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苏州矩阵光电有限公司

作品数：184 被引量：5H指数：1
相关机构：苏州大学深圳市赛迈科技有限公司沙洲职业工学院更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 179篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 25篇电子电信
  • 25篇自动化与计算...
  • 6篇文化科学
  • 3篇经济管理
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 62篇半导体
  • 50篇霍尔元件
  • 35篇传感
  • 28篇感器
  • 28篇传感器
  • 25篇化合物半导体
  • 23篇电极
  • 21篇激光
  • 21篇激光器
  • 19篇半导体激光
  • 19篇半导体激光器
  • 15篇晶格
  • 15篇光电
  • 15篇衬底
  • 14篇探测器
  • 14篇灵敏度
  • 14篇敏度
  • 13篇芯片
  • 13篇光电探测
  • 13篇光电探测器

机构

  • 184篇苏州矩阵光电...
  • 7篇苏州大学
  • 6篇深圳市赛迈科...
  • 1篇沙洲职业工学...

作者

  • 2篇张程

传媒

  • 1篇沙洲职业工学...
  • 1篇中小企业管理...
  • 1篇科技视界
  • 1篇科学技术创新

年份

  • 22篇2024
  • 10篇2023
  • 21篇2022
  • 16篇2021
  • 15篇2020
  • 14篇2019
  • 20篇2018
  • 13篇2017
  • 17篇2016
  • 16篇2015
  • 18篇2014
  • 2篇2013
共 184 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种霍尔集成器件及其制备方法
本发明属于传感技术领域，所述的霍尔集成器件，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。信号放大元件...
胡双元朱忻黄勇
文献传递
一种基于超薄硅光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器
本实用新型涉及光电传感技术领域，为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题，公开了一种基于超薄硅光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器，包含底部导电电极、硅超薄膜、金属光栅和顶部导电电极；金属光栅和硅超薄膜之间有一层...
龚靖轩张程黄亮杰张文陈阳朱鹏李孝峰朱忻
一种霍尔元件及其制备方法
本发明公开了一种基于二维电子气(2-DEG)的霍尔元件及其制备方法，所述霍尔元件结构包括以外延方式倒装生长的铟镓砷（In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As）沟道层，铝镓砷（Al<Sub>x</S...
胡双元朱忻
文献传递
下入光式红外传感器元件及其制造方法
本发明的实施例公开了一种下入光式红外传感器元件及其制造方法，所述下入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基板，所述IC电路对从半导体叠...
朱忻
文献传递
一种磁传感部件、磁传感器及磁传感部件的制备方法
本发明公开了一种磁传感部件、磁传感器及磁传感部件的制备方法，包括：磁传感部件基体，对磁传感部件基体的两面通过抛光工艺处理形成两抛光面，在其中任一的抛光面上加工处理形成钝化层，在钝化层的部分区域上设置有粘合层，在粘合层上贴...
朱忻金键何彬德帕勒布·巴特查亚
一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法
本发明提供一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法，该量子阱层结构包括：第一混合层及第二混合层，第一混合层的材料为InAlGaAs，且In、Al、Ga、As的组分比值为y:z:(1‑y‑z):1；第二混合层的材料为AlG...
颜建黄勇胡双元
上入光式红外传感器元件及其制造方法
本发明的实施例公开了一种上入光式红外传感器元件及其制造方法，所述上入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，所述至少一个化合物半导体叠层能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基...
朱忻
化合物半导体霍尔元件及其制备方法
本发明的实施例公开了一种化合物半导体霍尔元件和制备化合物半导体霍尔元件的方法。该化合物半导体霍尔元件包括基板、粘结层、电极部和磁感应部。该粘结层位于基板的表面上。所述电极部的至少一部分嵌入到所述粘结层中。所述磁感应部的端...
何渊
一种集成放大器件的霍尔器件及其制备方法
本发明公开了一种集成放大器件的霍尔器件及其制备方法，其中所述方法包括：在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层适于用作霍尔功能层；在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间形成二维...
黄勇胡双元朱忻米卡·瑞桑
一种霍尔元件及其制备方法
本发明属于半导体技术领域，提供一种低温度漂移的霍尔元件及其制备方法，其中霍尔元件包括层叠设置的衬底层、半导体功能层和电极层；半导体功能层为N型掺杂的In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>As<Sub...
胡双元朱忻黄勇颜建吴文俊和田修
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