短路
  • 4篇短路点
  • 4篇多元胞
  • 4篇元胞
  • 4篇散热片
  • 4篇散热装置
  • 3篇电阻
  • 3篇阳极
  • 3篇小尺寸
  • 3篇均匀性

机构

  • 32篇杭州汉安半导...
  • 2篇大连理工大学
  • 2篇杭州电子科技...

作者

  • 2篇张海鹏
  • 2篇王德君
  • 1篇苏步春
  • 1篇齐瑞生

传媒

  • 1篇电力电子技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种大功率集成散热晶闸管
本实用新型公开了一种大功率集成散热晶闸管，包括晶闸管换热组件和散热组件；晶闸管换热组件包括晶闸管、封装体、液态合金、第一封堵件、第二封堵件、托底槽和半导体散热层；托底槽位于晶闸管下方；托底槽的面积大于晶闸管的面积；托底槽...
郑锦春王勇
文献传递
分段宽变渐开线多指放大门极结构快速晶闸管
本实用新型公开了一种分段宽变渐开线多指放大门极结构快速晶闸管，该快速晶闸管上设有放大门极G、阴极K和阳极A，所述放大门极G呈渐开线状辐射分布，所述放大门极G呈渐开线状的部分，该部分位于放大门极G中心处的宽度大于该部分位于...
王勇
文献传递
一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构及晶闸管
本实用新型提供了一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构，三个箭头状铝垫片星形连接，围绕于单个元胞的中央门极。和一种多元胞大功率晶闸管铝垫片结构的晶闸管，所述的多元胞大功率晶闸管本体为圆形，中心设置一个正六边形元胞，所述正六边形...
王勇张海鹏康文生
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一种集成散热晶闸管
本发明公开了一种集成散热晶闸管，包括晶闸管本体，晶闸管本体内设置有用于冷却液流通散热的散热流道，散热流道是由第一基板和第二基板及设置在第一基板和第二基板上的流槽交叉形成的双层交叉网状流道，流槽的内壁设置多个凹陷，多个凹陷...
郑锦春王勇
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一种高压电机软起动装置
本发明公开了一种高压电机软起动装置，包括控制柜、软启动柜、软启动器、固定器；所述软启动器包括晶闸管、散热器；所述导热块四周设有散热体；所述导热块上设有连接片；所述连接片上设有第一锁杆及第二锁杆；所述固定器包括横板、螺栓、...
郑锦春康春华王勇
文献传递
一种大功率晶闸管
本发明公开了一种大功率晶闸管，该大功率晶闸管包括硅片，所述硅片上设有单元胞门极，所述单元胞门极包括中心门极和放大门极，所述中心门极位于放大门极正中心位置，所述硅片上至少设有七个单元胞门极，任意三个相邻的单元胞门极都呈正三...
王勇张海鹏
文献传递
一种快速晶闸管
本实用新型涉及一种KK200A-KK1600A系列快速晶闸管。本实用新型包括中心门极，齿轮式放大门极内基圆，凸起式放大门极外基圆，渐开线式放大门极分指，以内圆和外圆为边界的边缘倒角，以及常规短路点。本实用新型一种快速晶闸...
王勇张海鹏
文献传递
一种晶闸管用散热组件及其散热方法
本发明公开了一种晶闸管用散热组件及其散热方法，包括晶闸管，所述晶闸管的右侧设置有支架，所述支架的右侧连通有风机，所述支架的顶部通过销轴活动连接有卡爪，所述卡爪的内部固定连接有翅板，所述翅板的底部与晶闸管的顶部接触，所述支...
邓军郑锦春朱志鹏
4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真被引量：2
2011年
4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低的通态电阻、更小的反向泄漏电流及更低的静态功耗,更适合高频大功率低功耗电力电子系统应用。
张海鹏齐瑞生王德君王勇
关键词：碳化硅功率器件电学特性
SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展
2011年
概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一些结构在抗闩锁方面的改善情况,总结指出抑制闩锁效应发生的根本出发点是通过降低p基区电阻的阻值或减小流过p基区电阻的电流来削弱或者切断寄生双极晶体管之间的正反馈耦合。
苏步春张海鹏王德君
关键词：绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管闩锁效应
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