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南京元感微电子有限公司

作品数：71 被引量：1H指数：1
相关机构：国网浙江省电力有限公司宁波供电公司宁波送变电建设有限公司南京理工大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信电气工程一般工业技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 68篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 28篇自动化与计算...
  • 7篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学

主题

  • 46篇感器
  • 46篇传感
  • 46篇传感器
  • 25篇力传感器
  • 15篇衬底
  • 14篇电极
  • 13篇气敏
  • 12篇陀螺
  • 12篇检测电极
  • 12篇键合
  • 11篇压力传感器
  • 9篇体腔
  • 9篇陀螺仪
  • 8篇芯片
  • 7篇信号
  • 7篇阳极键合
  • 7篇气敏传感器
  • 7篇绝缘
  • 6篇硅衬底
  • 5篇电容式

机构

  • 71篇南京元感微电...
  • 5篇宁波送变电建...
  • 5篇国网浙江省电...
  • 1篇南京理工大学

传媒

  • 1篇微波学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇浙江电力

年份

  • 26篇2024
  • 15篇2023
  • 17篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
共 71 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种气体与压阻式压力传感器
本实用新型涉及传感器技术领域，公开一种气体与压阻式压力传感器，包括：基底，其上设有气体腔室和压力腔室；压敏电阻，形成在基底正对压力腔室的一侧；绝缘层，覆盖在压敏电阻上；若干个气敏检测单元，相邻两个气敏检测单元之间设有隔离...
史晓晶柳俊文任青颖胡引引
一种刹车力传感器
本发明涉及力传感器技术领域，公开一种刹车力传感器，包括：固定环座，其上设有压力槽；硅橡胶环膜，覆盖在固定环座上，压力槽形成压力腔；接插件和压力芯片，压力芯片固定在接插件上，接插件包括绝缘座和导电件，导电件的一端伸出绝缘座...
柳俊文张一鸣熊万里陈博文
一种FET加热的插指气敏传感器及其加工方法
本发明涉及传感器技术领域，公开一种FET加热的插指气敏传感器及其加工方法。其中FET加热的插指气敏传感器包括：衬底，其上设有隔热腔室，隔热腔室内设有硅岛，硅岛与衬底间隔设置；绝缘层，设置在硅岛和衬底的同一侧；FET加热组...
任青颖柳俊文史晓晶李卫胡引引
一种FET阵列气敏传感器及其加工方法
本发明涉及气敏传感器技术领域，公开一种FET阵列气敏传感器及其加工方法。其中FET阵列气敏传感器包括：衬底，设有隔热腔室；绝缘层，位于隔热腔室的一端；硅岛，位于绝缘层的第一侧面上；FET加热阵列，包括若干个FET加热单元...
任青颖柳俊文史晓晶李卫胡引引
一种单锚点三轴陀螺仪
本实用新型涉及陀螺仪技术领域，公开一种单锚点三轴陀螺仪，包括：中心锚点；四个连接块和四个质量块，四个连接块和四个质量块依次间隔分布，每个质量块均分别与连接块和中心锚点相连，沿第二方向分布的质量块和与其正对的衬底形成第一方...
王章辉柳俊文史晓晶胡引引
一种MEMS全桥差分三轴加速度传感器及其加工方法
本发明涉及加速度传感器技术领域，公开一种MEMS全桥差分三轴加速度传感器及其加工方法，传感器包括：上部固定组件，包括上部电极板；中部电极组件，包括中心电极块和四个敏感组件，两个敏感组件沿X轴方向分布，且可动质量块与中心电...
史晓晶柳俊文胡引引
一种带杠杆的陀螺仪
本发明涉及陀螺仪技术领域，公开一种带杠杆的陀螺仪，包括：四个质量块，沿第一方向和第二方向呈正交对称分布；驱动检测组件，位于沿第一方向分布的质量块的外侧，驱动检测组件包括驱动检测电极和驱动检测框，驱动检测电极的可动部分设置...
王章辉柳俊文史晓晶胡引引
一种单孔密封式力传感器
本实用新型涉及力传感器技术领域，公开一种单孔密封式力传感器，包括密封座、密封凸台、密封膜、密封压环、受力件、压力芯片、绝缘座及导电件，密封凸台设置在密封座上且围成第一液压槽，密封膜设置在密封凸台上且形成第一液压腔，密封压...
熊万里柳俊文史晓晶朱彤童
一种多层结构的耐高温压力传感器及其加工方法
本发明涉及压力传感器技术领域，公开一种多层结构的耐高温压力传感器及其加工方法。其中加工方法包括：在SOI衬底的第一表面上形成接触的压力敏感电阻和电连接层；在第一表面、压力敏感电阻及电连接层上形成绝缘层；在绝缘层上形成硅键...
史晓晶柳俊文胡引引
一种气体与电容式压力传感器及其加工方法
本发明涉及传感器技术领域，公开一种气体与电容式压力传感器及其加工方法，其中加工方法包括：提供带气体腔室和压力腔室的SOI衬底；在第二硅衬底上形成第一预设厚度的绝缘层；在绝缘层上形成加热电极；在加热电极和绝缘层上形成第二预...
史晓晶柳俊文任青颖胡引引
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