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上海华虹(集团)有限公司

作品数：228 被引量：34H指数：3
相关机构：上海集成电路研发中心成都微光集电科技有限公司华东师范大学更多>>
相关领域：经济管理电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 209篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 4篇标准
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇经济管理
  • 5篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 139篇电路
  • 133篇集成电路
  • 65篇电路制造
  • 65篇集成电路制造
  • 60篇集成电路制造...
  • 53篇半导体
  • 48篇刻蚀
  • 45篇淀积
  • 37篇半导体集成
  • 37篇半导体集成电...
  • 27篇光刻
  • 25篇器件尺寸
  • 22篇介电
  • 20篇化物
  • 20篇硅化物
  • 18篇介电材料
  • 17篇硅片
  • 15篇氮化
  • 15篇退火
  • 15篇阻挡层

机构

  • 228篇上海华虹(集...
  • 165篇上海集成电路...
  • 10篇成都微光集电...
  • 3篇华东师范大学
  • 2篇北京工业大学
  • 2篇西安电子科技...
  • 2篇康佳集团股份...
  • 2篇四川长虹电器...
  • 2篇青岛海信电器...
  • 2篇索尼(中国)...
  • 2篇深圳创维－R...
  • 2篇深圳数字电视...
  • 2篇工业和信息化...
  • 1篇中兴通讯股份...
  • 1篇中铁第一勘察...
  • 1篇中国电子技术...
  • 1篇中铁第四勘察...
  • 1篇烽火通信科技...
  • 1篇华为技术有限...
  • 1篇东软集团股份...

作者

  • 20篇朱骏
  • 8篇陈寿面
  • 7篇姚峰英
  • 4篇胡正军
  • 4篇徐文忠
  • 3篇金虎
  • 3篇石艳玲
  • 3篇何学红
  • 3篇刘贇
  • 2篇黄仁东
  • 2篇张震宇
  • 2篇杨左娅
  • 2篇万星拱
  • 2篇王刘坤
  • 2篇段杰斌
  • 1篇许毅
  • 1篇赵宇航
  • 1篇郭奥
  • 1篇王全
  • 1篇储佳

传媒

  • 1篇电脑技术——...
  • 1篇经济展望
  • 1篇电子与金系列...
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇计算机应用与...
  • 1篇表面技术
  • 1篇机电兵船档案
  • 1篇微电子技术
  • 1篇集成电路应用
  • 1篇管理观察
  • 1篇现代国企研究
  • 1篇生涯发展教育...
  • 1篇张江科技评论

年份

  • 1篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2018
  • 7篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2011
  • 14篇2010
  • 7篇2009
  • 12篇2008
  • 27篇2007
  • 29篇2006
  • 34篇2005
  • 32篇2004
  • 33篇2003
  • 5篇2002
  • 3篇2001
  • 2篇2000
共 228 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种降低SiC介电常数的沉积工艺
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种有效降低SiC介电常数的淀积工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用Cu和低介电材料来减少RC互连延迟。在Cu工艺中人们大多采用...
缪炳有徐小诚
文献传递
金属线溅射膜的清洗工艺
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种TiN和Al/Ti/TiN膜溅射后的清洗工艺。为了减少颗粒对成品率的影响，人们普遍采用刷片机(Scribber)清洗硅片的表面和背面。本发明通过控制TiN和Al/Ti...
缪炳有徐小诚
文献传递
减少金属线缺陷的改进工艺
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种减少金属线缺陷的改进工艺。包括：1)减小Al层上下的Ti/TiN厚度；2)同时减小Al层厚度，降低溅射温度；3)提高Al靶中Cu的含量；4)提高刻蚀后金属线的退火温度...
缪炳有
文献传递
集成电路制造技术中可消除光刻中光刻胶毒化的工艺
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种可消除碳掺杂二氧化硅材料(SiOC∶HsiOC∶H)在单大马士革(Single Damascene)光刻中光刻胶毒化的工艺。具体是在SiOC∶H表面用PECVD方法...
胡正军
文献传递
深亚微米集成电路工艺中铜金属互联技术被引量：12
2001年
本文介绍了铜互联技术在深亚微米半导体工艺中的应用 ,重点介绍了铜金属互联技术中的关键工艺 ,包括在器件中采用铜金属互联线以降低互联延迟 ,大马士革 (Damascene)结构微细加工工艺 ,物理汽相淀积 (PVD)技术制备铜扩散阻挡层 (Barrier)和铜子晶层 (Cu seed) ,铜金属层化学电镀技术 (Electroplating) ,对铜金属互联工艺集成方面的要点也作了一些探讨。
徐小城
关键词：深亚微米集成电路
一种含硅低介电常数材料刻蚀后的预清洗工艺
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种Silk刻蚀后的预清洗工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，...
缪炳有徐小诚
文献传递
深亚微米集成电路Cu阻挡层的制备工艺
本发明是一种深亚微米集成电路Cu阻挡层的制造工艺，采用IPVD工艺淀积TaSiN作为Cu扩散阻挡层，选择Ta作为与Cu金属相邻的阻挡层材料。在化学电镀Cu时采用加交变电场和电镀添加剂，用快速热退火对Cu进行热处理，接着进...
徐小诚缪炳有
文献传递
一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构
本发明为一种垂直型N沟道金属－氧化物－半导体大功率场效应晶体管单元结构。采用N型硅外延片上刻蚀沟槽的方法，使场效应晶体管的栅氧层和金属钨栅电极位于硅外延层的沟槽之中，金属钨栅与硅片表面垂直，场效应晶体管导通工作状态下，电...
徐小诚缪炳有陈志伟汪激扬
文献传递
双大马士革结构中刻蚀阻挡层的旋涂法制备
本发明属集成电路制造工艺技术领域，具体为一种新的制备双大马士革结构中刻蚀阻挡层的方法。在通孔一级的lowk材料淀积结束后，再通过旋涂的方法淀积一定厚度的可形成无机或有机介质的溶液，再经过一定温度的烘焙使之发生反应，形成所...
胡恒升
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一种去除硅化物形成过程中多余金属的方法
在先进的集成电路制造工艺中，通常使用硅化物工艺降低晶体管的源漏区域和多晶硅电极的电阻。硅化物形成过程中产生多余金属。本发明采用加入臭氧的化学溶剂去除残留金属，既可以向APM/SPM中通入一定量的臭氧，也可以用臭氧替代AP...
胡恒生
文献传递
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